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高选择和自终止多也氧化硅SOI技术研究 总被引:2,自引:1,他引:1
本研究了n型硅阳极化的高选择和终止工艺,并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离SOI结构。采用这种PIPOS(Full Isolation by Porons Oxidizde Siilcon)技术在n^-/n^+/n^-/衬底上形成的SOI(Silicon On Insulator)结构,其顶层硅岛厚度可控制在较广范围(从100nm到数μm),且硅岛宽度可大于100μm.XTEM结果显示顶层硅/氧 相似文献
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