过氧化氢对轴承钢化学机械抛光性能的影响

为了获取高完整性轴承钢表面,课题组采用化学机械抛光技术对轴承钢进行超精密加工;研究了过氧化氢对轴承钢化学机械抛光性能的影响以及材料去除机理。实验结果表明:在乙二胺四乙酸二钾盐存在的条件下,随着过氧化氢质量分数增加,轴承钢的抛光速率先急剧增大,然后逐渐减小并趋于稳定;而静态腐蚀速率先急剧减小然后趋于稳定;表面粗糙度Ra先急剧降低然后趋于稳定。结合电化学实验和X射线光电子能谱实验结果,轴承钢的材料去除机理描述如下:当过氧化氢质量分数较低时,轴承钢表面生成一层强度低、容易去除的反应层,包括铁氧化物和铁离子的乙二胺四乙酸络合物,抛光速率高;当过氧化氢质量分数超过0. 05%转折点并逐渐增加时,铁氧化物向三价态转变,表面反应层变得致密,强度增大,抛光速率减小,表面粗糙度降低。     

GaN晶片的CMP加工工艺研究

研究了GaN晶片的化学机械抛光（CMP）工艺。分析了在CMP加工工艺过程中对GaN晶片表面质量所产生的影响。实验采用质量分数30％的H2O2溶液与铁经过Fenton化学反应20min后作为抛光液,并分别利用2种不同磨粒粒度W5和W0．5对晶片表面抛光,对不同工艺参数加工后的晶片表面进行测试分析,并推测加工过程中晶片表面可能发生的化学反应。图6表1参15     

CMP加工过程中抛光速度对液膜厚度的影响分析

化学机械抛光过程中抛光工艺参数对抛光液的流动特性有重要影响。采用LIF技术实验研究抛光参数对抛光液液膜厚度的影响。研究表明。抛光液膜厚度随着抛光速度的增加而增加,增加的趋势随抛光转速的提高而减缓。同时液膜厚度随着抛光压力的增加而减少。通过抛光参数的变化对抛光液流动特性的影响分析,为改善CMP加工工艺提供理论性的依据。     

化学机械抛光后清洗专利技术综述

化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)清洗的目的就是把CMP中的残留粒子和金属沾污减少到可接受的水平,后清洗是CMP加工的重要部分。文章通过对全球专利申请量、专利申请在不同国家的分布、重要申请人分布进行分析,概述了CMP后清洗技术的发展脉络,为日后CMP后清洗技术的发展提供了借鉴。     

CMP加工过程中晶片形状对抛光液流动特性的影响

化学机械抛光过程中抛光液的流动特性取决于被抛光晶片的形状和抛光参数.采用LIF技术来实验研究晶片形状及抛光参数对抛光液液膜厚度的影响.研究表明,凸面晶片与抛光垫摩擦过程中.抛光液膜厚度随着抛光盘转速的增加而增加,随着下压力的增加而减少.而凹面晶片的抛光液膜厚度随着转速的增加而减少,随着加工载荷的增加也减小.通过对晶片形状和加工参数对抛光液流动特性的影响分析,为改善CMP加工工艺提供理论性的依据.     

IC硅片超精密背磨用树脂2000#金刚石砂轮研究

树脂金刚石砂轮应用于IC硅片的背面减薄磨削（背磨）,工件磨削后能达到纳米级粗糙度、微米级损伤层厚度和微米级面型精度,因此对使用的砂轮性能要求很高。文章介绍了金刚石砂轮背磨技术的原理、特点,对硅片超精密背磨砂轮进行了实验研究。研制了专用的树脂结合剂,通过优化结合剂配方,使结合剂磨损速度与金刚石脱落速度达到匹配。研制的2000#金刚石砂轮经过硅片背磨试验证明,材料去除率达到10.236 mm3/s,表面粗糙度值Ra为5.122nm,损伤层厚度为2.5μm;与国外同类砂轮相比,材料去除率提高53%,硅片磨削后的表面粗糙度值接近。     

基于田口方法的铌酸锂基片CMP工艺研究

化学机械抛光(CMP)是获得超平滑无损伤铌酸锂基片的有效加工方式.其中抛光液pH值、加工载荷和抛光盘转速是影响铌酸锂基片加工表面质量的重要因素.文章采用田口方法对这3个重要影响因素进行了优化设计,得到以表面粗糙度为评价条件的综合最优抛光参数.实验分析表明,当抛光液pH值为10.8,加工载荷90 kPa.抛光盘转速50r/min时,经过3 h的抛光后,可以获得超平滑无损伤的铌酸锂基片(Ra为1mm).     

