DJS06-1微型计算机使用的N618ACRAM研究报告

本研究报告总结了DJS061-1微型计算机所用N618AC全静态随机存贮器的研制工作。论述了电路的工作原理、电路设计、版图设计、成品率和稳定性可靠性的研究,分析并给出了有关的主要研究成果。     

微程序计算机高速存贮器三态逻辑

引言 微程序计算机设计者一直采用固态随机存取存贮器作为缓冲存贮器和用只读存贮器来存贮微指令和程序常数。由于TTL(晶体管-晶体管逻辑)集成电路速度快,经常选用这种电路。 TTL器件阵列通常通过与总线连接来简化数据传送结构并使系统组件化。为此,采用     

一台中规模集成化的微型磁芯存贮器

本文介绍了一台外围电路全部中规模集成化的宽温高可靠性微型磁芯存贮器。采用的是三度四线制电流重合法存取方案。由于对驱动电流采取了有效的温度补偿措施,使存贮器在-45℃到 85℃的温度范围内工作时达到了高可靠性。又由于对使用数量多、功耗大的电流驱动器电路采取了降低功耗、简化电路等新技术,从而大大地降低了组件的温升,提高了组件的集成度。这台容量为4096、字长为18位的磁芯存贮器,其体积为30×20×1cm~3,重量不到1公斤。     

采用硅-兰宝石工艺的高性能低功率互补MOS存贮器

简介——采用硅栅工艺和器件沟道长度为5微米制作的硅-兰宝石互补MOS反相器已达到毫微秒的传输延迟和微微焦耳的动态功率与延迟乘积。除了开关速度快和动态功耗低以外,反相器具有低的泄漏电流,所以得到了低的静态功耗。 已制作了两种具有单个反相器性能特点的复杂的硅-兰宝石互补MOS存贮器。十种是铝栅256位全译码的静态随机存取存贮器,特征是在10伏时典型的取数时间为50毫微秒,静态功耗为每位0.4微瓦,动态功耗为每位10微瓦。在5伏工作时典型的取数时间是95毫微秒。另一种是硅栅256位动态移位寄存器,特征是10伏时可以在200兆赫时钟信号下工作,5伏时工作于75兆赫。在50兆赫和5伏时,典型的动态功耗是每位90微瓦。     

高性能单片存贮器

本文包括三篇译文: (1)“高性能单片存贮器”——介绍IBM360/85系统等应用的高速双极缓冲存贮器的系统考虑、逻辑型式以及外围电路和使用情况。 (2)“64位平面双扩散存贮器芯片”——介绍上述存贮器所用的双极存贮芯片、工艺结构,布线图形和器件性能。 (3)“一种新型高性能双极单片存贮单元”——介绍上述存贮器阵列单元的电路原理、工艺图形设计及性能参数。     

高速MOS存贮器

作为现代电子计算机和电子交换机等信息处理装置的主存贮器和缓冲存贮器,半导体集成电路存贮器正受到注视。本文描述关于采用廉价的MOS集成电路作存贮单元而用双极集成电路作外围电路所构成的超高速缓冲存贮器的可能性的探讨、各个电路的设计、大规模集成(LSI)电路的构成和使用这样LSI电路存贮装置的试制研究结果。LSI是在同一陶瓷基片上把读出线和位线分离的MOS存贮单元和双极外围电路(矩阵、读出放大器)用梁式引线连接起来的多片形式。得到的高性能水平是单个512位LSI的取数时间为6毫微秒,1K字节存贮装置的取数时间为30毫微秒、周期时间为35毫微秒。从存贮装置的特性研究中判明了这次采用的电路形式和LSI的构成方法,对于高速化、高密度化是非常有效的。     

高密度静态ESFI MOS记忆单元

去除触发器中的跨接和用二极管来选择单元,减小了静态MOS记忆单元的面积。这种单元具有互补晶体管、二极管和高额定值负载电阻,已用绝缘衬底上外延硅膜工艺(ESFI)实现;单元面积可以小到1500微米~2(2.4密耳~2),是到目前为止已知道的面积最小的静态MOS记忆单元。本文将讨论这种记忆单元的静态和动态特性,以及在大规模集成电路中的性能;为此目的,已在3.5×4.2毫米(140×170密耳)的面积上,做成了带有简单译码和读出电路的4096位的探索性存贮器。考虑所测量的数据,ESFI MOS存贮电路比动态MOS存贮器,在速度和功耗方面都显示出更好的性能,但其主要的优点是静态工作方式。     

新型半永久存贮器金属卡片存贮器

日本电气通信研究所为电子交换机的需要,研制了一种采用新原理的随机取数半永久存贮器——金属卡片存贮器。该种存贮器主要构成部分是作为存贮媒介体的金属卡片和由具有为数很多读取线圈的印制线圈板迭成的存贮体。情极信息的记录决定于金属卡片某位置上有无圆孔,信息的读出借助于线圈间的高频电磁耦合。在金属卡片上有孔和无孔的地方电磁耦合差值很大。     

大容量半导体存贮器

本文对采用双极晶体管技术的集成电路存贮器与采用各种绝缘门场效应晶体管(IGFET)存贮器进行了比较。P沟道IGFET存贮单元与双极晶体管存取电路结合,似乎能提供所希望的一些特性。文章考虑了存贮机构、单片设计、封装及互连等问题。在半导体存贮器中,梁式引线密封结工艺比其它封装和互连工艺有更大的优越性。 作者考察了兆位计算机存贮器设计中的某些问题,着重考察了有关功耗,互连、可靠性、维修、造价等问题。最后对基于现有技术的兆位半导体存贮器可能具有的特性与磁芯存贮器,平面薄膜存贮器和磁环线存贮器的特性进行了比较。从这些调查研究中得出结论:半导体存贮器不管在小容量或在大容量存贮器应用中都大有前途。     

