β-放射性核^12N的磁矩测量

采用β-NMR方法测量了12N(Iπ=1 ,T1/2=11 ms)的磁矩,实验测量在大阪大学5 MV静电加速器的β-NMR和β-NQR装置上进行。 12N通过10B(3He, n) 12N 核反应产生,采用浓缩度为90%的10B靶,10B真空蒸镀在0.5 mm厚的Ta基体上,靶厚200 靏/cm2。入射3He束能量为3 MeV,以5°入射到靶上。产     

A=12镜核对的磁矩和结构研究

本工作采用β-NMR方法测量了A=12镜核对的磁矩,实验测量的12B(Iπ=1 ,T1/2=20.18ms)和12N(Iπ=1 ,T1/2=11ms)的磁矩分别为μ=0.99993±0.00048μN和μ=0.45711±0.00009μN。采用日本Suzuki等新发展的能够给出非稳定核新幻数的壳模型(SFO)进行了磁矩的计算。A=12镜核对核的磁矩     

高效率低本底 HPGe γ谱仪和点源刻度

文章介绍了高效率低本底 HPGe γ谱仪系统的结构和主要性能。用~(152)Eu,~(241)Am 和~(60)Co 标准点源做了效率刻度。该谱仪对~(60)Co γ射线的相对效率为44.6%。在50—1800keV 能量范围内,测量的不确定度为2—5%。     

极化对碘化汞探测器的影响

给出了以碘化汞为探测器室温谱仪系统的一些测量结果,着重讨论了极化对探测器性能的影响,提出了极化影响的措施。     

北京谱仪电子学系统性能的标定

北京谱仪是北京正负电子对撞机的物理实验装置,用于探测正负电子对撞瞬间产生的终态粒子。北京谱仪电子学系统是该谱仪的重要部分,担负探测信号的放大、成形及变换。为了确保和验证电子学系统的可靠性,建立了计算机校准系统。本文主要介绍校准系统的硬件配置、功能及其程序构成。     

中子反射实验技术

从实验技术角度出发,介绍了中子反射谱仪的分类、基本结构主要部件单元及其相应功能和参数、“PRN—2M”中子反射实验装置及其详细技术特点。结合在“PRN—2M”谱仪上开展的实际工作,详细介绍了中子反射基本实验方法、中子反射实验测量过程以及相关实验调节,包括实验模式选择、极化束光路调节、实验测量主要步骤等。可为开展中子反射实验和谱仪建设提供技术参考。     

就地HPGeγ谱仪偏差的实验验证

在某放射性污染场选取一块地势平坦区域,就地HPGeγ谱仪现场测量,并采样进行实验室γ谱仪分析.两种结果比较,验证了就地HPGeγ谱仪测量结果偏差.实验表明,相对于样品的实验室分析结果,就地HPGeγ谱仪对241Am、137Cs、60Co、152Eu、155Eu的测量结果偏差分别为-22%、-2%、8%、-20%、11%.     

反康普顿γ谱仪性能的蒙特·卡罗方法模拟

在建立反康普顿γ谱仪的过程中，用蒙特·卡罗方法对谱仪的主要性能进行了模拟计算，从而证明谱仪的物理设计是成功的。     

12B在Cu中的极化度测量

β-放射性核的极化以及极化的保持在β-NMR和β-NQR实验中非常重要。本工作采用β-NMR方法测量了~(12)B在Cu中的极化度,实验测量在新建的β-NMR和β-NQR装置进行。 ~(12)B(I~π=1~ ,T_(1/2) =20.2 ms)通过~(11)B(d,p)~(12)B核反应产生,靶为天然B靶(~(11)B的同位素丰度是     

β-放射性核^12B的磁矩测量

采用β-NMR方法测量了~(12)B(I~π=1~ ,T_(1/2)=20.2 ms)的磁矩,实验测量在新建的β-NMR和β-NQR装置上进行。 ~(12)B(I~π=1~ ,T_(1/2)=20.2ms)通过“B(d,p)‘’B核反应产生,靶为天然 B靶(~(11)B的同位素丰度是0.802),B真空蒸镀在0.5 mm厚的Ta基体上,靶厚250 ug/cm~2。入射d束能量为1.5 MeV,流强     

中国先进研究堆（CARR）上中子反射谱仪超镜极化器的参数计算

20世纪70年代,F.Mezei[1]提出了超镜的概念,推导了多层膜超镜极化器层厚的公式,并首次测量了Fe-Ag超镜的反射率[2]。超镜极化器具有反射率高、临界角大（可为大然镍全反射临界角的2～3倍）等优点,在极化中子散射实验中受到人们的青睐。随着镀膜技术的发展,超镜极化器已在实验中得到了广泛的应用。 根据中国先进研究堆（CARR）上中子反射谱仪对超镜极化器的要求,确定了中子极化器采用FeCo-Si透射超镜,磁层、非磁层分别采用FeCo合金和Si,衬底采用单晶Si。根据F.Mezei     

用穆斯堡尔效应测量磁织构数据的数学分析

本文对铁磁材料~(57)Fe穆斯堡尔谱的角度因子内含的磁矩取向信息做了理论分析。分析表明: 1)椭圆极化γ射线穆斯堡尔谱同时包含有磁织构磁矩取向分布在统计意义上的指向择优度P′=∑p_icosφ_t和方位择优度P=∑p_i·cos~2φ_i两种信息。线极化和非极化γ射线穆斯堡尔谱仅包含有磁矩取向分布的方位择优度信息。     

