铁氧体永磁材料的研究现状

铁氧体永磁材料因具有良好的磁性能以及性价比高等优点成为了当前永磁材料中的热点研究对象。本文从结构与特性、制备方法、磁性能调控方法、应用现状等几个方面综述了铁氧体永磁材料的研究进展,并对铁氧体永磁材料的发展做出了展望。     

利用混合Fe源制备M型锶铁氧体

以α-FeOOH和a-Fe_2O_3为混合Fe源,采用氧化物法制备名义成分为SrFe_(12)O_(19)的六角晶系M型锶铁氧体,并采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、傅里叶红外光谱和振动样品磁强计等对其结构和磁性能进行研究。结果表明:Fe源对M型SrFe_(12)O_(19)铁氧体的相形成影响不大,但对其饱和磁化强度和矫顽力有很大影响;与采用α-FeOOH作为单一Fe源制备的SrFe_(12)O_(19)样品相比,混合Fe源样品的饱和磁化强度略低,但其矫顽力明显上升。本研究为提高SrFe_(12)O_(19)铁氧体的磁性能提供了新途径。     

镝铁氧体磁流体磁性能的研究

用化学共沉淀法制备了稀土镝复合铁氧体微粒，经表面活性剂包覆后悬浮于载液中得到了磁性液体．研究了操作温度、镝的用量、pH值及表面活性剂用量等主要工艺参数对磁性能的影响，确定了影响镝铁氧体磁流体饱和磁化强度的主要因素，并从理论上进行了分析和解释。     

CoFe2O4纳米线阵列的制备与性能表征

采用Sol-gel法在孔径分别为50nm和200nm的AAO模板中制备高度有序的CoFe2O4纳米线阵列。用SEM、TEM和HRTEM对纳米线阵列的形貌和结构进行了表征。对钴铁氧体纳米线阵列进行磁性能研究，结果表明，CoFe2O4纳米线阵列没有择优取向性，但直径为50nm的钴铁氧体纳米线阵列的矫顽力大于直径为200nm的钴铁氧体纳米线的矫顽力，这是由于AAO模板的纳米孔道对材料的限域效应引起的。     

自蔓延高温合成镍铜锌铁氧体粉体研究

为了研究低成本大批量生产制备NiCuZn铁氧体的方法,采用自蔓延高温合成(SHS)工艺制备了Ni0.25Cu0.25zn0.5Fe1.96O3.94粉体,将铁氧体粉体分别在800℃、850℃、900℃进行热处理.以XRD、SEM、TG-DSc、振动样品磁强计(VSM)等手段分别对产物的物相、微观结构和磁性能进行研究.结果表明,SHS制备的NiCuZn铁氧体粉体经900℃热处理后可以转变成单一的尖晶石相,所得铁氧体粉体结构完整,矫顽力达到最小值,Hc=72.3Oe,同时饱和磁化强度达到最大值,Ms=68.34emu/g.     

Co掺杂浓度对SiC薄膜磁性能的影响

为了研究掺杂元素Co对SiC薄膜磁性影响,采用磁控溅射技术制备了不同Co含量的SiC薄膜。采用XRD、X光电子能谱和理性质测试系统对薄膜结构、成分和磁性进行表征。分析表明,薄膜具有3C-SiC晶体结构,随着掺杂元素Co增加,3C-SiC晶体特征峰向小角度移动。掺杂元素以Co~(2+)形式存在,形成CoSi第二相化合物,随着Co掺杂浓度增加,CoSi第二相化合物含量增多。磁性测试显示,掺有Co元素的SiC薄膜在室温下具有铁磁性,随着Co含量增加,薄膜的饱和磁化强度先增大后减小。掺杂Co原子进入SiC晶格后形成的缺陷是产生薄膜磁性的原因,属于掺杂缺陷诱导产生的铁磁性,而第二相化合物CoSi抑制了薄膜的铁磁性。     

