机载导弹贮存寿命评估方法研究

机载导弹是长期贮存、多次挂飞、一次使用的可维修产品。贮存寿命是机载导弹的重要指标之一,确定和延长机载导弹贮存寿命对保持装备战斗力具有重要作用。结合我国装备定延寿技术发展特点,对机载导弹贮存阶段经历的环境应力进行分析,选择加速试验模型,确定加速应力和试验时间,通过开展加速寿命试验,有效地评估了机载导弹的贮存寿命。并对机载导弹贮存寿命评估的关键技术与发展方向进行了分析,为评估方法的优化奠定了基础。     

半导体器件贮存可靠性快速评价方法

为解决复杂环境下半导体器件的贮存可靠性评估问题,结合半导体器件的贮存失效机理及其寿命-应力模型,提出了基于多贮存应力加速寿命试验的半导体器件贮存可靠性评估方法。在此基础上,以某款中频对数放大电路为研究对象,通过对加速寿命试验结果的分析,获得了电路在规定贮存时间下的可靠度。     

长期贮存寿命评估方法研究

报告了长期贮存寿命常用的两种评估方法(自然贮存试验评估和加速寿命试验评估)的研究现状,从工程应用角度实际使用出发,对自然贮存试验转化为类比法试验评估方法进行了研究,避免了自然贮存试验周期过长的缺点并保留了其真实性。同时,对加速寿命试验模型阿列尼乌斯方程的推导分析和建模应用进行了研究。     

基于加速退化晶体管贮存寿命的评估

为探求快速评价国产晶体管长期贮存寿命的方法,对国产3DK105B型晶体管开展了加速退化试验的分析和研究。通过三组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验,确定了晶体管的失效敏感参数,利用其性能退化数据外推出样品的寿命;给出了常见的三种分布下的平均寿命,并结合Peck温湿度模型外推出自然贮存条件下本批晶体管的贮存寿命。最后分析了试验样品性能参数退化的原因。试验结果可以为评估国产晶体管的贮存可靠性水平提供一定的参考。     

基于加速性能退化的元器件贮存寿命预测

提出了基于加速性能退化的元器件贮存寿命预测流程,重点对元器件退化轨迹模型的建立和加速退化试验数据处理方法进行了研究。应用非线性的曲线拟合法来建立退化轨迹模型,并评价其拟合优度。加速退化试验数据的处理主要应用伪寿命分布与加速退化模型拟合的方法。从而外推正常应力水平下元器件的贮存寿命。最后,应用所提出的贮存寿命预测方法对某型钽电容的贮存寿命进行了预测。并验证了该方法具有一定的效用性。     

微型杜瓦组件真空加速寿命试验的研究

微型杜瓦封装是红外焦平面探测器组件的封装形式之一,而真空寿命则是红外焦平面杜瓦组件的关键技术指标之一。通过分析影响杜瓦真空寿命的因素,建立了适合微型杜瓦真空寿命的加速试验模型,确定了其加速应力和水平,并用实验数据的统计分析方法对杜瓦的真空寿命可靠性分布作了进一步的估计。     

基于加速退化模型的加速度开关贮存寿命评估

贮存寿命是长使用周期、高可靠性产品的重要考核指标之一。为评估某型加速度开关的贮存寿命,该文采用温度应力四量级水平恒定应力加速试验方法研究了加速度开关的退化过程,并将阿伦尼斯加速模型与漂移布朗运动相结合,建立了产品的可靠性模型。最后采用极大似然和最小二乘法对试验数据进行了拟合分析。结果表明,某型加速度开关在100℃的加速量级下,其等效贮存年限可达33年,满足产品有效贮存期的要求。     

GaAs红外发光二极管加速寿命试验研究

本文采用步进应力的试验方法设计了一个针对GaAs红外发光二极管的可靠性加速寿命的研究方案.这种方法主要是把步进应力和恒定应力两种方法相结合,用此来评估GaAs红外发光二极管的可靠度;然后总结除了GaAs红外发光二极管这种光电器件的寿命分布形式和失效模式.     

单一失效机理引起的元器件贮存寿命评价方法研究

电子元器件长期贮存过程发生的失效是由多种失效机理共同作用的结果．以器件贮存寿命整体为基础的寿命评价难度很大。选择对器件贮存寿命影响最大的单一失效机理．以失效物理为基础．通过高加速应力试验进行寿命评价研究,获得的寿命可以较准确地反映器件真实的贮存寿命。单一失效机理贮存寿命的研究是元器件贮存可靠性工作的重要内容。     

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

贮存可靠性是元器件可靠性研究的重要方面.阐述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析.     

