离子替换对BMN基焦绿石陶瓷性能的影响

采用固相法制备BiLiMg(NbxMx)O系BMN基陶瓷样品。分别研究了Zr4+离子、Sn4+离子和Ti 4+离子替代Nb5+离子对BMN陶瓷性能的影响。结果表明,Zr4+离子、Sn4+离子和Ti 4+离子替代量较小时,相结构为单一焦绿石结构。随着Zr4+离子、Sn4+离子替代量的增加,样品中空隙增多;Ti 4+离子替代量将直接影响样品中晶粒的生长方向,对样品中空隙影响不明显。介电性能方面,不同替换离子介电性能最佳状态出现在不同替换量的情况下(m为比例系数):在Zr4+离子替换量为2m时,介电常数为177.4177,介电损耗为0.00034;Sn4+离子替代量为1m时,介电常数为174.9671,介电损耗为0.00038;Ti 4+离子替代量为4m时,介电常数为188.4959,介电损耗为0.00027。     

尼龙6/粘土聚合物纳米复合材料的性能表征——(I)电性能研究

使用Haake-90型双螺杆挤出机制备一系列粘土含量不同的尼龙6/粘土纳米聚合物复合材料,测试其介电常数、介电损耗、介电稳定性能以及电击穿强度,并讨论了粘土含量对纳米复合体系电性能的影响。研究发现,加入纳米粘土后材料的介电常数、介电损耗明显减小,同时介电稳定性能有了大幅度提高,但电击穿强度无明显变化。     

纳米SiO_2/交联聚苯乙烯复合材料的合成及性能

以气相纳米二氧化硅为填料,交联聚苯乙烯(CLPS)为基体,采用原位本体聚合法制备了不同二氧化硅含量的SiO_2/CLPS复合材料,并利用透射电镜、红外光谱、差示扫描量热分析、热重分析和动态力学分析等技术对材料微观结构、热性能和介电性能进行了研究。结果表明,SiO_2质量分数不超过2%时,SiO_2颗粒以5~7 nm的粒径均匀地分散于交联聚苯乙烯基体中,聚合物基体与SiO_2产生较强的界面作用,形成了介电性能优异的纳米复合材料,介电常数和介电损耗分别保持在2.48~2.50和(4~8)×10-4之间;随着SiO_2含量进一步增加,材料的介电损耗显著增大,复合材料动态储能模量和玻璃化转变温度随SiO_2含量增加呈先上升后下降的趋势,在SiO_2质量分数为2%时达到最高,复合材料的玻璃化转变温度较纯CLPS有明显提高。     

尼龙6/粘土聚合物纳米复合材料的性能表征--(Ⅰ)电性能研究

使用Haake-90型双螺杆挤出机制备一系列粘土含量不同的尼龙6／粘土纳米聚合物复合材料，测试其介电常数、介电损耗、介电稳定性能以及电击穿强度，并讨论了粘土含量对纳米复合体系电性能的影响。研究发现，加入纳米粘土后材料的介电常数、介电损耗明显减小，同时介电稳定性能有了大幅度提高．但电击穿强度无明显变化。     

CB/CNTs/PP导电高聚物力/温度作用下介电性能的研究

以聚丙烯(PP)为基体,炭黑(CB)和碳纳米管(CNTs)为填料,通过熔融共混、注塑成型制备导电复合材料,测定电场频率、填料种类、填料含量以及温度、载荷等因素对其介电性能的影响。结果表明,室温下,随着填料含量的增加,材料介电常数和介电损耗均呈增大趋势;随着频率的增加(100 Hz～10MHz),介电常数和介电损耗首先迅速降低,然后逐渐趋于稳定;随着CNTs的加入,CB/CNTs/PP导电复合材料的介电常数明显增大,但是当填料含量达到某一定值时,继续增大CNTs的含量,介电常数反而下降;同一频率下,随着温度的升高(30～100℃),由热膨胀引起炭黑粒子间距的变化会导致介电常数减小。复合材料压缩实验表明:压缩载荷作用下,材料发生形变,基体中的CB粒子间相对位置改变,引起介电常数减小。     

石英纤维/KH308复合材料的介电性能

为研究石英纤维/聚酰亚胺（KH308）复合材料介电性能与纤维体积分数、频率、温度和吸水率之间的关系,通过热压成型法,制备了4种不同纤维体积含量的石英纤维/KH308复合材料,采用高Q谐腔法分别测试这4种复合材料在不同状态下的介电常数和介电损耗。结果表明：石英纤维/KH308复合材料的介电常数随着纤维体积分数增加而变大,介电损耗随纤维体积分数变化不大;7~18 GHz频率下,复合材料的介电常数和介电损耗基本不随频率变化;25~300℃下,复合材料的介电常数随温度增加变化比较平缓,而介电损耗随温度的增加而降低;复合材料吸水后,介电常数和介电损耗都会增加;复合材料介电常数ε<4,介电损耗tanδ<0.1,能满足导弹天线罩透波材料介电性能的要求。     

SiO2—Si3N4天线窗材料的介电性能研究

研究了Ｓｉ３Ｎ４含量和相对密度对Ｓｉ３Ｎ４颗粒增强ＳｉＯ２复合材料的介电性能的影响。结果表明：在Ｓｉ３Ｎ４含量相同时，随着相对密度的增大，复合材料的介电常数增大，介电损耗减少；在一定的相对密度下，复合材料的介电常数和介电损耗随Ｓｉ３Ｎ４含量的增加而增大。     

氰酸酯/BaTiO3复合材料的介电性能

以双酚A型二氰酸酯为树脂基体,平均粒径为3 μm的BaTiO3为功能填料,采用浇铸法研制氰酸酯复合电介质材料,考察了25℃,1MHz时氰酸酯/BaTiO3复合材料的介电性能.结果表明,BaTiO3含量的增加提高了材料的介电常数,减小了材料的介电损耗,并且最大填充量为体系总质量的60%,此时介电常数最大(15.823),介电损耗最小(0.0037);随着树脂转化率的增加,材料的介电常数先增大后减小,而介电损耗一直在减小;硅烷偶联剂γ-氨丙基三乙氧基硅烷(KH-550)显著改善了BaTiO3粒子在氰酸酯基体中的分散效果,提高了材料的介电常数,保持介电损耗不变.     

SiO_2－Si_3N_4天线窗材料的介电性能研究

研究了Ｓｉ_３Ｎ_４含量和相对密度对Ｓｉ_３Ｎ_４颗粒增强ＳｉＯ_２基复合材料的介电性能的影响。结果表明：在Ｓｉ_３Ｎ_４含量相同时，随着相对密度的增大，复合材料的介电常数增大，介电损耗减少；在一定的相对密度下，复合材料的介电常数和介电损耗随Ｓｉ_３Ｎ_４含量的增加而增大。     

嵌入式电容器用钛酸钡/环氧复合材料性能的研究

将颗粒尺寸分布较宽的钛酸钡(BT)粉末与环氧树脂采用溶液共混旋涂工艺制备了嵌入式电容器材料,并对该复合材料的显微结构、晶相、热稳定性及介电性能进行了分析.研究表明,该复合材料的介电常数及介电损耗与陶瓷相含量和陶瓷粉末的分散有关;在20～150kHz频率范围内,复合材料介电常数的变化较为稳定,而介电损耗值均在0.036～0.039之间,随频率增大略有增大;受BT粒子的影响,复合材料基体聚合物的有序排列分子结构被破坏,环氧树脂分子链的排列密度降低;BT粉末的加入及BT含量的增加均导致材料体系的固化温度和热分解温度提高.