LDO线性稳压器结构的改进

通过改进传统电路结构,设计出了一种低压差线性稳压器。通过解决系统上电所带来的一些问题,达到了低功耗的设计目的。给出了带隙基准源和误差放大器等关键电路的设计方法,采用和舰0．35μ mCMOS工艺模型Spice进行了仿真,验证了设计的正确性。     

一种应用于SoC的小面积LDO设计

通过对LDO降压转换器的原理分析,对其稳定性和频率响应进行深入的研究,通过电路的小信号模型分析,抽取传输函数,并运用极坐标法对运放的零极点进行了分析．利用调整运放内部器件参数的方法使零点与板点发生变化,从而在不采用电容进行外部补偿的前提下,减小了芯片面积。提高了系统稳定性,设计的相位裕度大于60°,单位增益频率为322kHz,直流增益为60dB左右,静态电流在50uA左右的LDO降压转换器。这里针对特定SoC的低电压供电要求,从应用出发设计了不需要电容补偿的小面积LDO降压转换器。     

具55V瞬态保护和集成LDO的降压型DC／DC转换器

LT3645的主开关是一个高效率的750mA、450mVCESAT开关，该器件在单个芯片内集成了必要的振荡器、控制、逻辑电路和LD0。由于采用了特殊的设计方法，该器件可在宽输入电压范围内实现了高效率，而其电流模式拓扑可实现快速瞬态响应和优异的环路稳定性。     

低静态电流的汽车降压转换器

Maxim推出40V输入、DualMode降压转换器MAX5096／MAX5097。负载较大时。转换器工作于高效PWM降压开关模式。待机期间，系统微控制器可在线驱动LDO或／BUCK输入引脚．强制MAX5096／MAXS097进入LDO模式，从而可以降低静态电流。     

LDO中动态补偿电路的设计

分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿,保证了LDO稳压器的UGF（Unity Frequency）基本不随负载变化,使其在所有负载内均能稳定工作.与传统方法相比,该电路具有恒定的带宽,大大提高了系统的瞬态响应性能,使LDO稳压器具有较高的电压调整率和负载调整率.     

基于LDO电压调整器的带隙基准电压源设计

设计一款应用于电压调整器（LDO）的带隙基准电压源。电压基准是模拟电路设计必不可缺少的一个单元模块,带隙基准电压源为LDO提供一个精确的参考电压,是LDO系统设计关键模块之一。本文设计的带隙基准电压源采用0.5μm标准的CMOS工艺实现。为了提高电压抑制性,采用了低压共源共栅的电流镜结构,并且在基准内部设计了一个运算放大器,合理的运放设计进一步提高了电源抑制性。基于Cadence的Spectre进行前仿真验证,结果表明该带隙基准电压源具有较低的变化率、较小的温漂系数和较高的电源抑制比,其对抗电源变化和温度变化特性较好。     

LDO的三种频率补偿方案实现

从理论上分析了三种不同的LDO电压转换电路及各自的频率补偿方案,并基于sPEcTRE对此三种LDO的各项性能进行了仿真,仿真采用0．6μm 5 V CMOS工艺。在此基础上,对这三种LDO电路各自的优缺点进行了比较以便于在不同应用场合下能够选择合适的LDO结构。     

4输出同步降压型DC／DC转换器

LTC3562是4通道、高效率、2．25MHz、同步降压型转换器,能提供两个600mA和两个400mA的连续输出,具有96％的效率。其他特点：4个12C可控的独立降压型稳压器（2×600mA,2×400mA）;两个12C可编程反馈电压稳压器（R600A,R400A）：VFB为425～800mV;两个PC可编程输出电压稳压器（R600B,R400B）：VOUT为600mV～3．775V;可编程模式：脉冲跳跃、LDO、突发模式、     

AOT控制的降压型转换器的稳定性分析

为了保证自适应导通时间控制的降压型转换器能在输入电压全范围内正常工作,通过理论分析和时域推导,研究了输出电容的ESR对系统稳定性的影响。结果表明,只有ESR足够大,才能保证其电压变化率大于输出电容电压变化率,从而保证系统的稳定。此外,建立了ESR的最小临界值与输入电压之间的数学模型,并揭示了二者存在反比例关系。不同ESR条件下的输入电压扰动时域仿真结果说明了ESR对系统稳定的重要性。通过比较理论数学模型的拟合曲线与实际仿真结果,验证了理论分析和数学模型的正确性。     

选择降压转换器的无源组件

电源设计往往是系统最后一个考虑因素。这时,大部分用户可选择一个有效模块——输入一个DC电压生成另一个电压。这个模块可以有不同规格,以步降方式生成低电压,或以步升方式生成高电压。同时,还有大量专用方案,如步升/步降、反激式和单端初级电感转换器（sepic）,这种DC-DC转换器可生成大于、小于或等于输入电压的输出电压。对于基于AC电源工作的系统,     