利用稀土镝对Fe3O4纳米磁粒子改性的研究

采用湿化学法制备了稀土镝铁氧体纳米磁粒子,并用月桂酸进行了表面修饰。利用透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）等仪器对产物进行表征,研究Dy3＋的掺杂对Fe3O4纳米磁粒子磁性能的影响;同时对镝铁氧体磁粒子形貌、粒径分布、晶型结构进行了分析。结果表明,用适量的稀土Dy3＋对Fe3O4纳米磁粒子进行掺杂,可以显著地提高其磁性能,且晶型结构不变;制备的镝铁氧体磁粒子的平均粒径约13.2nm,表面修饰后的磁粒子室温下的饱和磁化强度为189.4mT,具有超顺磁性。     

溶胶-凝胶自蔓延法制备镍掺杂Zn_2-Y铁氧体及其磁性能研究

以金属硝酸盐为原料、柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶自蔓延法制备片状镍掺杂Zn2-Y铁氧体BaNi0.5Zn1.5Fe12O22和Zn2-Y铁氧体BaZn2Fe12O22。采用XRD、SEM、VSM和VNA技术,探讨镍掺杂对Zn2-Y铁氧体的物相组成、颗粒形貌、静磁性能和电磁性能的影响。结果表明,镍离子引入,使饱和磁化强度Ms增大,在10~18GHz频率范围内,磁损耗增强,介电损耗减小。     

因子设计在锶铁氧体添加剂优化中的应用

在梅山YF30锶铁氧体预烧料的基础上,通过优化组合常规添加剂及分散剂,获得综合磁性能符合行业标准"Y30H—2"水平的铁氧体永磁样品。     

添加剂对锰锌铁氧体纳米晶水热制备的影响

均匀的共沉淀前驱体是通过水热法制备相锰锌铁氧体的前提,通过加在加剂,制备了无杂相,团聚程度低、结晶度完好、粒度分布窄,粒径为１０～２０ｎｍ的单相以及具有较好磁性能的锰锌铁氧体纳米晶,此外,对产物进行了热稳定性研究,结果表明其具有良好的烧结活性,烧结温度在空气中为８７０℃,在氩气中为１１５０℃。     

高磁导率MnZn铁氧体的研究进展

MnZn铁氧体是一种重要的磁性材料.20世纪30年代以来,由于该材料固有的特性,人们对这种材料产生了浓厚的兴趣,并开展了广泛的研究.MnZn铁氧体的磁学性能与该材料的成份和组织有着密切的关系,MnZn铁氧体的制备方法也对其性能有着显著的影响.介绍了高(μMnZn铁氧体的研发历史和该材料在信息产业发展过程中的意义和作用,同时从配方优化、烧结工艺、测试方法等方面综述了目前国内外的研究与发展现状.通过对MnZn铁氧体的研究进展的总结,将有助于对高性能磁性材料开展深入的研究.     

Sputtering preparation and magneto-optical properties of GdTbFeCo thin films

Amorphous GdTbFeCo magnetic thin films were successfully prepared on glass substrates by RF magnetron sputtering system from a mosaic target.The influences of sputtering parameters on the magneto-optical properties GdTbFeCo thin film were investigated by the variable control method.And the influence mechanism was analyzed in detail.After the sputtering parameters were optimized,it was found that when the distance between target and substrate was 72 mm,the thin film thickness was 120 nm,and the sputtering power,sputtering pressure and sputtering time was 75 W,0.5 Pa and 613 s,respectively,the coercivity with perpendicular anisotropy could be as high as 6735 Oe,and the squareness ratio of the hysteresis loop was almost equal to 1.     

射频反应溅射制备SnO2薄膜机理研究

SnO2薄膜的成膜机制是研究其结构的一项重要内容，本文就射频反应溅射成膜过程中影响成膜质量的因素进行了讨论，给出了薄膜形成过程的初步模型，分析了影响薄膜成长和特性的因素。     

Effect of Ag addition on the microstructure and magnetic properties of FePt thin films

FePt thin films and [FePt/Ag]n multilayer thin films were prepared by magnetron sputtering technique and subsequent annealing process. By comparing the microstructure and magnetic properties of these two kinds of thin films, effects of Ag addition on the structure and properties of FePt thin films were investigated. Proper Ag addition was found helpful for FePt phase transition at lower annealing temperature. With Ag addition, the magnetic domain pattern of FePt thin film changed from maze-like pattern to more discrete island-like domain pattern in [FePt/Ag]n multilayer thin films. In addition, introducing nonmagnetic Ag hindered FePt grains from growing larger. The in-depth defects in FePt films and [FePt/Ag]n multilayer films verify that Ag addition is attributed to a large number of pinning site defects in [FePt/Ag]n film and therefore has effects on its magnetic properties and microstructure.     

