白光LED照明用新型荧光粉的制备和性能研究

首次报道利用高温固相法结合超声波分散技术合成了Sr3-xMgSi2O8：xEu2＋高亮度白色荧光粉,并对其发光性能进行了研究。该荧光粉在近紫外光激发下发出较强的白光,发射光谱由两个主峰组成,分别位于468.4nm和546.0nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的Eu2＋离子的5d-4f电子的跃迁发射,从而在单一基质中混合得到了白光,这两个发射峰所对应的激发光谱均分布在250nm-450nm的紫外区,该荧光粉可以被具有400nm的近紫外光发射的InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发而产生白光,是一种性能良好的很有前途的单一基质白光LED照明用稀土荧光粉。     

SrMoO_4：0.05Eu~（3＋）,0.05Gd~（3＋）的制备及发光性能研究

分别采用化学沉淀法、微波法、水热法制备了SrMoO4：0.05Eu3＋,0.05Gd3＋荧光粉,并通过X-射线粉末衍射（XRD）、荧光光谱和扫描电子显微镜（SEM）对其晶体结构、荧光光谱和形貌进行了表征。结果表明：SrMoO4：0.05Eu3＋,0.05Gd3＋的结构属体心四方晶系;其宽激发带由Eu3＋-O2-、Gd3＋-O2-电荷迁移带和Mo6＋-O2-基质吸收峰组成,荧光发光以在616nm处Eu3＋的5 D0→7 F2跃迁引起的红光发光最强;254nm紫外光激发时,化学沉淀法制备SrMoO4：0.05Eu3＋,0.05Gd3＋的发光峰比SrMoO4：0.05Eu3＋的相应发光峰强度增大,这是由于Gd3＋向Eu3＋的能量传递敏化增强了Eu3＋的发光。     

水热法制备SrF2：Ce^3＋，Tb3^＋荧光粉及其发光性质研究

采用水热法合成了具有立方相结构的Ce^3＋、Tb^3＋共掺杂的SrF2发光材料SrF2：Ce^3＋，Tb^3＋，利用粉末X射线衍射（XRD）对其结构进行了表征，并研究了掺杂量、水热反应时间、激发波长对SrF2：Ce^3＋，Tb^3＋发光性质的影响。荧光光谱研究结果表明，SrF2：Ce^3＋，Tb^3＋在254nm波长紫外光激发下呈Tb^3＋的蓝绿光发射，存在Ce^3＋一Tb^3＋的能量转移现象；改变激发波长，出现了Ce^3＋和Tb^3＋共存于同一基质分别发光的现象，对应于Ce^3＋的4f-5d、Tb^3＋的5D4→7F5跃迁发光；水热反应时间和Ce^3＋、Tb^3＋掺杂量均能改变Tb^3＋的5D4一7F6、5D4一7F5跃迁峰的发光强度。     

Li_2ZnSiO_4∶Eu~(3+)红色荧光粉的制备及其发光性能

采用溶胶-凝胶法合成了适合于近紫外激发的Li2ZnSiO4∶Eu3+红色荧光粉,用X射线衍射、红外光谱和荧光光谱对样品进行了结构及发光性能表征。结果表明:合成样品为四方晶相Li2ZnSiO4晶体。样品的激发光谱由O2--→Eu3+电荷迁移带和Eu3+的离子特征激发峰组成。在波长为395nm的紫外激发下样品发射红光,发射主峰位于613nm,对应于Eu3+离子的5 D0→7 F2跃迁。随着Eu3+掺杂量的增加,其发光强度先增加后减小,Eu3+的最佳摩尔掺量为3.5%。     

白光LED照明用新型荧光粉的制备和性能研究

首次报道利用高温固相法结合超声波分散技术合成了Sr3-xMgSi2O8:xEu2 高亮度白色荧光粉,并对其发光性能进行了研究。该荧光粉在近紫外光激发下发出较强的白光,发射光谱由两个主峰组成,分别位于468.4nm和546.0nm处,并具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上的Eu2 离子的5d-4f电子的跃迁发射,从而在单一基质中混合得到了白光,这两个发射峰所对应的激发光谱均分布在250nm-450nm的紫外区,该荧光粉可以被具有400nm的近紫外光发射的InGaN管芯产生的紫外辐射有效激发而产生白光,是一种性能良好的很有前途的单一基质白光LED照明用稀土荧光粉。     