FPGA便携式多道γ谱仪的研制

为适应多道γ谱仪向便携式方向发展的需要,引入先进的FPGA数字集成电路技术,编制模数变换器逻辑的Verilog HDL程序,替换传统多道γ谱仪中复杂繁多的分立元器件,研制了新型便携式多道γ谱仪。谱仪研发中,引入FPGA技术,取代时序复杂的分立数字器件,增强了仪器的可维护性,更具适用性。测试表明:该谱仪微分非线性2%,积分非线性0.1%,可用于长时间野外测量。     

中子三轴谱仪分辨率的计算与分析

描述了中子三轴谱仪分辨率函数的计算方法,计算分析了中子波矢、准直器水平发散度、谱仪布局及能量和动量转移对分辨率函数的影响.谱仪分辨率随着入射波矢增大而降低,随着准直器水平发散度的减小而提高,谱仪最高能量分辨率能达到23μeV,计算值与实验测量和模拟计算结果符合得很好;谱仪布局只改变分辨率椭球在散射平面的方向,而不会影响...     

用于快中子能谱测量的6LiF夹心半导体谱仪

本文介绍了^{6LiF夹心谱仪的测量原理、自行设计研制的6LiF夹心半导体谱仪探头结构及电子学系统组成等。在热中子场中测试了夹心谱仪的性能,获得了α粒子峰、T粒子峰及“和”峰在多道上的位置与能量分辨率,并用T粒子与“和”峰两个能量点的峰位对谱仪系统进行了能量刻度。分别用效应探头和本底探头测量了临界装置表面的效应谱和本底谱,当效应探头采用的6LiF镀层质量厚度为186 μg/cm2时,6LiF夹心谱仪对热中子的能量分辨率为363 keV,测量中子最佳能区为0.3~7.5 MeV,在该能区内,本底谱约占1%。}     

双转子中子散射飞行时间谱仪

在中国原子能科学研究院的重水研究性反应堆上设计建造了一台双转子中子散射飞行时间谱仪。该谱仪采用高速同步双转子(最高转速为15000r/min)系统,并在90°角范围内配置54支~3He管(可扩展为108支)记录散射中子,散射中子讯号由飞行时间编码单元编码后送入DG-10/SP微机数据获取系统,该系统采用了通用智能接口并具有实时显示54路谱的功能。该谱仪还在转子本体中填入大量含硼含氢物质,在费米转子准直系统中采用超薄(0.025mm)钆(Gd)片作为芯片,既增强了准直效果,又使转子系统屏蔽快中子本底的能力增强10倍,解决了径向水平孔道本底高的困难。谱仪指标:单能入射中子能量范围5 200 meV,分辨率AE/E～(3—8)%,样品上单色中子强度～10~3S~1·cm~2。信号本底比优于20:1,在转速为13000r/min时连续工作10 d,相位及速度漂移均不大于0.04%。     

基于FPGA和ARM的便携式γ谱仪研制

为适应γ能谱分析的发展需要,研发了新型便携式γ谱仪。该谱仪引入了FPGA技术,取代时序复杂的分立数字器件,增强了仪器的可维护性,更具适用性;开发了基于ARM的界面友好的多道采集软件,摆脱了依赖于计算机操作的限制,且仪器工作时间大于8h,因而可用于长时间野外测量。测试结果表明:该谱仪能量分辨率为6.9%,稳定性为0.3%,满足了γ谱仪的性能指标要求。     

中子反射谱仪的模拟与优化

中国原子能科学研究院将在中国先进研究堆的冷中子导管上建立一台用于分析薄膜结构的极化中子反射谱仪。极化中子反射谱仪造价昂贵，为了经济有效地完成谱仪建造工作，目前，在谱仪建造初期国际上通常利用蒙特卡罗模拟方法对谱仪的设计参数进行优化模拟。     

半导体夹心谱仪测量裂变中子能谱的不确定度

本文通过对中子能谱的不确定度的阐释,明确提出了中子能谱的不确定度应理解为能区份额或某一能量范围内中子注量(率)的不确定度。以6 Li夹心半导体中子谱仪测量CFBR-Ⅱ堆泄漏中子谱为例,对3个典型能区的中子注量率谱的不确定度进行了分析。当全谱中子注量率为3.00×107 cm-2·s-1时,0~20keV能区内的中子注量率为5.70+2.38-0.33×105 cm-2·s-1(不确定度中的包含因子k=1),0.59~0.61MeV能区内的中子注量率为(4.32±0.87)×105 cm-2·s-1(k=1),4.99~5.01MeV能区内的中子注量率为0.094+0.028-0.022×105 cm-2·s-1(k=1)。     

探测快中子的新技术

本文概述了近年来探测快中子的新技术，它们分别是：抑制γ射线、热中子和带电粒子的符合谱仪；高分辨宽能量范围正比计数器的＾３Ｈｅ夹心谱仪；含氢的纤维闪烁体用于抑制γ射线、中子位置分布和中子能谱测量；及含锂的纤维玻璃闪烁体用于长中子计数器测平均中子能量；中子的直接探测；用于中高能和重离子核物理的多元件阵列快中子探测器和极化仪；用于核核查的中子源影像探测器；高入射氘核能量和高能中子的伴随粒子技术等７个方面