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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 875 毫秒
1.
^-[152]取向的γ-TiAl单晶(Ti-56at.%Al)在屈服强度的峰温以下的主要形变方式是^-(111)[011]起点阵位错滑移。[011]超点阵位错具有不对称的分解方式:[011]→1/2[011]+APB)+1/6^-[121]+(SISF)+1/6[112];在低温,[011]位错大多在^-(111)滑移面上呈平面型核心结构,而在呈现反常屈服现象的温度区域内,1/2[011]APB不  相似文献   

2.
TiAl合金形变孪晶恢复过程的原位拉伸观察*梁伟杨德庄*赵兴国陆路郑维能(太原工业大学测试中心,太原030024)(*哈尔滨工业大学热处理教研室)(1/6)〈112]{111}形变孪生及(1/2)〈110]普通位错滑移是双相TiAl基合金的两个主要变...  相似文献   

3.
PST双相TiAl类单晶中1/2<112]位错的行为洪建明赵晓宁刘毅林栋梁汪德宁陈达陈世朴(南京大学现代分析中心,南京210093)(上海交通大学材料科学系,上海200030)PST(polysyntheticalytwinned)双相TiAl晶体是...  相似文献   

4.
Al3Ni2的一个超结构相郝朝斌王蓉(北京科技大学材料物理系,100083)Al3Ni2(τ3)相是一种空位有序相,实验上已观察到由十次准晶向Al3Ni2的五重畴结构的转变[1],然而,Al3Ni2结构并不满足准晶近似相的大单胞特征[2]。已有工作[...  相似文献   

5.
本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料JX-2-I的界面结构,结果表明,在JX-2-I中Al2O3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al2O3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构,发现在SiCw,SiCp和Al2O3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al2O3上有孪晶产生,分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-I材料的整体  相似文献   

6.
原位TiC-AlN/Al复合材料中AlN/Al界面的微结构的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文用透射电镜(TEM)的衍技术和高分辨电镜(HRTEM)研究了用原位固-气-液三态反应法制备的原位TiC-AlN/Al复合材料中AlN颗粒与Al界面的微现组织结构,发现AlN/Al界面两侧晶休的两个晶面存在平行关系;(101)AlN/(111)Al。作者从金属固溶和金属结晶理论出发,分析了AlN/Al界面微结构的形成机制,较好地解决了原位了TiC-AlN/Al昨合材料中界面结合较好的原因。  相似文献   

7.
本文利用TEM研究了新型复相陶瓷刀具材料Jx-2-Ⅰ的界面结构,结果表明,在Jx-2-Ⅰ中Al_2O_3/SiCw(氧化铝/碳化硅晶须)界面和Al_2O_3/SiCp(碳化硅颗粒)界面结合良好,形成了具有较高强度的微观结构;发现在SiCw、SiCp和Al_2O_3晶粒上均有位错产生,在SiCp和Al_2O_3上有孪晶产生;分析表明,位错和孪晶的产生均吸收大量的断裂能,提高材料的断裂韧性,改善JX-2-Ⅰ材料的整体性能。  相似文献   

8.
GaN/Al_2O_3(0001)的匹配机制及氮化的作用   总被引:3,自引:0,他引:3  
在Al2O3(0001)衬底上用MOCVD(金属有机物气相沉积)方法进行了GaN的外延生长,通过X射线衍射(同步辐射源)研究了GaN和Al2O3(0001)的匹配关系。结果表明,经充分氮化的衬底上,GaN以单一的匹配方式沿[0001]方向生长;在Al2O3(0001)衬底未经氮化或氮化不充分时,不同程度地出现了其它三种绕〈1120〉晶带轴倾斜一定角度的匹配位向。指出了GaN/Al2O3(0001)的几种匹配方式的晶体学规律。GaN绕〈1120〉晶带轴倾斜的匹配方式是其外延生长过程中降低和Al2O3(0001)的晶格失配、释放界面应变的重要机制之一。  相似文献   

9.
涡街流量计用压电陶瓷材料的研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
姜胜林  龚树萍 《压电与声光》1996,18(3):204-206,216
在分析Pb(Ti,Zr)O3+BiFeO3+Sr(Cu1/3Nb2/3)O3以及Pb[(Zn1/3Nb2/3)(Ti,Zr)]O3系列压电性能的基础上,通过调整系统中的锆钛比,得到压电性能参数满足要求的涡街流量计用压电陶瓷材料。  相似文献   

