ICL7667实现步进电机高频斩波控制

为了提高小内阻步进电机驱动系统中功率MOSFET的开关速度,采用ICL7667作为功率MOSFET的驱动器来实现步进电机的高频斩波控制.对驱动电路采用的功率MOSFET的栅极电容特性、开关时间等进行了研究,发现栅极电容的充放电过程影响了功率MOSFET的开关速度,提出了提高功率MOSFET开关速度的方法.最后,采用ICL7667作为功宰MOSFET的驱动器实现了步进电机的高频斩波控制.仿真和试验结果表明:采用ICL7667的驱动电路,可以保证斩波频率为200 kHz时,功率MOSFET的漏极输出仍处于截止和深度饱和的状态,这比采用电阻分压式驱动电路其斩波频率最大为20 kHz提高了 10倍,可保证小内阻步进电机在高速斩波信号的控制下正确运行.     

基于F28335的SiC MOSFET驱动系统设计

由于SiC MOSFET开关速度较快,不能用普通Si MOSFET的栅极驱动电路来驱动.设计一种基于F28335的SiC MOSFET栅极驱动电路,利用键盘调节F28335输出PWM信号的频率、占空比、死区和移相值,并在LCM12864液晶屏上实时显示调节值.将PWM信号作为SiC MOSFET栅极驱动电路输入信号应用于驱动电路,从而实现对SiC MOSFET通断控制.实验结果表明:相比于Si MOSFET栅极驱动电路而言,所提出的基于F28335的SiC MOSFET栅极驱动电路操作方便,体积小,稳定性好.     

SiC MOSFET在Buck变换器中的应用

第三代功率半导体器件碳化硅MOSFET具有开关速度快、宽禁带、低功耗、导通电阻小、工作频率高和工作温度高等优点,已成为高温、高压、高频等特殊场合的理想器件。该文设计了一种SiC MOSFET的驱动电路,利用软件PSpice仿真测试SiC MOSFET的开关特性,以及驱动电阻对SiC MOSFET的影响。搭建Buck实验电路,测试SiC MOSFET和Si IGBT两种功率器件不同占空比对应的负载电压,以及不同的输入电压和开关频率对应功率器件的壳温。实验结果表明SiC MOSFET比Si IGBT开关速度快、开关损耗小以及负载电压误差小。     

高频SPWM MOSFET变频器的研究

介绍了一种用于高速(十几万rpm)交流电动机调速的SPWM变频器,其控制电路采用了PWM-IC-SLE 4520专用芯片与8031单片机联合控制的结构,逆变主电路应用了具有极高开关速度的功率MOSFET这样,就把变频器的逆变斩波频率提高到了20kHz,而输出正弦频率范围则相应扩大到0～2.6kHz。     

影响功率MOSFET开关速度的因素分析

给出了功率ＭＯＳＦＥＴ的等效电路模型，详细分析了栅极驱动电路和功率输出负载对功率ＭＯＳＦＥＴ开关速度的影响，并给出了实用的栅极驱动电路。     

基于MC68HC908的步进电机驱动器设计

文章以Motorola微控制器MC68HC908GP32为核心,在分析混合式步进电机斩波恒流细分驱动原理的基础上,结合步进电机驱动芯片L297/298,设计出步进电机的斩波恒流细分驱动器.此细分驱动器较好降低了步进电机运行中发热现象,提高了定位准确度.     

用于电机的VMOSFET驱动电源

论述采用N沟道VMOS开关管构成的功率步进电动机驱动电源的设计,给出了电源中的斩波限流电路和调频调压电路.实验证明,该新型驱动装置的运行频率、矩频特性、效率等明显优于同类产品.     

MOSFET功率超声源电路

本文介绍一种新型功率超声波发生器,输出元件采用功率MOSFET,控制方式为正弦波PWM(Pulse-width Modulation),功率MOSFET开关状态存储在EPROM内,由计数器扫描地址线输出信号。同时说明了脉宽计算方法及驱动电路工作原理。     

高性能两相步进电机驱动器设计

介绍了一种采用专用芯片L6506的步进电机驱动器设计.该驱动器运用专用驱动电路IR2304,同时采用高集成度的可编程器件,大大减小电路体积并减少电源品种;应用斩波恒流细分驱动方式,使得本驱动器具有驱动平稳、电路简单、集成度和可靠性高等优点.     