片上低压降电源调节器的稳定性分析和频率补偿

分析了片上低压降(Low Dropout)电源调节器稳定性的极限条件,在此基础上,提出了一种实用的频率补偿技术。此技术无需额外电阻和偏置电压,即能为系统产生零点,实现系统的主、次极点分离(pole-splitting),从而增加相位裕量,使系统保持稳定。实验表明,采用该技术的电路结构简单、实现容易、占用面积小,能够使片上LDO在负载电阻、负载电容大范围变化的情况下保持稳定,特别适用于片上电源管理系统。LDO采用SMIC 0.18μm CMOS工艺实现。     

低压差电压调节器技术发展动态

介绍了电源和功率管理集成电路市场，描述了低压差(LDO)电压调节器技术的发展进程和未来趋势；对国内外LDO产品和技术现状进行了比较，提出了发展LDO的建议。     

低压降CMOS稳压器的电源噪声抑制分析

通过对低压降CMOS稳压器工作原理的分析,给出了一种频域分析模型。基于此模型,对低压降稳压器的电源噪声抑制进行了分析和研究,得到了低压降稳压器在频域的传递函数;依据此传递函数,给出了改善电源噪声抑制的方法。此外,给出了几种有效提高电源噪声抑制的方法和电路。     

低压差电压调整器中热保护电路的设计

针对常见电压调整器芯片由于热保护电路高温端性能的限制,导致调整器在较高工作温度下输出电压稳定性变坏的缺点,提出一种可用于低压差电压调整器的高性能热保护电路的设计。通过改进热保护电路的电路结构及版图设计,在保证热保护电路的关断精度达到±0.5℃的同时,改善了电压调整器高温段的输出电压稳定性。用Spectre对电路进行仿真的结果表明,采用该热保护电路的电压调整器在0℃～150℃范围内的输出电压精度保持在0.5%之内,输出电压的温漂达17.5ppm/℃。此外,设计的热保护电路结构简单,占用芯片面积小,可在双极型或BCD(BipolarCMOSDMOS)工艺下实现,应用于多种电源管理芯片设计中。     

LDO线性稳压器中高性能误差放大器的设计

设计了一个共源共栅运算跨导放大器,并成功地将其应用在一款超低功耗LDO线性稳压器芯片中。该设计提高了电源抑制比(PSRR),并具有较高的共模抑制比(CMRR)。电路结构简单,静态电流低。该芯片获得了高达99 dB的电源抑制比。     

基于CMOS工艺的低噪声高稳定性LDO的设计

介绍了一种LDO线性稳压器电路,给出了基本结构及其工作原理.重点分析了产生噪声的原因以及用旁路滤噪电路实现低噪声、用内部动态补偿电路实现高稳定性的电路结构和性能特点,针对输出短路或者负载电流过大设计了过流保护电路.整个电路采用HYNIX 0.5μm CMOS工艺实现,基于HSPICE进行仿真验证,输出噪声为1 μV(rms),典型环路增益为60 dB,相位裕度65°,证明了稳压器的低噪声和高稳定性.     

FVF‐Based Low‐Dropout Voltage Regulator with Fast Charging/Discharging Paths for Fast Line and Load Regulation

A new internally compensated low drop‐out voltage regulator based on the cascoded flipped voltage follower is presented in this paper. Adaptive biasing current and fast charging/discharging paths have been added to rapidly charge and discharge the parasitic capacitance of the pass transistor gate, thus improving the transient response. The proposed regulator was designed with standard 65‐nm CMOS technology. Measurements show load and line regulations of 433.80 μV/mA and 5.61 mV/V, respectively. Furthermore, the output voltage spikes are kept under 76 mV for 0.1 mA to 100 mA load variations and 0.9 V to 1.2 V line variations with rise and fall times of 1 μs. The total current consumption is 17.88 μA (for a 0.9 V supply voltage).     

浅析通信蓄电池组的压降问题

对通信蓄电池组压降的产生、组成和对供电系统的影响等进行了简要分析，并提出了控制措施。     

输出电容对LDO稳定性影响分析

由于线性调节器内部没有开关管产生的交流开关损耗,同时比开关电源具有较低的RFI干扰,因此在现代电源系统中,仍然有它的一席之地。低压降集成线性稳压器即LDO是线性调节器的一种,一般采用P-FET或者PNP作为调整管,导通压降可以小于100 m V,效率得到大大提升,在射频、无线、电池供电等领域得到广泛应用,但必须对其做环路补偿,才能稳定工作。首先讨论了内部补偿、前馈电容补偿和输出电容补偿之间的关系,然后给出如何选择输出电容,最后以某输出可调LDO为例做仿真,说明输出电容对LDO稳定性的影响。     

电流型PWM DC-DC升压转换器的稳定性分析与实现

文章先对影响电流型DC-DC升压转换器电路的系统稳定性的因素进行分析，然后在电路设计实现上提出了具体的改进办法：在误差放大器模块增加频率补偿电路来消除放大器反馈环路可能存在的振荡现象：采用斜坡补偿电路来增强反馈电流环路的稳定；为了提高电压反馈环路的稳定性，创新提出在芯片外部增加COMP管脚。内部增加环路补偿电路；输入管脚增加旁路电容以减少噪声；输出管脚增加旁路电容以增强芯片反馈系统的稳定性;通过采取这些措施，保证了芯片电路的的稳定性能，并极大的提高了输出电压的精度，设计取得了很大成功。