毛油非水化磷脂对二级油品脱胶的影响

对非水化磷脂的种类、形成原因及去除方法进行简要论述,并结合实践介绍二级油品脱胶去除非水化磷脂的方法。     

颗粒粒径对射流抛光中材料去除的影响

射流抛光技术中,抛光液中颗粒粒径是影响抛光效果的非常重要的一个参数。利用自主研制的射流抛光实验机,采用定点冲击实验研究不同颗粒粒径下的被抛光表面的材料去除特性。实验结果表明,不同颗粒粒径定点冲击时工件表面材料去除均呈圆环状。随着颗粒粒径的增大,材料最大去除深度与材料去除体积呈单调非线性增加,这说明射流的材料去除能力随着颗粒粒径的增大而显著增加。但是,研究结果也表明材料最大去除的位置与射流中颗粒粒径无关,基本保持不变。研究结论有助于深入理解射流抛光中的材料去除机理。     

管道喷涂机器人喷枪运动速度优化

为提高机器人喷涂时涂层厚度均匀性,首先根据机器人喷涂时涂层形状呈椭圆形的实际情况,选择双β分布喷枪模型对涂层厚度分布进行描述,在此基础上分析喷枪运动过程中涂层厚度累积机理。通过喷枪匀速运动条件下的圆形管道喷涂实验,研究管道内壁涂层厚度与涂料涂着效率变化规律之间的关系,提出机器人喷涂作业时喷枪运动速度优化方法,即保持喷枪运动速度与涂料涂着效率之间比值恒定。实验结果表明,该速度优化方法可有效提高涂层厚度均匀性。     

化学辅助软性磨粒流抛光技术

针对当前模具结构化表面抛光难度大的问题,提出了一种新型的光整加工技术——化学辅助软性磨粒流抛光。阐述了化学抛光、软性磨粒流抛光的工作原理以及相互协调作用机理,对化学抛光液中各组分的抛光作用进行分析,探讨了软性磨粒流中流体的速度、磨粒的粒径与体积含量3个主要工艺参数对材料去除率的影响规律,提出固液两相流场的数值模拟、环保型化学液的配置以及理论模型的建立是3个关键技术,最后对化学辅助软性磨粒流抛光应用前景进行展望。     

化学机械抛光用抛光垫的修整对修整效果的影响因素

抛光垫修整是化学机械抛光的重要过程之一。合理的修整可以改善修整效果,提高抛光质量。抛光垫的修整效果可以通过修整器的设计和修整工艺参数进行调整。文章通过对CMP用抛光垫修整现状的阐述,分析了对其修整效果的影响因素。金刚石颗粒的排列方式会影响修整效果,颗粒尺寸的增大会促进修整效率的提高．修整效率随着修整压力的增大而增大,修整时间和转速对修整效率有影响。温度的升高,可以改善修整质量,修整密度越大,抛光垫的磨损率越高。     

非织造基质抛光材料加工技术及发展探析

非织造基质抛光材料以其散热性佳、挠曲性强和抛光性优等特点而在抛光行业占有重要的地位。在加工非织造基质抛光材料的过程中 ,磨料及胶粘剂的选择至关重要。非织造技术的不断改进 ,将有力地推动高性能非织造基质抛光材料的发展     

硅片切割技术的现状和发展趋势

随着太阳能技术和半导体技术的飞速发展,对硅片的直径,厚度和精度提出了更高的要求,传统的硅片加工方式已经不能满足需要。文章分析内圆切割、多线切割、电火花钱切割和超声振动切割四种硅片切割方式,指出多线切割是硅片的主要切割方式,电火花线切割硅片技术有很大的发展潜力,超声振动切割优于其它三种硅片切割方式。     

磁控式气囊抛光实验研究

基于磁控式气囊抛光实验平台,对抛光中的不同加工区域进行针对性的实验研究。首先,以材料去除率和加工工件表面粗糙度为目标,通过正交试验法获取加工接触区各个相应参数的影响程度以及优选方案;其次,对加工非接触区以不同的抛光形式进行实验对比,得到各自的抛光效果,以及粗糙度随时间变化曲线。     

固结磨料加工硅片的技术进展

随着集成电路(IC)制造技术的飞速发展，为了进一步增加IC芯片的产量和降低单元制造成本，硅片趋向大直径化。高质量、大尺寸硅片的制造对超精密加工技术提出了更加严峻的挑战。简要地介绍了传统的及目前流行的硅片加工工艺，讨论了在线电解修整(ELID)辅助磨抛硅片技术；最后，针对团结磨具中存在的超细磨料团聚问题，介绍了几种新型的磨抛盘制备技术。     

五金制品抛光粉尘治理的系统设计

从五金制品抛光粉尘的特性出发,根据抛光工艺、工件材料等提出粉尘捕捉方式和粉尘治理采用的形式,详细介绍捕捉技术及风量计算、治理系统风机选择及相应的风压、风量计算和辅助设施设置原则。对设计关键技术进行详细论述,对抛光粉尘治理有着重要的指导意义.