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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 217 毫秒
1.
针对宽带低噪声放大器带宽内增益波动性大的问题,设计一种平坦高增益的宽带低噪声放大器。采用两级放大器级联形式,在第一级放大电路中引入负反馈电路,设计ATF-54143的偏置电路并分析其稳定性。在两级放大电路之间添加增益补偿网络,改善宽带低噪声放大器的阻抗匹配和增益平坦度。仿真结果表明,在0.9~2.5GHz频率范围内,该宽带低噪声放大器的增益为(30.0±0.3)dB,噪声系数小于1.5dB,输入、输出反射系数均小于-10dB,达到设计要求。在误差允许范围内,实物测试结果与仿真结果相符合。  相似文献   

2.
该文根据对晶体管结构和低噪声放大器原理的分析,利用ADS软件设计了一个低噪声放大器。通过采用HBT晶体管,设计偏置电路、负反馈电路和输入输出匹配电路,实现在2GHz频率下,低噪声放大器绝对稳定,增益大于13dB,噪声系数低于1.0dB,输出驻波比小于1.3,输入驻波比小于2.5。  相似文献   

3.
利用ADS仿真软件设计低噪声放大器的方法及主要步骤,使用ADS器件库中的sp模型,重点进行了输入和输出匹配电路的设计.低噪声放大器工作在L波段,噪声系数小于1.8dB,增益大于13dB.通过设计可以看出,利用ADS进行微波电路仿真,可以很方便的得出最佳电路设计,指标完全符合规定值.  相似文献   

4.
利用Advanced Design System(ADS)完成了L波段低噪声放大器(LNA)的设计。分析了实际电路可能产生的非连续性、寄生参数效应等因素对电路各个性能指标的影响,并针对这些因素利用ADS进行了电磁仿真计算,最后给出了放大器的仿真结果和最终电路及测试结果。采用ATF-35143器件设计,达到了预定的技术指标,工作频率1.21GHz,增益G大于14dB,噪声系数NF小于0.5 dB,输入1dB压缩点大于5dbm。  相似文献   

5.
设计了一个应用于超宽带(UWB)系统的3~5 GHz超宽带低噪声放大器.电路由二阶切比雪夫滤波器,电阻并联反馈,两级共源共栅结构,源级跟随器组成.低噪声放大器采用0.18 mCMOS工艺进行设计,利用ADS 2006 A进行仿真.结果表明,低噪声放大器在3~5 GHz带宽范围内噪声系数(NF)小于2dB,功率增益在23.9~24.8 dB之间,输入端口反射系数小于-10dB,输出端口反射系数小于-15dB,IIP3为-11dBm在1.8 V的电源电压下,核心电路功耗为10 mW.  相似文献   

6.
设计了一种宽带CMOS低噪声放大器(LNA)。采用基于前馈原理抵消噪声的CG(共栅)结构,其频率范围覆盖电视调谐器的频道范围(50~900 MHz)。相比传统的电阻负反馈低噪声放大器,提出的放大器电路具有更好的性能指标。在工作频率内,电压增益(S21)大于14.3 dB,S11小于-11.3 dB,噪声系数(NF)低于2.87 dB,增益1 dB压缩点为-4.4 dBm,输入参考三阶交调点(IIP3)高于5 dBm。  相似文献   

7.
介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中,使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化,仿真结果是低噪声放大器在2.44GHz的工作频率下,增益G>11dB,噪声系数NF<1.3.  相似文献   

8.
介绍了高增益低噪声信号放大电路的设计与研究,并给出了可变增益放大器LMH6505和运算放大器AD8041的工作原理.根据增益可变的要求,以AD8041和LMH6505为核心,通过Pspice软件对设计电路进行仿真,分析和验证了设计电路的可行性,并以此为基础对实际电路进行了测试与研究,完成了120dB大动态范围、工作频率为1MHz至10MHz的信号放大电路的设计.  相似文献   

9.
一种基于TSMC 0.18μm CMOS工艺的5.1GHz频率下的CMOS低噪声放大器。采用源极电感负反馈共源共栅电路结构,使放大器具有较高的增益和反相隔离度,保证较高的品质因数和信噪比。利用ADS对电路进行调试和优化,设计出低功耗、低噪声、高增益、高稳定性的低噪声放大器。通过ADS软件仿真得到较好的结果:在1.8V电压下,输入输出匹配良好,电路增益为16.12dB,噪声系数为1.87 dB,直流功耗为9.84mA*1.8V。  相似文献   

10.
介绍了S波段低噪声放大器(LNA)的设计原理,阐述了利用电感串联反馈技术来实现放大器的噪声系数和输入匹配相互矛盾的两方面达到较好的折中,使得电路的结果达到最优。电路在Agilent公司的射频设计软件ADS2003进行仿真和优化,仿真结果是低噪声放大器在2.44GHz的工作频率下,增益G>11dB,噪声系数NF<1.3.  相似文献   