共沉淀法合成CaLa4Si3O13：Eu3＋荧光体及其发光性能

以氨水为沉淀剂,采用共沉淀法合成磷灰石结构CaLa4Si3O13：Eu3＋荧光粉,用TG-DTA研究前驱体到荧光体的反应过程,XRD结果显示在1 000℃焙烧可以合成纯相的荧光粉。SEM照片显示荧光粉尺寸在5～10μm,颗粒分布均匀。激发光谱中最强激发线出现在394 nm处,适用于紫外LED芯片激发,发射光谱由Eu3＋的5D0→7F0,1,2,3,4线状发射构成,最强线来自位于614 nm处的5D0→7F2红光发射。     

Sr3Y1.98(BO3)4:0.02Sm3+荧光粉的制备及光谱性质

用高温固相反应法合成了Sr₃Y_1.98(BO₃)₄:0.02Sm³⁺橙红光荧光粉，研究了样的晶体结构性质和发光性质。荧光粉的激发光谱由宽带峰和锐峰组成。其中宽带峰位于紫外区，来自O^2-→Sm³⁺的电荷迁移带跃迁；锐峰位于近紫外和可见光区，来自Sm³⁺的f-f跃迁吸收。在403 nm的光激发下，Sr₃Y_1.98(BO₃)₄:0.02Sm³⁺的发射光谱展示出两个较弱的发射峰(⁴G_5/2→⁶H_5/2,566 nm;⁴G_5/2→⁶H_9/2,649 nm)和一个较强的发射峰(⁴G_5/2→^6...     

水热法对Eu3＋掺杂CaMoO4微纳米荧光体的制备及其发光性能

采用水热法成功的制得了不同形貌的CaMoO4：Eu3＋微纳米荧光体。实验结果表明,溶液的pH值在控制产物形貌上起了决定性的作用。用X射线粉末衍射（XRD）、场发射扫描电镜（FE—SEM）和荧光光谱（PL）等分析手段研究了荧光体的结构和光致发光性能。结果表明,CaMoO4：Eu3＋荧光体的激发光谱由两部分组成：1个宽的激发带（240～360nm）和属于Eu3＋的f—f跃迁的锐线谱（395nm、465nm）,它的发射光谱只出现常见的2个发射峰：592nm（5D0→F1）、615nm（5D0→7F2）,中5D0→7F2跃迁发射峰强度明显高于5D0→7F1跃迁发射峰强度,这表明Eu3＋在CaMoO4基质中处于无反演中心或偏离反演中心的格位上。本文还对造成发射峰强度变化的原因进行了分析,认为影响发射峰强度的原因有两个：表面积和对称性,材料的表面积越大,发光的猝灭越严重,荧光发射越弱;材料的结构对称性越差,跃迁戒律打破地越彻底,荧光发射越强。     

SrMoO_4∶Tb~(3+)绿色发光材料的微波辐射法合成及发光性能

以活性炭粒为吸收剂采用微波辐射法合成了SrMoO4∶Tb3+绿色发光材料。用X射线粉末衍射仪、荧光分光光度计对样品进行了分析和表征,探讨了微波反应时间、Tb3+的摩尔掺杂量、助熔剂等对样品结构和发光性质的影响。结果表明:所合成的SrMoO4∶Tb3+晶体结构与SrMoO4相似,属四方晶系结构,I41/a空间群。样品的激发光谱是由位于200~350nm的1个宽带和350~500nm的一系列尖峰构成。宽带吸收与Mo--O的电荷转移和Tb3+的4f8--4f7 5d1跃迁过程有关,最强峰位于287nm左右。350nm以后的吸收峰是由于Tb3+的4f--4f跃迁引起的。发射光谱主要由4个发射峰组成:主峰位于544nm处,属于Tb3+的5 D4→7 F5跃迁发射;另外3个弱发射峰位于490、587、622nm处,分别属于Tb3+的5 D4→7 F6、5 D4→7 F4、5 D4→7 F3跃迁。当反应时间为30min,微波功率为中高火(560W),Tb3+摩尔量为0.06,助熔剂H3BO3的用量为4%(质量分数)时,样品的发光强度最大。     

Synthesis and Luminescence Properties of Y3Al5O（12）：Eu^（3＋） Phosphors under Vacuum Ultraviolet Excitation

