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Li2O-ZnO-SiO2系结晶型低熔点封接玻璃的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研制了一种用于与软质玻璃和金属合金封接、以Li2O-ZnO-SiO2为基础的三元系结晶性低熔点玻璃焊料.通过不同的热处理制度以及DSC,纽扣试验等分析手段,对该体系焊料玻璃进行了研究.结果表明,玻璃焊料在600~640℃的流散性良好,能与金属合金、平板玻璃封接.同时探讨了封接温度、封接时间、金属合金预处理的程度以及保护气氛等工艺参数对封接质量的影响. 相似文献
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叙述了采用DFJ-Ⅲ型静电封接机进行玻璃-硅-玻璃三层静电封接的工艺方法和典型工艺参数,重点分析了洁净程度、封接温度,封接电压等工艺参数对封接成功率的影响,并提出了在该设备上实现双面静电封接的改进方案。 相似文献
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在玻璃-金属气密封接生产中,炉子气氛是个重要因素,氮系气氛可提供许多优点。 为了制作气密的玻璃-金属封接,在惰性气氛的高温炉内,将玻璃与经过预处理的金属引线和构件底盘熔封。将玻璃熔封并使其流散与金属粘合应充分保持高的封接温度。在冷却时,玻璃与金属之间就形成了气密封接。在影响封接可靠极的各种因素中,就用于材料准备和封接的炉子气氛。 相似文献
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一种简单的静电封接技术 总被引:1,自引:0,他引:1
本文论述了静电封接技术的基本原理及其在半导体压力传感器生产中的应用.主要介绍一种简单而廉价的静电封接装置及操作工艺和一些实验结果.这种封接技术不用其它任何粘合剂,将硅与玻璃相接触进行静电封接,形成的硅-玻璃组合体是一种刚性结构.封接时所选用的玻璃的热膨胀系数应与硅的热膨胀系数相接近(Si:2.5×10~(-6)/ k,~#7740 Pyrex glass:3.25×10~(-6)/k),例如:九五料玻璃,派雷克斯玻璃均能获得好的封接效果.静电封接技术的特点是:芯片反刻铝引线不会被氧化(封接时温度在400℃左右),封接牢固、迅速、气密性好,不产生蠕变,能耐高温,耐潮湿,稳定性好. 相似文献
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《真空电子技术》1970,(3)
纯氧化铝瓷与高氧化铝瓷之间,纯氧化铝瓷、高氧化铝瓷与金属之间封接的一种新工艺巳出现。此法使用由几种氧化物的混合物组成的陶瓷玻璃焊料对氧化铝瓷件或氧化铝与金属直接进行封接。采用Al_2O_3-MnO-SiO_2系的混合物,封接温度是1140℃或更高些。采用Al_2O_3-CaO-MgO-SiO_2系的混合物来封接,封接件必须承受1300℃或更高温度。这些陶瓷玻璃焊料能用来封接纯氧化铝瓷与高氧化铝瓷或纯氧化铝瓷,高氧化铝瓷与金属。Al_2O_3-MgO-SiO_2系的配方可用于陶瓷与铁基合金封接,亦可用于陶瓷与难熔金属封接,而Al_2O_3-CaO-MgO-SiO_2系的配方可用来封接氧化铝瓷与难熔金属,以供极高温方面的应用。用此法进行的封接在热特性和热力学特性上完全不同于玻璃封接。本文讲述了封接强度的测量结果和封接形成机理的研究。 相似文献
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压力传感器芯片键合用低温玻璃焊料的研制 总被引:6,自引:0,他引:6
研制开发了一种用于压力传感器芯片与 1 0 1玻璃基座相封接的三元系结晶性低温玻璃焊料 ,其基本成份为 Pb O:Zn O:B2 O3 =58:1 8:2 4 (% wt)。已用 DSC分析该玻璃焊料 ,显示在 51 0℃出现主晶相的熔化吸热峰 ,其开始熔化温度为 445℃。在硅芯片背面制备一过渡层 ,然后用此低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起。封接温度为 530℃ ,低于铝硅合金相的低共熔温度 577℃。用这一封接技术制备的压力传感器有良好的技术性能 ,热漂移小且能耐沸水、耐油 ,耐 1 50℃热冲击。封接强度达 7MPa。 相似文献