基于L297的两相步进电机驱动器

L297是一种适用于两相步进电机控制的专用芯片。利用L297芯片设计了一种两相步进电机驱动器，给出了该驱动器的驱动电路，并分析了其驱动特性。该驱动器可实现全步、半步控制驱动，具有大功率、斩波驱动、恒力矩、高可靠性等优点，可用于较大功率的机电设备中。     

步进电机的经济型驱动电源

针对低成本三相反应式步进电机设计的经济实用型驱动电源，在步进电机低速运转时采用低压供电，降低了电机的低频振荡；在高速运转时采用高压供电，提高了电机的高频力矩。驱动电路采用恒流斩波方式，提高了步进电机的运转扭矩和工作效率。选用IRFP250型VMOS场效应管驱动电机，使得驱动电源功耗低、稳定可靠，具有一定的推广使用价值。     

三相反应式步进电机的高性能驱动电源

提出了一种可变细分的高性能步进电机驱动电源，该电源用于驱动三相反应式步进电机。细分波形由AT89S52单片机控制DAC0832数／模转换器产生，驱动单元采用高压型恒流斩波电路。该电源在控制步进电机转动时，微步精度高，低速运转时电机振荡小，高速运转时输出力矩大。通过选择合适的细分数，可与不同档次的CNC控制器配套使用。批量使用结果表明，该电源稳定性好、性价比高，具有一定的推广使用价值。     

一种实用的功率MOS管电机驱动电路

在分析了MOS管导通原理的基础上,结合功率放大电路的原理,提出了一种电机MOS管的驱动电路,该电路适合高频信号开关控制电路。利用Multisim仿真软件仿真分析,并经过实际的运用,该电路达到了良好的效果。     

大功率直流电机驱动电路的设计

以N沟道增强型场效应管为核心,基于H桥PWM控制原理,利用光电隔离器设计了一种大功率直流电机驱动控制电路,该电路能够很好地满足直流电机正反转控制和调速的需要。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗小和成本低的特点。     

基于移相控制的高频感应加热电源的研究

随着大功率半导体器件的发展,高频感应加热电源的研制已取得了很大的进展。基于PWM移相控制原理,对20 kW/100 kHz的高频感应加热电源进行了整体设计。电源主电路采用全桥串联谐振逆变器,以MOSFET为逆变器的功率器件。同时给出了移相功率控制电路、驱动电路以及频率跟踪电路等的实现方法,并且用PSpice进行了仿真验证。     

一种利用51单片机控制的步进电机设计

应用单片机、步进电机驱动芯片、字符型LCD和键盘阵列,构建了集步进电机控制器和驱动器为一体的步进电机控制系统.采用AT89S51单片机实现对两相步进电机的转速控制.由单片机产生的脉冲信号经过脉冲分配器后分解出对应的四相脉冲,通过分解出的四相脉冲经驱动电路功率放大后驱动步进电机的转动.该装置可以有效的减少系统开发领域的周...     

基于FPGA的步进电机伺服控制系统研究

针对目前步进电机控制中存在的步距角大、低频震荡以及控制精度不高的问题,采用现场可编程逻辑门阵列(FPGA)作为主控芯片,实现对1台两相混合式步进电机的电流和速度双闭环控制。利用FPGA本身运算速度快、实时性好和编程灵活的优点,通过数字比较器同步产生多路PWM控制信号,以此来减小步进电机步距角,提高伺服系统的性能和电机运行的平稳性。最终测试结果表明,该闭环驱动技术有助于解决步进电机控制中的相关问题,具有良好的实用价值。     

Design and Simulation of PVDF‐MOSFET Based MEMS Hydrophone

Abstract

Modeling has become a vital tool of investigation in all fields, since experimenting with real systems is not only costly, but also time‐consuming and even impossible in some situations. This work presents the design and simulation of an integrated PVDF‐based MEMS hydrophone with improved sensitivity, which contains a MOSFET sense amplifier. The piezoelectric polymer, polyvinylidene fluoride (PVDF), senses the input acoustic signal. As hydrophone size decreases, it becomes necessary to provide an amplifier or buffer in close proximity to avoid sensitivity loss due to interconnect capacitance. This suggests the concept of hydrophones merged with electronics in an integrated circuit environment. So, the integration of PVDF with an on‐chip MOSFET is implemented. The extended gate electrode of the MOSFET is placed over an epitaxial layer isolated from the silicon substrate and is padded with a dielectric layer, SU‐8, which significantly reduces the extended gate capacitance and, therefore, increases the sensor sensitivity. The variation of the transducer output when the input acoustic signal is applied is studied. The simulation is done using the MEMS simulation software, Coventorware.