高分辨率硅(锂)X射线探测器

本文介绍了GL1221型硅(锂)X射线探测器管芯的制造工艺及与之相配合的脉冲光反馈低温前置放大器。探测器系统的能量分辨率为165eV(对~(55)Fe 5.89keV Mn-KaX射线),计数率为1020cps,电子学噪声104eV。该指标已达到国外同类产品的商品水平。     

制备高分辨率Si(Li)X射线探测器的进展

Si(Li)半导体探测器对低能X射线具有能量分辨率好、探测效率高、输出脉冲正比于入射光子能量等特点,故已日益引起人们的兴趣。为使Si(Li)探测器有更高的能量分辨率,制造者正努力研究工作在低温的探测器和前置放大器。一般的Si探测器都有一个耗尽层范围,这个耗尽层是对射线灵敏的部分,它的厚度ω可表示为ω=0.3(ρν)~(1/2),这里ρ是使用的P型材料的电阻率,ν,是加到探测器上的反向偏压,由前式可知,用10000Ω/cm的材料,加200V偏压,也只能得到0.4mm厚的耗尽层,这种厚度对测量X射线显然是太薄了,即使是     

大面积Si（Li）探测器

测量了不同温度条件下面积为４９ｍｍ×４９ｍｍ、厚３．５ｍｍ的Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的Ｉ－Ｖ特性。Ｓｉ（Ｌｉ）－Ｅ－１和Ｅ－２探测器对＾２３８Ｐｕ５．４９９ＭｅＶ α粒子的能量分辨率例如为５４．４ｋｅＶ和５７．０９ｋｅＶ。     

Si（Li）探测器系统噪声的测量及低能X射线能量分辨的计算

从实验和理论讨论分析了Ｓｉ（Ｌｉ）探测器、前置放大器的噪声对Ｓｉ（Ｌｉ）探测器的探测范围的影响，分析了目前国产Ｓｉ（Ｌｉ）探测器、前置放大器的噪声情况，得出我国目前探测器系统的噪声技术可以实现Ｏ、Ｆ等轻元素的测量，并计算了测量Ｃ、Ｎ元素时探测器系统的极限噪声值（对Ｆｅ源的５．８９４ｋｅＶ）。     

Ge(Li)探测器表面现象的研究

对同轴Ge(Li)探测器进行不同表面处理,采用~(241)Am59.6 keV准直γ束扫描来研究探测器的表面性能。从测得的探测器表面各点脉冲谱及光电峰相对效率,说明在探测器表面存在着强弱不同的N或P型表面沟道。当探测器表面存在N型沟道时,可得到比较好的探测器特性。     

大面积平面工艺Si带电粒子探测器研制

叙述了用平面工艺技术制备大面积Si带电粒子探测器的工艺方法.为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化技术.文章分别给出了厚度300μm、灵敏区直径20mm以及厚度500μm、灵敏区直径40mm探测器在室温下漏电流测量结果,以及探测器在室温条件下对241Am 5.486Mevα粒子的能谱响应测量结果.     

高分辨Si(Li)探测器系统

一、引言Si(Li)探测器系统主要包括Si(Li)探测器、低噪声前置放大器、低温装置等。Si(Li)探测器系统配上测试系统即组成Si(Li)X射线荧光谱仪,广泛应用于科学研究和工矿企业。     

Si(Li)~(133)Xe探测器

一、引言~(133)Xe是惰性气体氙的一种人工放射性同位素。由于它具有γ射线能量低(81 keV)、     

Si(Li)探测器对体状X射线源的探测效率

本文用蒙特卡罗方法确定Si(Li)探测器对体状X射线源的探测效率。在体状源被压缩到近似点状源的情况下,用模拟方法所得的效率与能量的关系曲线,同标称值有很好的符合。     

Si（Li）探测器漂移电源

本文介绍了一种在Ｓｉ（Ｌｉ）探测器漂移过程的漂移电原，这种电源和其它普通电源安全不同，它主要由双向可控硅和双向触发二极管等新型器件组成，使输出直流电压从０～１０００Ｖ范围内连续可调，输出的电流最大为１００ｍＡ，当硅片在漂移过程中，由于温度升高而电流增加时，漂移电压可随之下降，从而保持加在硅片上的功率基本不变，这样保证了不致造成损坏硅片现象，用此电源已成功地漂移出４０块Ｓｉ（Ｎｉ）探测器，现已投入在     

Si(Li) Detector efficiency below 10 keV

The full-energy peak efficiency of a Si(Li) detector has been experimentally determined over the photon energy range 3–26 keV for use in accurate ion-induced X-ray cross-section measurements. The efficiency uncertainties are ± 2% to ± 4% for 4.5–9.9 keV photons — the energy region of primary interest in the present work. The techniques utilised are described in detail since it was found that the use of absolute theoretical efficiencies can lead to errors in excess of 30% over the whole efficiency curve with even greater errors appearing below about 3 keV. Recent electron-capture data are used to calculate the yield of 3.1 keV Ag L X-ray from the decay of a calibrated ¹⁰⁹Cd source in order to extend the efficiency curve down to 3 keV. The use of fluorescence sources as a novel way of accurately measuring efficiencies in the photon energy region 1–4 keV is outlined.     

硅（锂）线阵列探测器脉冲计数方式实验研究

硅(锂)阵列探测器原设计用于同步辐射冠状动脉血管造影实验的电流测量模式下的X射线光强的测量。根据这种类型探测器的噪声分析,有可能用于脉冲计数模式下的33keVX射线光强的测量。本文介绍了按此设想进行的实验及其结果。     

Si(Li)探测器低能区的效率刻度

通过测量19keV电子束轰击厚碳靶产生的韧致辐射能谱，在低能区（>1keV）对Si(Li)探测器进行了探测效率刻度。厚碳靶的理论韧致辐射能谱由Monte-Carlo程序PENELOPE计算，并用²⁴¹Am标准放射源确定出效率刻度曲线的绝对值。采用本工作的刻度方法确定的效率刻度曲线误差主要来源于用标准放射源绝对化的误差，约为5%。将所得初步实验结果与理论计算值进行了比较，并采用最小二乘法对探测器各厚度参数进行了拟合，除Au接触层厚度外，拟合的各厚度值与探测器生产商提供的数据较为吻合。