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1.影响气体激光器寿命的主要因素之一的是反射镜片与激光器管口的真空密封问题.至今国内外已采用光胶、环氧树脂粘合剂胶合封接、低融点玻璃封接和柯伐金属玻璃封接等技术,但都不十分理想.最理想的封接方法是全玻璃直接封接,即把反射镜片的玻璃和激光器管口的玻璃直接融熔封接在一起,但至今未见报道.我们将真空管工艺中高频感应电阻损耗加热方法运用于激光器的制管封接,获得了理想的玻璃直接密封方法.用此方法于1982年制作了一小批氦-氖激光器,效果极好,至今仍在正常工作,激光器的寿命已达5万小时.2.高温玻璃直接密封技术的主要难点是: 相似文献
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YAG投影管屏锥封接应力主要是由于玻璃和 YAG单晶的膨胀系统数不匹配造成的。玻璃和 YAG具有不一致的非线性 ,低熔点玻璃等效固化点温度改变将造成封接应力的变化。低熔点玻璃的化学组成 ,熔制条件 ,屏锥封接工艺和其它高温处理工序决定了低熔点玻璃的等效固化点温度。要得到小应力的屏锥封接 ,需控制低熔点玻璃和玻璃的化学组成和熔制参数以及屏锥封接工艺规范。对出现的封接应力在一定程度上可通过改变封接工艺规范和高温处理来消除。 相似文献
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玻璃金属封接工艺的金相研究 总被引:1,自引:1,他引:0
影响密封继电器使用的可靠性在于其气密性,而玻璃金属封接工艺是气密性的核心工艺。文章进行了一系列硅硼硬玻璃与4J29合金的封接试验,对各个关键封接工艺阶段的样品进行金相分析,得出一些获得气密封接的条件。在本试验条件下,4J29合金零件在1020℃真空条件下,保温10min~30min,再经过在650℃可控气氛中保温2.5min~5min后,与玻璃坯封接得到的底座,泄漏率95%以上能达到≤1×10^-4pa·cm^3.s^-1。此外,采用金相技术分析了玻璃合金封接界面的结合情况,并提出了提高玻璃金属封接气密性的途径。 相似文献
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可伐合金封接用Li_2O-Al_2O_3-ZnO-SiO_2微晶玻璃研究 总被引:1,自引:1,他引:0
使用烧结法制备了Li2O-Al2O3-ZnO-SiO2微晶玻璃,利用差热分析、X射线衍射、扫描电镜等测试分析方法,对其析晶和封接特性进行了研究。结果表明,晶化温度低于800℃时,微晶玻璃主晶相为ZnAl2O4,晶体大小为0.5μm;晶化温度高于800℃时,析出晶体为ZnAl2O4和LiAlSi2O6纳米晶。该微晶玻璃具有与可伐合金相似的线膨胀系数,当加热温度达到980℃时,即可用于封接可伐合金;封接后的接口呈乳白色,外观良好,气密性和绝缘电阻均达到行业标准。 相似文献
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压力敏感元件封接处开裂问题探讨 总被引:4,自引:0,他引:4
压阻式压力敏感元件封接处开裂问题,出现在扩散硅芯片与玻璃封接处。这种开裂受机械,热应力及封接操作方法等因素影响。本文提出了开裂机理,认为开裂与芯片的边缘条件及封接过程有关。对容易在温度变化或机械震动下发生开裂的传感器,我们给出了一种非破坏性连续筛选试验,“合格/不合格”的判别依据和具体分析结果。最后概述了提高扩散硅压力传感器封接成品率及可靠性的几点建议。 相似文献
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可伐合金的可控氧化对封接质量的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了可伐合金表面氧化膜的类型和厚度对玻璃与可伐合金封接质量的影响.结果表明,氧化膜的类型和厚度直接影响金属与玻璃的封接质量.相对于工厂氧化条件,在可控条件下氧化的可伐合金与玻璃封接后的气密性一致性和可靠性较高.随着氧化膜厚度的增加,玻璃沿引线的爬坡高度逐渐增加,当控制氧化膜厚度不超过1.5μm时,爬坡高度都小于200... 相似文献