X波段PHEMT功率单片放大器

报道了X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4.5mm×3mm.测试结果显示,在7.5V和1.5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.     

毫米波单片GaAs功率FET放大器

研制了总栅宽为400μm,输出功率高达200mW的毫米波单片GaAs功率FET放大器。这些放大器是用亚半微米栅FET制造的,采用了MBE生长的具有n~+接触层的外延材料。在FET设计中还采用了一种具有接地孔的源覆盖结构。在29GHz,34GHz,41GHz下得到的功率密度分别为0.75W/mm、0.5W/mm和0.45W/mm。     

甲类30W/8 Ω立体声前置主放大器Luxman L-590A

Luxman投入最新技术的甲类30W/8Ω立体声前置主放大器L-590A最近登场亮相。说它是甲类30W/8Ω功率放大器,其实并不是最大输出仅为30W/8Ω的甲类放大器,其自身的最大输出功率可达到80W。该机为了追求跃动感,放大器所加的电源电压比30W功率放大器所必需的电源电压还高,如果输出级工作状态改为甲乙类的话,最大输出功率可达80W。该机输出级的静态工作电流为1.37A,在8Ω负载甲类工作状态下输出功率为30W。因此准确地说,L-590A是一款在8Ω负载甲类工作状态可输出30W,甲乙类工作状态时可输出80W+80W的立体声前置主放大器。遥控器是该机的标…     

8GHz带有RC稳定网络的AIGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

设计了工作在8GHz的基于AIGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波ldB压缩点时的输出功率为PldB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.     

8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

设计了工作在8GHz的基于AIGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波ldB压缩点时的输出功率为PldB=43dBm(20W),线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.     

一种采用印制线巴伦技术的1kW高功率放大器

介绍了一种P波段1kW微波脉冲功率放大器.功率合成方式采用印制线巴伦,从理论上简单地分析了这种印制线巴伦功率合成技术,阐述了印制线巴伦的应用,并将其实用化.功率器件采用的是具有高增益特性的功率LDMOS器件,实现了该放大器的高增益设计.这种放大器有效地降低了高功率、高增益放大器的尺寸和成本,功放功率大于900 W,增益大于20 dB,尺寸≤222 mm×82 mm×20 mm.     

谁是最佳搭档? 试用3台不同品牌放大器驱动Focus Audio(枫叶之声)FC-7落地式音箱

<正>Focus Audio FC-7音箱:18000元/对Naim Nait 5i放大器:16800元/台Cambridge Audio Azur 840A放大器:15800元/台Cayin Venus VP-10i放大器:15000元/台Naim CD5x CD播放机:29500元/台成都西海电器行:028-86530789基本规格Focus Audio FC-7频响范围:35Hz～25kHz±3dB·灵敏度:86dB/1W/1m·额定阻抗:8Ω·推荐放大器功率:20W-300W·使用1只直径1英寸环形高音单元,1只直径7英寸长冲程Nomex音盆中低音单元·外形尺寸:高965mm×宽203mm×深254mm·重量:21.8kg     

基于大信号模型的L波段400W高效GaN功率放大器设计

文章阐述了用精确的GaN Angelov模型设计了一款L波段400W内匹配率放大器.选用SiC衬底的GaN器件是为了获得大功率输出以及高效率性能.为了精确设计放大器,采用脉冲I-V测试和多偏置的S参数测试建立起高压GaN大信号模型.采用模型设计的GaN放大器输入输出电路集成在17.4mm×24mm的封装管壳里.最终采用单枚55mm栅宽GaN管芯设计的放大器在48V漏压,100μs脉宽,10%占空比偏置下在1.2~1.4GHz输出功率大于400W,功率增益大于15dB,最高功率附加效率达到81.3%,这是国内L波段400W微波功率放大器的最高效率报道,验证了模型的准确度,实现了极好的电路性能.     

8GHz带有RC稳定网络的AlGaN/GaN HEMTs内匹配功率合成放大器的设计

设计了工作在8GHz的基于AlGaN/GaN HEMTs的内匹配功率合成放大器.输入和输出匹配电路制作在0.381mm厚的氧化铝陶瓷基片上,为了提高整个电路的稳定因子K,在电路输入端增加了片上RC有损网络.在8GHz测出连续波1dB压缩点时的输出功率为P1dB=43dBm（20W）,线性增益7.3dB,最大PAE为38.1%,合成效率达到70.6%.     

2～8GHz宽带GaN功率放大器MMIC

基于0.25μm Ga N HEMT工艺,研制了一款两级拓扑放大结构的2~8 GHz宽带功率放大器MMIC(单片微波集成电路)。MMIC所用Ga N HEMT器件结构经过优化,提高了放大器的可靠性和性能;电路采用多极点电抗匹配网络,扩展了放大器的带宽,减小了电路的损耗。测试结果表明,在2~8 GHz测试频带内,在脉冲偏压28 V(脉宽1 ms,占空比30%)时,峰值输出功率大于30 W,功率附加效率大于25%,小信号增益大于24 d B,输入电压驻波比在2.8以下,在6 GHz处的峰值输出功率达到50 W,功率附加效率达到40%;在稳态偏压28 V时,连续波饱和输出功率大于20 W,功率附加效率大于20%。尺寸为4.0 mm×5.0 mm。