11.
设计了一种基于共源结构的两级级联超宽带低噪声放大器.该低噪声放大器采用了源端电感和四分之一阻抗变换器,在不恶化电路噪声系数的情况下具有较好的输入匹配.通过使用GaAs赝调制掺杂异质结场效应晶体管( pHEMT)器件,在PCB板上实现了低噪声放大器的加工,加工测试结果与原理图仿真结果基本符合.测试结果表明,该低噪声放大器的增益达到12±1.5 dB,最小噪声系数为1.8 dB,输入输出匹配结果良好.  相似文献   

12.
为了优化设计的5.8 GHz低噪声放大器(LNA)后仿真的各项性能指标,分析了LNA各部分寄生效应对整个电路噪声系数和增益的影响,提出了电路设计和版图设计中应采取的各种措施,使优化后的后仿真结果与前仿真结果基本一致.在考虑MOS管栅电阻和栅感应噪声电流的情况下,后仿真噪声系数为1.6 dB,前向增益为13.7 dB,功耗为8.3 mW,达到了802.11a系统集成的要求.最后给出了LNA版图和后仿真结果.  相似文献   

13.
基于100 nm的氮化镓(Gallium Nitride, GaN) 高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor, HEMT) 工艺设计了一款毫米波低噪声放大器(Low Noise Amplifier, LNA) 单片式微波集成电路(Monolithic Microwave Integrated Circuit, MMIC) 芯片。该款低噪声放大器采用三级级联的拓扑结构,对带宽、噪声和增益进行了联合优化设计。测试结果显示,工作频率范围覆盖24~30 GHz,可兼顾5G毫米波n257(26.5~29.5 GHz) 和n258(24.25~27.5 GHz) 频段,噪声系数可达到2.4~2.5 dB的水平,小信号增益在21.1~24.1 dB之间,输出1 dB功率压缩点大于14.4 dBm的水平。  相似文献   

14.
利用Aglient-ADS软件,设计了一个频段在0.1~2GHz的超宽带低噪声放大器.选用噪声较小稳定度较高的BFP420晶体管,采用两级反馈式的设计原理并用ADS软件进行建模,优化以及S参数和谐波平衡仿真,获得增益大于29dB、噪声系数NF1.5dB的仿真结果.最后通过精心调试,使得测试结果和仿真结果达到了很好的一致性.  相似文献   

15.
介绍了一种工作于GPS的L1、L2频段和GLONASS的G1、G2频段,并具有内外置天线切换功能的新型双射频低噪放大电路,其中改进了低噪放大电路的结构,明显提高了其带外抑制量,使其具有更好的抗干扰能力,并采用了新型的内外置天线切换电路,解决了外置天线接口对内置天线信号的影响问题.仿真结果表明,该新型双射频低噪放大电路具有较低的噪声系数、较高的增益平坦度和带外抑制能力,并且稳定性很好.制作了该电路的印制板,并对其进行调试和测试,其主要技术参数的测试结果与仿真结果比较符合,从而验证了该新型双射频低噪放大电路所具有的良好特性,而且所制作的电路样品结构紧凑、占用PCB板面积较小,非常适合于手持式高精度定位接收机.  相似文献   

16.
为了同时满足无限局域网(wireless local area network,WLAN)和新一代无限保真(wireless fidelity,WIFI)无线通信标准,设计实现了一款增益可多重调节的低功耗双频段低噪声放大器(dual-band low noise amplifier with multiple gain-tunability,MGT-DBLNA).输入级采用串-并联谐振滤波网络以实现双频段输入匹配.放大级采用可调谐的有源电感作负载和偏置电压可变的电流复用结构,一方面,可通过调节有源电感的外部偏压和偏置电路的电压2种不同方式,对MGT-DBLNA的增益进行单独或联合调节,另一方面降低了功耗.输出级采用由电流镜以及共集电极放大器构成的可控缓冲器,可实现增益的进一步调节.基于WIN 0.2μm Ga As HBT工艺库进行验证,结果表明:在不同工作频率2.4、5.2 GHz下,MGT-DBLNA的增益(S21)可分别在3.9~12.3 d B、12.6~20.2 d B范围内调节;输入回波损耗(S_(11))与输出回波损耗(S_(22))均小于-10.0 d B;噪声系数(noisefigure,NF)小于3.4 d B;在5.0 V的工作电压下,静态功耗小于20.0 m W.所提出的MGT-DBLNA不仅实现了增益的大范围调节,同时也降低了功耗.  相似文献   

17.
为了满足密集波分复用技术发展的需要,提出了用40nm的分布喇曼放大器实现低噪声、宽带放大的方案,用光谱分析仪测量了单模光纤的自发喇曼散射谱,实验研究了喇曼放大器的增益、噪声指数和饱和状态下的功率转换效率特性,开关增益大于8.5dB,等效噪声指数小于-0.3dB.  相似文献   

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