800兆位/秒30公里无中继的光传输实验获得成功

日本电电公司的电气通信研究所采用长波长波段的半导体激光器和单模光纤,对传输容量800兆位/秒信号的无中断光传输实验已获成功。其光源为 InGaAsP/InP 半导体激光器,在室温(20℃)下的振荡波长为1.31微米。为了稳定温度特性,还采用的珀尔帖     

中红外InAsPSb、远红外PbEuTe具有发展前途

在波长2μm 以上红外区振荡的半导体激光器,只限于在高分辨率光谱仪及污染气体检测等应用,作为光通信用的光源几乎并不引人注目。然而,石英系光纤的材料特性基本上已达到完成的程度,并且研究透过2μm 以上的长波长新型光纤材料也很活跃。在该波段范围内,激光散射减少,氟化物系纤维在3μm 附近,从理论上说,最低损耗可在10~(-3)dB/km 以下。如将这种损耗极低的     

上海光学精密机械研究所高功率拉曼光纤激光器研究取得进展

正近期,中国科学院上海光学精密机械研究所空间激光信息技术研究中心冯衍研究员领衔的课题组,在高功率拉曼光纤激光器研究中取得新进展。提出了一种镱-拉曼集成的光纤放大器结构,有效地解决了拉曼光纤激光器功率提升的主要技术瓶颈问题,在1120nm波长,首次获得580W的单横模线偏振拉曼光纤激光和1.3kW的近单模拉曼光纤激光输出。近年来,高功率光纤激光器发展迅速。1μm波段的掺镱光纤激光器,近衍射极限输出功率可达20kW,多横     

通讯用稀土掺杂光学材料

本文根据文献报道 ,简要介绍了稀土掺杂的光学材料、光学放大器、光纤激光器等在通讯产业的应用 ,这些应用促使通讯产业发生了革命性的变化和飞速的发展。     

水平区熔法掺碲n型磷化铟单晶

磷化铟是微波通讯向毫米波段发展的新型化合物半导体材料,磷化铟双异质结激光器是目前光纤维通讯极有希望的光源。为供有关单位用于外延生长作衬底片子,以制作体效应器件,已     

日本开发钢材超平滑加工新技术

<正>日本相关企业和高校共同开发出使用两种激光对钢材进行超平滑加工的新技术。该技术是利用极短间隔闪烁的脉冲光纤激光器去除微米级别的凹凸,再用连续波激光器将钢板表面的凹凸控制在1μm以内。超平滑加工新技术有望在3D打印的金属造型件精加工中获得应用。不仅是3D打印的金属造型件,金属切削加     

传动控制中光纤通讯的优越性

针对传动控制中主从控制的实时性问题进行研究,分析了利用PROFIBUS通讯、DSL通讯和光纤通讯实现主从控制时,光纤通讯的优越性。设计出光纤通讯为基础的主从控制下,ABB的DCS800装置的硬件组成和参数设计。     

光纤激光器的应用

主要论述了光纤激光器的发展,种类及应用.对掺铒等光纤激光器进行的理论研究.介绍了光纤激光器在各种领域中的实际应用.分析了光纤激光器的应用和发展潜力及前景.     

Stocker Yale针对L波段推出高吸收掺铒光纤

ＳｔｏｃｋｅｒＹａｌｅＩｎｃ .公司最近推出专门针对Ｌ波段掺铒光纤放大器 (ＥＤＦＡ)设计的掺铒光纤产品ＥＤＦ 1480 Ｔ6,该光纤具有高峰值吸收特性 ,从而可减少光电放大器中需要的光纤数量。掺铒光纤有助于光纤信号在通过ＥＤＦＡ时进行再生。当在远程陆地或海底通讯系统中 ,ＥＤＦＡ能使一个光信号传输得更远 ,可靠性更高。ＥＤＦ 1480 Ｔ6针对Ｌ波段工作在 1610ｎｍ波长窗口的ＥＤＦＡ设计。为了降低高端变换聚合的影响 ,据称它的核心成分保持了高掺铒水平。该产品的设计还可减少非线性的影响 ,比如在四种波混合的情形Stocker Yale…     

垂直外腔面发射激光器的模拟分析

垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级,制作成本高,有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真,实现优化.通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真,获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性.结果表明,InGaAs/GaAsP/AlGaAs材料体系能够有效地吸收808 nm的泵浦光,产生足够多的光生载流子(电子-空穴对),这些载流子能轻易地渡越应变补偿层,被量子阱俘获,产生复合发光.其发光带隙1.25 eV,相应波长992 nm,接近设计波长980 nm.InGaAs的材料增益峰值波长正好在980 nm处,增益系数高达4000 cm-1.InGaAs/GaAsP/AIGaAs量子阱的谐振峰值波长为983 nm,与980nm的分布布拉格反射镜(DBR)的反射中心波长非常接近,其峰值功率高达23 dB,理论上能够获得较大的输出功率.     