采用凝胶–燃烧法合成了掺Eu3＋的Y3Al5O12（YAG：Eu3＋）荧光粉。分别采用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、发光光谱等测试手段分析了不同温度下煅烧所得粉体的物相、形貌与发光性质。XRD和SEM结果表明：YAG：Eu3＋的最低合成温度为900℃,并且在该反应过程中没有中间相YAP（YAlO3）和YAM（YAl）的产生。1 100℃合成的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径在90 nm左右。发光光谱的测试表明：在592 nm监控下的真空紫外激发光谱由峰值位于147、156、169nm和214nm的系列激发带组成,其分别归属于铝酸根的基质吸收以及Y3＋和Eu3＋的电荷迁移带吸收。在147nm激发下YAG：Eu3＋荧光粉最强发射峰位于592nm处,属于Eu3＋的5D0→7F1跃迁。Eu3＋在基质中的最佳掺杂摩尔分数为4%。     

用于白光LED的Sr_3SiO_5:Eu~(3+)材料制备及发光特性(英文)

采用高温固相法制备了Sr3SiO5:Eu3+材料.测量了Sr3SiO5:Eu3+材料的激发与发射光谱:材料的发射光谱由576、585、611、618nm和650nm几个发射峰组成,分别对应于Eu3+的5D0→7F0、5D0→7F1、5D0→7F2、5D0→7F2和5D0→7F3辐射跃迁.监测618 nm主发射峰时所得激发光谱为一多峰宽谱,主峰分别为400nul和470nm.研究了Eu"浓度对Sr3Si05:Eu3'材料发光强度的影响,结果显示:随Etl3'浓度的增大,发光强度先增大后减小,Eu3+的摩尔分数为3%时,材料的发光强度最大,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极一偶极跃迁.引入电荷补偿剂Cl-、Li+、Na+和K+时,材料的发光强度均得到了提高,其中Cl-和Li+的提高幅度较明显.     

NaY(WO4)2:Dy3+荧光粉的制备及其上转换发光性能

利用水热法合成了NaY(WO4)2:Dy3+上转换荧光粉. 通过XRD、SEM表征该荧光粉结构和形貌. 探讨了Dy3+浓度、pH值、反应温度及焙烧温度对NaY(WO4)2:Dy3+晶体结构、形貌及发光性能的影响,得到在Dy3+浓度为0.5%,pH=8,反应温度180℃,800℃焙烧条件下的样品具有最佳上转换发光性能. 利用776 nm近红外光激发NaY(WO4)2:Dy3+,观察到480 nm处的蓝光发射峰以及577 nm处的黄光发射峰. 其中蓝光来自Dy3+离子的4F9/2→6H15/2跃迁,黄光由Dy3+离子4F9/2→6H13/2跃迁产生.     

白光LED用红色荧光粉Gd2-xMo3O9:Eux3+制备和研究

用高温固相法成功制备了Gd2-xMo3O9:Eux3+,用XRD荧光光谱仪对其物相以及粉体的激发和发射光谱进行表征和研究;结果表明:在395和464nm两主激发峰均可得到616nm处红光发射峰,属于Eu3+典型的5D0→7F2的跃迁所致。由464nm激发得到的发射峰为单峰,峰宽较窄且发射强度较强。     

溶胶凝胶法制备的Y3Al5O12:Tb3+,Ce3+的光学性能及能量传递研究

用溶胶凝胶法制备了一系列不同掺杂浓度的Y3Al5O1 2(YAG):Tb3+,Ce3+荧光粉,对其物相、光学性能和能量传递进行了研究.多晶粉末X-射线衍射结果表明,所有样品均为YAG晶相,没有其它杂相.当样品在Tb3+的特征激发峰273 nm激发时,除了Tb3+的特征发射外,还观察到位于467 nm的YAG基质的电荷迁...     

干燥方式对NaY(WO4)2∶Dy3+,Eu3+荧光粉粒度及上转换发光性能的影响

采用水热法合成了Dy3+和Eu3+共掺杂的NaY(WO4)2上转换荧光粉,用XRD, SEM和荧光光谱(PL)等方法对不同干燥方式所得样品的晶体结构、微观形貌、晶粒尺寸及上转换发光性能进行了分析。结果表明,合成样品均为四方白钨矿结构的NaY(WO4)2,空间群为I41/a,掺入Dy3+和Eu3+未改变基质晶格;常规干燥、喷雾干燥、冷冻干燥及真空干燥后荧光粉的尺寸分别为817.91, 486.04, 388.74和349.82 nm,真空干燥的样品分散性最好。在793 nm近红外光激发下,冷冻干燥样品的上转换发光性能最佳,与干燥过程中粉体团聚程度减弱及表面层缺陷减少有关。576 nm处的黄光发射峰来自Dy3+的4F9/2→6H13/2跃迁,595 nm处的橙光、616和655 nm处的红光发射峰分别归属于Eu3+的5D0→7F1, 5D0→7F2和5D0→7F3跃迁。荧光粉的CIE色坐标均位于红光区,表现出良好的红光发射特性,在发光二极管和彩色显示等光电领域具有潜在应用价值。     