Microstructures and magnetic properties of [SiO2/FePt]5/Ag thin films

[SiO2/FePt]5/Ag thin films were deposited by RF magnetron sputtering on the glass substrates and post annealing at 550 ℃ for 30 min in vacuum. Vibrating sample magnetometer and X-ray diffraction analyser were applied to study the magnetic properties and microstructures of the films. The results show that without Ag underlayer [SiO2/FePt]5 films deposited onto the glass are FCC disordered; with the addition of Ag underlayer [SiO]FePt]5/Ag films are changed into L10 and （111） mixed texture. The variation of the SiO2 nonmagnetic layer thickness in [SiO2/FePt]5/Ag films indicates that SiO2-doping plays an important role in improving the order parameter and the perpendicular magnetic anisotropy, and reducing the grain size and intergrain interactions. By controlling SiO2 thickness the highly perpendicular magnetic anisotropy can be obtained in the [SiO2 （0.6 nm）/FePt （3 nm）]5/Ag （50 nm） films and highly （001）-oriented films can be obtained in the [SiO2 （2 nm）/FePt （3 nm）]5/Ag （50 nm） films.     

Dysprosium Modification of Cobalt Ferrite Ionic Magnetic Fluids

Dysprosium composite cobalt ferrite ionic magnetic fluids were prepared by precipitation in the presence of Tri-sodium citrate. Influence of dysprosium modification on magnetic property is studied. The result shows that magnetic response toward exterior magnetic field can be improved by adding Dy^3＋. Studies also show that the increase of reaction temperature may improve the modification effect of dysprosium. By adding dysprosium ions, the average diameter of the magnetic nanoparticles will be decreased evidently. It is clear that the particles appear as balls, Cobalt ferrite with sizes of 12-15 nm, rare earth composite cobalt ferrite with sizes of 6-8 nm.     

Er／Yb／Al掺杂ZnO薄膜的结构与形貌研究

采用射频磁控溅射技术在室温下Si衬底上制备了ZnO薄膜和Er／Yb／Al掺杂的ZnO薄膜。通过对XRD的结构分析表明：未掺杂ZnO薄膜沿c取向性生长,掺杂ZnO薄膜偏离了正常生长,变为（102）取向性生长的纳米多晶结构;Er／Yb／Al掺杂的ZnO薄膜的晶粒尺寸随着Er元素含量的增多而减小。经AFM对其形貌分析表明：Er^3＋、Yb^3＋、Al^3＋的掺入引起了ZnO薄膜晶格场变化,使薄膜表面粗糙度变大。     

不同溅射时间下AlN缓冲层对ZnO薄膜的影响

实验采用射频磁控溅射技术,制备了不同溅射时间下AlN缓冲层的ZnO薄膜,研究了薄膜的结构、形貌及电学性能.结果表明,不同溅射时间下AlN缓冲层ZnO薄膜的生长依然是(002)择优取向,而且当缓冲层溅射时间为60min时,ZnO薄膜的结构和电学性能最好.     

RF反应溅射制备SnO2膜及退火效应影响

采用射频反应溅射技术 ,分别在Si单晶及 70 5 9玻璃基片上沉积SnO2 薄膜。X射线衍射测量结果表明 ,主要结构为非晶态。对样品进行了退火处理 ,发现随着退火温度的升高 ,各衍射变高变锐 ,结晶度提高 ,薄膜逐步过渡到多晶态的结构 ,高于一定的退火温度时薄膜呈现四方金红石结构 ,并具备 (10 1)方向的取向特征。研究了退火条件与薄膜结构的关系 ,初步讨论了薄膜择优取向的机制