传动控制中光纤通讯的优越性(续)

2光纤通讯在传动控制中的使用光纤通讯应用在工业复杂的电磁环境中,它不同于有线电通讯,后者是利用金属媒体传输信号,光纤则是利用透明的光纤传输光波,工作频率要高很多,     

用水平布里兹曼法生长GaSb单晶

GaSb是制作光电器件的重要衬底材料。在GaSb上外延生长三元或四元锑化物（如 AlGaSb、InGaAsSb或AlGaAsSb等）,其外延层晶格匹配良好,制成激光器介质损耗小、失散小、功率大,能很好地与氟化物玻璃光纤相匹配,可用于长距离光纤通讯。因此,GaSb是发展新一代光纤通讯与高速电子器件的基础材料。目前,生长GaSb单晶多用双坩埚法、氢气还原法与LEC法等直拉工艺。采用这些工艺易于获得大型锭条,但因GaSb熔点低、过冷度大且极易氧化,不易提高产品质量,产品位错密度通常在10~3～10~4cm~(-2)范围内。为此人们尝试以水平法生长GaSb单晶。     

关于混合铅矿石浮选的几个问题

某地混合铅矿石,有用矿物细浸染于石英基质中,其中小于3.5微米的约占15%,大部分有用矿物晶粒介于15～72微米。主要脉石为石英,体积含量约为95%,次为粘土质胶结物。矿石的多元素分析如表1:     

全国光纤通讯学术会议

1979年12月1日至7日,在武汉召开了全国光纤通讯学术会议并成立了专业组。会议由全国电子学会通讯专业学会与中国通讯学会专业会联合召开。会议代表近300名,交流论文190多篇,其中18篇论文在理论研究上达到了较高水平,在工艺上有一定实用价值。根据世界光纤通讯的发展趋势,预见这一新兴技术领域的光辉前景。我国在光纤通讯方面的工作只     

北京大学实现环形腔掺铒光纤激光器的高频飞秒脉冲激光输出

高重复频率的飞秒光纤激光器在光学技术的很多方面都有重要应用,比如:激光频率梳、高速光采样,生物成像等。而其产生的傅里叶变换极限脉冲也可以应用在多方面,例如高速率相干光通信。对于环形腔掺铒光纤激光器来说,将腔长做短使其工作在高重复频率并不容易。首先,硅基光纤的掺杂浓度不能太高,这意味着增益光纤不能太短;即便使用最高掺杂的增益光纤,其色散仍是正的,而腔内较大的正色散不利于     

住友电气研制出世界上第一个规格最大的GaSb单晶

住友电气已研制成功一种低缺陷大规格的GaSb单晶,并在近期将投放市场。这种单晶(锭形)的直径可达35至50毫米。缺陷在GaSb单晶制备中认为是不可避免的,但住友电气已成功地掌握降低缺陷的技术,使缺陷从通常规定的五分之一降到百分之一到百分之三。这种GaSb的研制成功,意味着对光通讯用的长波长激光器快速红外传感器及超晶格器件等极为     

锗在信息高速传输主体 -- 光导纤维中的应用前景

综述了多种材质光纤的进展。重点阐述掺锗石英光纤可以满足高速传输信息的要求，必然是高速信息网络的传输骨干。锗在其中不可忽缺。     

金刚石膜的制备及应用面市

吉林大学科技人员经过数年的攻关 ,完成了“金刚石膜的制备及应用”课题 ,受到社会关注。金刚石膜具有高硬度、高热导率、高红外透过率和优异的半导体等特性 ,在高技术和未来的工业领域有着广阔的应用前景。利用金刚石膜的超硬、耐磨特性可制成各种机械加工中广泛使用的工具 ,具有加工精度高、成本低和使用寿命长等优点 ;利用金刚石膜的高热导特性 ,将金刚石膜经过ＹＡＧ激光器的精密切割、机械抛光的表面处理和表面金属化工艺 ,最后形成的金刚石膜热沉已应用于大功率半导体激光二极管列阵和光纤通讯用大功率半导体激光器 ;利用金刚石膜的低…     

GaN基激光器的研究进展

GaN材料作为第三代半导体材料具有十分独特的性能,其发光波段可以覆盖从红外到深紫外波段。GaN材料击穿电场强、发光效率高,使其在显示、照明、通信等领域具有非常广泛的应用。综述了GaN基激光器的发展历程及其失效和退化机制的研究进展。目前最新的蓝光GaN基激光器在3 A电流连续工作时的电压和输出功率为4.03 V和5.25 W;最新的绿光激光器波长为532 nm,在电流1.6 A时,输出功率为1.19 W。进一步阐述了GaN基激光器退化的主要表现,即随着工作时间的延长,激光器发光效率降低、光转化效率降低以及电压升高。总结了四种主要的退化模式,分别为封装退化、静电损伤、腔面退化和芯片失效。     

一种新的双色高温计

设计和研制了一种用于测量难熔金属(钨、钼、钽、铌、钛等)温度的红外比色温度计。工作波长λ_1=1.5微米、λ_2=1.65微米、距离系数L/D=100、基本误差1.5％。为提高仪表的精度,采用了比色加入光电补偿的方法。仪器的光学系统简便可靠。