基于BRM的白光OLED恒定与步进应力加速寿命试验研究

为了获得白光OLED的寿命信息,通过加大电流应力开展了二组恒定和一组步进应力相组合的加速寿命试验。采用威布尔函数描述白光OLED的寿命分布,利用双线性回归法(BRM)估计出威布尔参数,确定了加速寿命方程,对白光OLED寿命是否符合威布尔分布进行了Kolmogorov-Smirnov检验,并利用自行开发的寿命预测软件计算出平均寿命和中位寿命。数值结果表明,恒定步进应力加速寿命试验方案是切实可行的,白光OLED的寿命服从威布尔分布,寿命应力关系满足线性Arrhenius方程,精确计算的加速参数可实现在短时间内OLED寿命的预测。     

基于可靠性试验的InSb红外探测器失效机理研究

对于芯片加速寿命可靠性试验来说,温度是其中最重要的一环。首先,立足于芯片可靠性试验中温度的变化,探究高温烘烤对InSb红外探测器芯片光电性能的影响;然后对盲元的类型进行了分类,并总结出了像元损伤的可能原因;最后利用有限元分析软件对探测器结构进行了热应力仿真和分析,进一步明确了芯片碎裂的机理。由仿真结果可知,芯片中心位置受力较大,其值在680 MPa左右,这与InSb探测器中心位置易发生疲劳失效现象相吻合。提供了一种研究InSb探测器失效机理的新思路,对于高性能InSb红外探测器的研制具有一定的实际指导意义。     

大电流应力下环形腔气体激光器的寿命特性

为了获得环形腔气体He-Ne激光器寿命分布规律及试验方法,文中在已有试验的基础上,假设环形激光器的工作寿命分布规律,在大电流应力下仍符合威布尔分布。采用恒定应力加速寿命试验方法,在最短的试验时间得到一批寿命试验数据,并利用拟最优线性无偏估计方法对数据进行处理,得到环形激光器的寿命参数。运用此方法可以快速、准确地估计出环形激光器的寿命。     

真空荧光显示屏恒定及步进应力加速寿命试验的研究

为了解决在较短的时间内预测真空荧光显示屏（VFD）寿命的问题,降低寿命预测成本,通过加大灯丝温度进行了恒定和步进应力相组合的加速寿命试验,研究制定了其加速寿命试验的设计方案。应用威布尔分布函数描述其寿命分布,利用最小二乘法完成了试验数据的统计和分析,并开发了寿命预测软件。研究结果表明．试验设计方案是正确可行的,VFD的寿命服从威布尔分布,其加速模型符合阿伦尼斯方程,加速参数的精确计算确保以后在很短的时间内便可估算出VFD在正常应力下的寿命。     

电子元器件的贮存可靠性及评价技术

综述了国内外元器件的贮存可靠性研究现状,分析了元器件贮存失效模式及原因,表明减少元器件自身缺陷、改善固有可靠性是提高其贮存可靠性的关键。并从应用性角度出发,对现场贮存、长期自然贮存试验、极限应力、加速贮存寿命试验等贮存可靠性评价技术进行了对比分析。     

航天InGaAs短波红外探测器步进应力加速寿命试验研究

随着航天应用InGaAs短波红外探测器的迅速发展,其可靠性问题日益突出。选择温度为加速应力,通过步进应力加速寿命试验方法对800×2双波段集成的InGaAs焦平面探测器进行了研究,获得了InGaAs焦平面模块失效机理保持不变的最大温度应力范围和失效模式,利用温度斜坡模型计算得到了样品的失效激活能,为进一步研究该器件的可靠性问题提供了依据。     

集成式杜瓦组件真空寿命评测及影响因素分析

制冷机集成式金属杜瓦组件已广泛应用于256×256以上规模的红外焦平面阵列器件,杜瓦真空寿命成为制约探测器性能的关键指标。本文针此金属杜瓦组件通用结构,用氦漏率检测、静态热负载测试及高温加速实验等多种方法对杜瓦真空寿命进行了评测,并分析了影响杜瓦真空寿命的主要因素,对金属杜瓦研究具有实际意义。分析表明,真空寿命的主要影响因素包括漏气和放气,制造工艺改进可将金属杜瓦漏气控制在设计指标内,金属杜瓦内部放气可通过真空烘烤、安装吸气剂等方法消除,研制的杜瓦组件经验证真空存储寿命超过12年。