10.
利用弱束暗场技术透射电镜拉伸台观察了二相TiAl基金属间化合物层片结构中的位错组态,发现层片结构中含有丰富的位错网络,位错亚晶界以及界面位错墙。位错与拉伸变形时的位错滑移线均可贯通TiAl及Ti3Al层片,反映了民支片间的协调变形。  相似文献   

11.
反应热压NiAl-TiB_2复合材料界面结构研究戴吉岩,李斗星,叶恒强,邢占平,郭健亭(中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳110015)B2型NiAl金属间化合物由于具有高熔点(1640℃),低密度(5.86g/cm ̄3),以及极佳的...  相似文献   

12.
在扫描电镜和H-800透射电子显微镜上,研究了Ti3Al-Nb(Ti-24Al-14Nb-3V-0.5Mo)(at.%)合金不同组织状态下的室温拉伸变形机制。利用双倾技术和双束条件下g.b=0不可见判据,分析了合金中具有D019结构的α2相和bcc结构的B2相在拉伸变形后的位错类型和滑移系。结果表明,初生α2相体积分数高时,α2相内部出现致密且平行的滑移带,a型位错在基面{0001}上形成大量亚晶界和六角位错网络,使初生α2晶粒产生形变,并且协调了晶界的变形。另外,还有a型刃位错及少量c型位错在柱面{1010}上滑移,初生α2相体积分数低时,基体B2相上形成宽而长的滑移带,a/2〈111〉刃型位错在{110}面上滑移是B2相的主要变形模式。  相似文献   

13.
1IntroductionThelaticedynamicsofsemiconductorsuperlaticehasbeenextensivelystudied[1,2].TheRamanspectraofAlAs/GaAs,GaAlAs/GaAs...  相似文献   

14.
本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-I(Al2O3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al2O3),AP(Al2O3/SiCp),AW(Al2O3/SiCw)和JX-1(Al2O3/SiCw)材料相比,JX-2-I具有较高的抗弯强度(σbb)和断裂韧性KIC,研究结果表明,在JX-2-I陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强原协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-I的主要增韧机理是界面解离,裂纹偏转和晶须拔  相似文献   

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不同热循环下K_2O·8TiO_2/ZL109Al复合材料的相分析李吉红,宁小光,叶恒强,沈保罗(中国科学院固体原子像开放研究实验室,沈阳110015)(成都科大)本文所用K_2O-8TiO_2晶须增强/ZL109Al复合材料是挤压铸造法制备的。基体...  相似文献   

16.
本文研究了新型陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ(Al_2O_3/SiCp/SiCw)的力学性能,同A(Al_2O_3)、AP(Al_2O_3/SiCp)、AW(Al_2O_3/SiCw)和Jx-1(Al_2O_3/SiCw)材料相比,JX-2-Ⅰ具有较高的抗弯强度(σ_(bb))和断裂韧性K_(Ic);研究结果表明,在JX-2-Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用,陶瓷刀具材料JX-2-Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。  相似文献   

17.
Al_(67)Mn_8Ti_(25)有序合金常温变形位错分解的计算机模拟分析戎咏华,吴晓华,陈小夫,陈世朴,胡赓祥(上海交通大学材料科学系,上海200030)常温脆性仍是Ll_2型Al_3Ti合金成为新一代航天航空材料的主要障碍。为此,了解其变形机制及变...  相似文献   

18.
高压超高压榴辉岩中绿辉石的超微构造研究*吴秀玲1,2孟大维1,2韩郁菁1韦必则1杨巍然1(1.中国地质大学,武汉4300742.中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室,沈阳110015)绿辉石[(Na,Ca)(Mg,Fe,Al)Si2O6]为榴...  相似文献   

19.
MOCVD生长大功率单量子阱激光器   总被引:2,自引:2,他引:0  
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.  相似文献   

20.
Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术   总被引:4,自引:0,他引:4  
为制备A1/PZT/Pt/Ti电容,研究了采用SF6/Ar等离子体对Pb(Zr,Ti)O3及Pt/Ti底电极进行反应离子刻蚀(RIE)的技术.较系统地研究了RF功率,SF6/Ar流量比及气压对刻蚀速率的影响,找到了对PZT及Ti进行RIE的优化工艺条件.在不同的条件下得到对PZT的刻蚀速率为2~7nm/min;采用纯Ar气体时Pt的刻蚀速率为2~6nm/min;对于Ti可用HCl及H2O2溶液进行腐蚀  相似文献   

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