高速双极只读存贮器的设计考虑

本文描述一种完全用双极工艺制造的高速集成电路只读存贮器的设计发展和性能。讨论两种电路结构。第一种是以1024×1存贮器机构为基础的,第二种是第一种加上可变存贮器格式,三状态输出电路和芯片具有启动功能构成的。列举性能参数证实在已验证的集成电路工艺范围内,只读存贮器(ROM)具备在芯片上全译码,输入输出与标准集成逻辑电路(IC)相适应,1024位存贮器达到小于50毫微秒(ns)的取数时间。     

TMS320C50全局存贮器在PC环境中的应用

本文介绍了ＴＭＳ３２０Ｃ５０全局存贮器的原理，设计出了ＴＭＳ３２０Ｃ５０与ＩＢＭ－ＰＣ互联系统中全局存贮器硬件电路。文中设计的全局存贮器具有软件编程简单、指令全速运行等优点，最后给出其使用方法及应用。     

高性能LSI存贮器系统

已设计一种随机存取读/写存贮器系统,以满足高速存贮应用的多种需要。包括存贮器体系中的暂存存贮、控制存贮器和缓冲存贮器。基本产品是一种1024字×9位的存贮器卡片式扦件,取数时间为40nS,周期时间为80nS。它合并所有地址缓冲和译码、输出读放和输出互锁电路构成一个完整的功能存贮部件。特点包含每位6mW的低功耗,每平方英时200位     

RISC32位微处理器芯片—MC88000

本文介绍了 Motorola RISC微处理器电路芯片88000系列结构。88000系列包括88100处理器及88200暂存器和存贮器管理单元。介绍了88100结构,功能单元、寄存器结构、指令系统、数据类型、寻址方式和主流水线、存贮器单元流水线、浮点流水线及采用的设计工具。     

CMOS集成电路及其应用

<正> 一、概述 1.CMOS电路——八十年代的集成电路在半导体集成电路发展过程中,MOS电路与双极型电路一直在激烈竞争而又相互促进。对于MOS电路来说,主要的薄弱环节在于速度,CMOS电路就是MOS与双极型竞争的一种必然产物。七十年代大规模集成电路发展过程中,NMOS工艺成了“优选工艺”。微处理器、随机存取存贮器和只读存贮器等等大都采用NMOS工艺。到了七十年代后期,在NMOS工艺的基础上,CMOS工艺逐步完善,因而在速度、集成度和微功耗方面不断地创造新的纪     

微程序控制的主存自检系统

<正> 一、概述大规模集成电路存贮器的发展,给存贮器系统带来了巨大的影响,现在不论是计算机的主存,还是超高速缓存以及输入输出设备的缓存都逐渐地使用半导体存贮器,尤其是 MOS 半导体存贮器在主存领域里正在取代磁心存贮器而居于主流。因此不论是对电路的设计、制造者来说,还是对系统设计者来说,需要了解大规模集成电路(LSI)存贮器的可靠性是完全必要的。LSI 存聍器具有体积小、集成度高、速度快、可靠性高等特点,尤其是存取速度高是半导体存贮器区别于磁心存聍器的一个显著特点。     

磁存貯器的设计概要

目前磁存贮器的工作方式和采用的磁元件材料不尽相同,形式多样。本文阐述了各种磁元件、电路和磁芯体中传输线工作时的主要物理现象。给出了为设计存贮器的几个基本公式,并确定了其最终极限,还指出了存贮器在未来的改进方法。     

金属氧化铝半导体晶体管只读存贮器

最近,由于信息量不断增加,对计算机的大容量化、高密度、高速化、低成本的要求越来越高。为此,除了使用写入和读出重复性几乎相同的暂存器外,还研制成了只读存贮器,其用途是把固定信息多次重复读出,目前这种存贮器颇受重视。只读存贮器的特点是,写入时间此读出的取数时间长,写入用的外围电路简单,所以其造价低,而且由于只读出,故可缩短运算时间。只读存贮器不仅可做为数字表     

半固定型卡片电容存贮器

卡片电容存贮器是一种只能快速读出的半固定型存贮器。它由若干对印制电路板组成。每块板上有相互平行的金属导体。每对板以其带金属导体的面对拢在一起,中间放入穿孔卡片,卡片的孔与导体对齐。在这个有金属薄层     

磁泡存贮器

目前,在计算机系统特别是微型机系统中半导体存贮器芯片应用得非常广泛,但当国外研究出了磁泡存贮器后,许多人开始怀疑半导体存贮器芯片将来会不会被淘汰。磁泡存贮器是贝尔实验室研究出来的,目前多用正铁氧体、石榴石型铁氧体等材料制造。这些单晶强磁性薄膜或多晶台金磁膜在外加磁场作用下产生许多磁泡。磁泡在电路的控制下按规定方式移动形成存贮器件,其存贮密度可达1.6×10~5位/平方毫米。1979年,得克萨斯仪器公司、富士通、英特尔、洛克韦尔等公司就开始使用了磁泡存贮器,因这种存贮器很有前途,所以有许     

定时声光提醒器

CMOS也叫互补金属-氧化物-半导体集成电路,它在速度、功耗、兼容性等方面性能优越,因而得到日益广泛的应用,特别适合制作小型和便携式的电子作品。近来随着它的价格越来越低,应用也更加普及。充分利用CMOS的优势,开发出更好的电子作品,是电子发烧友感兴趣的问题。本文通过介绍40系列CMOS集成电路的应用实例,使初学者逐步掌握CMOS电路的基本性质和它的使用方法,进而提高自己应用CMOS电路的能力。本期介绍的作品叫做定时声光提醒器,它使用起