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磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜.分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响.研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W.采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18%,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω·cm. 相似文献
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磁控溅射低温沉积ITO薄膜及其光电特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用直流反应磁控溅射法低温沉积ITO薄膜,用XRD、SEM和UV—Vis分别表征ITO薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱,研究了氧分压、溅射功率及薄膜厚度等工艺参数对薄膜光电性能的影响,结果表明,氧分压过大时,ITO薄膜中有大量的位错和缺陷,使薄膜的电阻率变大,导电性变差;氧分压过小时,薄膜中将有大量氧空位产生,导致晶格变形,使电阻率增加。随着溅射功率增大,在相同时间内薄膜厚度增加,方块电阻减小,薄膜电阻率降低。随着薄膜厚度增加,制备的薄膜晶体结构相对完整,载流子浓度和迁移率逐渐增大,薄膜电阻率变小,进而对样品的光电性能产生明显影响。 相似文献
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ITO薄膜的磁控溅射工艺优化研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜的工艺实验,研究了基底温度、溅射电压、氧含量等主要工艺参数对该薄膜光电性能的影响.实验结果表明:当基底加热温度为295℃、溅射电压为250V、氧分压占镀膜室总压力的8%即主要工艺参数皆位于最佳范围时,在厚度为5mm的普通浮法玻璃基底上,可制备出表面电阻为18Ω、可见光透过率超过80%的ITO薄膜.XPS测试结果表明:该ITO薄膜的内部Sn以SnO2相存在,In以In2O3相存在,含量分别在5.8%和85%左右. 相似文献
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采用低温磁控溅射技术在涤纶纺粘非织造布表面沉积ITO(Indium Tin Oxide,铟锡氧化物)薄膜,利用原子力显微镜(AFM)观察ITO纳米薄膜在纤维表面沉积的微观结构,并较为系统地分析了溅射时间、溅射功率、氧气流量、气体压力以及基底温度对ITO透明导电薄膜微结构的影响。得到以下结论:沉积时间的长短、工作气体压力的大小对成膜的均匀性有很大影响;较高的射频溅射功率将导致纳米颗粒因团聚而增大;而氧气流量的大小则影响着颗粒结晶程度的好坏和晶粒尺寸的大小;基底温度升高则会导致颗粒产生热迁移现象。 相似文献
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利用掺锡氧化铟(ITO)靶和Ta2O5靶双靶共溅法制备了氧化铟锡钽(ITTO)薄膜,研究了在不同衬底温度和退火温度下ITTO薄膜的微结构和光电性能。ITTO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,不同的处理过程导致了晶面择优取向的转变。室温下制备的ITTO薄膜展示了较好的光电性能,提高衬底温度和合理的退火处理可以显著地提高薄膜的光电特性。载流子浓度对于近红外反射、近紫外吸收和光学禁带宽度具有重要的影响。ITTO薄膜具有较宽的光学禁带宽度。在优化制备条件下,可以获得方阻10~20Ω/□、可见光透过率大于85%以及光学禁带宽度大于4.0eV的ITTO薄膜。 相似文献
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柔性衬底ITO薄膜的制备及其光电性能研究 总被引:5,自引:3,他引:2
在室温下,采用直流反应磁控溅射法,在聚酯薄膜(PEP)衬底上镀制了高性能的ITO薄膜。为了提高薄膜与基底的结合力,溅射前采用多弧离子源对PEP表面进行了等离子体清洗。研究了溅射工艺参数对ITO薄膜的光电性能和红外发射率的影响规律,探讨了ITO膜的透光和导电机理,并分析了方块电阻与红外发射率的相互关系。实验结果表明,通过等离子体清洗,ITO薄膜的结合力和光电性能都得到了改善。ITO薄膜的红外发射率和方块电阻受制备条件的影响规律具有相似之处,红外发射率随薄膜方块电阻的增大而呈增加的趋势。 相似文献
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采用磁控溅射方法直接溅射铜铟镓硒(CIGS)靶材,制备得到了用于太阳能电池吸收层的CIGS薄膜,然后在Se气氛中对该CIGS薄膜进行退火处理。采用扫描电镜、X射线衍射、Raman、XRF、Hall等方法观察和分析了退火的主要工艺参数对薄膜表面形貌、组织结构、成分以及电学性能的影响,并制备了CIGS太阳能电池。结果表明,采用磁控溅射CIGS靶材+Se气氛中退火处理的方法,可以制备得到成分均匀、电学性能优良、单一黄铜矿相的CIGS薄膜;退火温度和退火时间是影响退火后薄膜质量的主要因素。退火温度低于350℃时,退火效果不明显。退火温度在400℃,退火时间达120 min时,薄膜完成再结晶过程,并制得单一黄铜矿相的CIGS薄膜;退火过程存在Cu-Se二次相的析出和消融,同时具有为薄膜补Se的作用。本文采用该方法制备出的CIGS太阳能电池的最高转换效率为7.69%。 相似文献
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PET基纳米Ag薄膜导电及电磁屏蔽性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
为了研究纳米Ag薄膜厚度对导电及电磁屏蔽性能的影响,采用磁控溅射法在PET非织造布上制备了不同厚度的纳米结构Ag薄膜,用原子力显微镜(AFM)分析不同厚度纳米结构Ag薄膜形貌及粒径的变化;研究了纳米Ag薄膜厚度与薄膜导电性能及屏蔽性能之间的关系;并用网络测试仪测试了不同厚度样品的电磁屏蔽效能。实验结果表明:在100MHz~1200MHz内,100岫的PET基纳米Ag薄膜的电磁屏蔽效能在20.7dB~29.3dB之间,50nm以上的PET基纳米Ag薄膜的电磁屏蔽率均达到98%以上。 相似文献
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用电子束蒸发法低温无损情况下在有机柔性衬底上制作ITO膜及其性能研究 总被引:5,自引:0,他引:5
在有机材料柔性衬底上沉积ITO膜,需要在低温及无损伤(即避免离子轰击及热损伤等)情况下进行.为满足此要求,采用电子束蒸发法来实现在PI衬底上沉积ITO膜,对沉积参数如电子束特性、氧分压及衬底温度对薄膜质量的影响进行了研究;对薄膜结构、表面形貌、电学及光学特性进行了检测.最后,在PI衬底上获得高质量ITO膜,其可见光透过率超过90%,电阻率低于5×10-4 Ω*cm. 相似文献
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随着平面显示技术的发展, 氧化铟锡 (ITO) 靶材的需求大增, 然而国内生产的靶材多为低密度的中低端产品, ITO靶材的制备目前多采用的是热压烧结的形式, 实现ITO靶材的制备突破研制合适的装备及工艺成为焦点问题。本文结合直热式制备ITO靶材工艺给出了ITO靶材热压炉中核心加热区的设计方法, 并利用ANSYS软件对设计完成的石墨模具进行了仿真分析。 相似文献