A Novel Gd<Superscript>3+</Superscript>–Pb<Superscript>2+</Superscript> Doped LiSrPO<Subscript>4</Subscript> Phosphor for Phototherapy Lamp Applications

The phosphors LiSrPO₄:Gd³⁺ and LiSrPO₄:Gd³⁺, Pb²⁺ with different concentration of Gd³⁺ and Pb²⁺ were synthesized by combination of re-crystallization and modified solid state diffusion method. The synthesized phosphors were characterized using XRD, SEM and PL spectroscopies. The PL excitation spectra of LiSrPO₄:Gd³⁺ phosphor exhibit peak at 275 nm due to the ⁸S_7/2 →⁴I_J transition of Gd³⁺ ions and gave narrow UVB emission at 312 nm. The effect of Pb²⁺ ions on the PL properties of LiSrPO₄:Gd³⁺have also been investigated. Upon the addition of Pb²⁺ ions, the excitation of phosphors shows broad peak with maximum at 247 nm, overlapping the Hg 253.7 nm line. This addition of Pb²⁺ ions improved the emission intensity of narrow band UVB i.e. 312 nm under the excitation of 247 nm. The phosphor could be good candidate as phototherapy lamp phosphor material.     

电荷补偿对ZnO:Eu~(3+)材料荧光性能的影响(英文)

采用机械力固相化学反应法制备了含3%Eu3+(摩尔分数,下同)ZnO:Eu3+(ZnO:3%Eu3+)发光材料,研究了ZnO:3%Eu3+发光材料的激发与发射光谱,以发射光谱的主峰(λem=611nm)作为监控波长,其激发光谱的主峰对应λem=465nm,分析了ZnO:3%Eu3+材料的发射峰强度随电荷补偿剂Li+,Na+和K+掺杂浓度的变化规律。结果表明:随电荷补偿剂含量增大,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度均出现先增大后减小趋势,但在不同电荷补偿剂下,ZnO:Eu3+材料的发射峰强度最大处对应的电荷补偿剂含量不同,此时对应的Li+,Na+和K+的摩尔分数分别为1%,0.75%和0.70%。     

红色荧光粉Ba2–xB2O5:xSm3+的制备及发光性能

采用高温固相法合成了Ba2–xB2O5:xSm3+红色荧光粉。研究了Sm3+掺杂量对样品发光性质的影响。结果表明,合成物质为纯相Ba2B2O5晶体结构。主激发峰为342nm(6H5/2→4H9/2)、359nm(6H5/2→4D3/2)、372nm(6H5/2→6P7/2)、400nm(6H5/2→4F7/2)、436nm(6H5/2→4G9/2)、450～510nm(6H5/2→4I13/2,4I9/2,4I11/2,4G7/2)。主发射为550～575nm(4G5/2→6H5/2)、580～620nm(4G5/2→6H7/2)及630～660nm(4G5/2→6H9/2),其中以400nm激发的峰值最大。随着Sm3+掺量x的增大,发光强度先增大后减小,在x=0.06时达到最大值。分析表明其浓度猝灭的机理是电偶极–电四极相互作用。     

Sr2SiO4:Sm3+红色荧光粉的发光特性

用高温固相法合成了Sr2SiO4:Sm3 红色荧光粉,并研究粉体的发光性质.发射光谱由位于红橙区的3个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于570,606nm和653nm,对应了Sm3 的4G5/2→6H5/2,4G5/2→6H7/2和4G5/2→6H9/2特征跃迁发射,606nm的发射最强.激发光谱表现从350 nm到420nm的宽带,可以被近紫外光辐射二极管(near-ultraviolet light-emitting diodes,UVLED)管芯产生的350～410 nm辐射有效激发.研究了Sm3 掺杂和不同电荷补偿剂对样品发光亮度的影响,Sm3 掺杂摩尔分数为6%、电荷补偿剂为Cl-时的效果最好.Sr2SiO4:Sm3 是一种适用于白光LED的红色荧光粉.