多层布线低温陶瓷基片

随着混合集成电路的发展,单面布线或双面布线已不能满足要求,陶瓷多层布线基片就接着问世。陶瓷多层基片一开始以烧结氧化铝基片为基础,在基片上交替印刷导体浆料和一层绝缘浆料而成,为了防止导体和绝缘浆料相互交混,印一次导体或绝缘层就得单独烧结一次。这种工艺称为干结工艺。另外一种工艺是以氧化铝     

MCM-C多层基板技术及其发展应用(续二)

3三种MCM-C多层基板技术的对比 　　厚膜多层技术与共烧陶瓷技术的主要区别在于:厚膜多层布线需要一个基片作为支撑点,以及厚膜多层布线需要逐层依次制造.每一布线层需要印刷6次,其中包括独立印烧介质层3次(有时4次)、填充通孔2次及印刷导体1次. 　　……     

影响厚膜导体附着力的几种因素

厚膜导体是厚膜混合集成电路中的一个重要组成部分,在电路中起有源器件的互连线、多层布线、电容器电极、外贴元器件的引线焊区、电阻器端头材料、低阻值电阻器、厚膜微带等作用.在厚膜混合集成电路的生产过程中,为了评价成膜基片的性能及焊接的效果,在做剪切强度测试时,经常会遇到焊盘脱落现象,这给厚膜电路的产品质量带来很大隐患.文章通...     

基片作电容介质碳树脂作电阻的厚膜电路

<正> 国内的厚膜电路大多采用丝网印刷方法,在低介电系数氧化铝陶瓷基片上制作导体和电阻,外贴电容和晶体二极管、三极管、芯片,制成混合集成电路。这种传统的厚膜工艺生产效率低,影响了成本的下降。笔者在国外样品的启发下,用基片兼作电容器介质,碳树脂作电阻,设计试制了一种新的低成本厚膜阻容网络,应用于高频振荡     

低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术

微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术.为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100 μm以内.基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术.通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度.     

厚膜多层布线技术及其应用

厚膜多层布线工艺,又称为二次集成技术.其特点是在氧化铝陶瓷基片上装配厚膜多层电路装置.其方法是将电路的导体图形和绝缘玻璃层连续通过丝网漏印、烧结在基片上.二层或更多层导线通过玻璃绝缘层,一层层地进行隔离.同时,在绝缘介质层中的窗口和通道上把TTL、ECL、MOS等硅集成半导体电路,采用键压工艺,组装在厚膜多层布线的窗口中以实现二次集成完成电路的整个功能.     

日本混合微电路市场扩展迅速

<正> 典型的厚膜混合微电路是通过在基片上形成厚膜导体图形和电阻器而生产的。基板上装上IC、LSI和分离半导体片、电容器、线圈及其它电子部件,电路密封采用树脂、金属或陶瓷,在一块母板上装配高密度部件,形成块状结构,被定义为混合微电路。也可看作是在陶瓷基板上把各种部件组织起来的一种“混合技术”形式。     

氧化铝基片对厚膜钯银导体附着力的影响

本文主要介绍了厚膜混合集成电路中氧化铝基片对钯银导体附着力的影响。试验发现不同厂家或不同批次的氧化铝基片的钯银的附着力有很大的差别，不同的钯银浆料在相同的基片上的附着力也不同。     

国外厚薄膜电路水平综述——厚薄膜电路发展概况(一)

<正> 1.国外的生产情况 厚薄膜混合集成电路(简称厚薄膜电路)是把IC半导体或分立元件组装到厚薄膜基片上的微型电路。混合集成技术经过二十     

同一基片上制作两种薄膜方阻的电阻研究

薄膜混合集成电路与厚膜混合集成电路相比，其方阻的单一性影响了其更广泛的应用。本文介绍了在同一个薄膜基片上，用Cr-SiO材料制作高方阻电阻，用NiCr、Cr-SiO并联的方法制作小方阻电阻。通过实验及可靠性考核，制出了高精度、高可靠性的具有双方阻结构的混合集成电路薄膜电阻成膜基片。