平均读写算法在闪存中的应用研究

1 Flash存储器结构及特性 Flash存储器是在EPROM和EEPROM的制造技术基础上发展起来的一种可擦除、非易失性存储元件.1983年,Intel公司提出了EPROM隧道氧化层ETOX(EPROM Tunnel Oxide)原理,1988年推出了第一块可快速擦写的非易失性"或非"(NOR)型Flash存储器.随后,Toshiba公司又推出了基于Fowler Nordheim的冷电子擦除原理和"与非"(NAND)型Flash存储器.     

FM31256的工作原理

FM31256是新一代多功能系统监控和非易失性铁电存储芯片,它与其他非易失性存储器相比较,具有读写速     

TMS320VC5509的二次引导加载方法

在嵌入式系统中,微处理器的运行程序通常保存在其内部或外部非易失性存储器（如EPROM、EEPROM或Flash）中。对中低速的微处理器来说,系统运行时程序可直接从非易失性存储器读取并解释执行;对高速微处理器来说,非易失性存储器的读取速度较低,不能满足系统运行时程序代码直接读取的要求,需采用引导加载（Boot—load）方式将程序代码从低速非易失性存储器中加载到高速的存储器（如SRAM或DRAM）中,系统运行时直接从高速存储器中读取程序代码,实现系统的高速运行。因此引导加载是高速微处理器系统的关键技术之一。     

快速擦写存储器及其构成的IBM-PC存储卡

新一代非易失性存储器件——快速擦写存储器的原理特点及其擦写/编程方法,以典型产品28F256芯片为例,给出了构成的IBM-PC微机存储器卡.     

飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来

经常有人将磁阻RAM(MRAM,Magnetoresistive Random Access Memory)称作是非易失性存储器(NVRAM, Non-Volatile RAM)未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,它的寿命几乎是没有限制的.MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存,以及其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用.     

基于非易失性存储器的存储引擎性能优化

非易失性存储器具有接近内存的读写速度,可利用其替换传统的存储设备,从而提升存储引擎的性能。但是,传统的存储引擎通常使用通用块接口读写数据,导致了较长的 I/O 软件栈,增加了软件层的读写延迟,进而限制了非易失性存储器的性能优势。针对这一问题,该文以 Ceph 大数据存储系统为基础,研究设计了基于非易失性存储器的新型存储引擎 NVMStore,通过内存映射的方式访问存储设备,根据非易失性存储器的字节可寻址和数据持久化特性,优化数据读写流程,从而减小数据写放大以及软件栈的开销。实验结果表明,与使用非易失性存储器的传统存储引擎相比,NVMStore能够显著提升 Ceph 的小块数据读写性能。     

上海“相变存储器”研究与国际前沿基本同步

“非易失性存储器”作为新一代国际公认存储技术，越来越受到世界各国的重视。记者从11月7日在沪召开的第十一届IEEE非易失性存储器国际研讨会上获悉，上海承担国家科技重大专项、国家纳米重大研究计划等项目，牵头研发非挥发的新型相变存储器，已公开约300项海内外专利，填补了我国新型相变存储器的空白，研发与国际前沿实现基本同步。     

新型非易失性存储器架构的缓存优化方法综述

随着半导体工艺的发展,处理器集成的片上缓存越来越大,传统存储器件的漏电功耗问题日益严峻,如何设计高能效的片上存储架构已成为重要挑战.为解决这些问题,国内外研究者讨论了大量的新型非易失性存储技术,它们具有非易失性、低功耗和高存储密度等优良特性.为探索spin-transfer torque RAM (STT-RAM),phase change memory (PCM),resistive RAM (RRAM)和domain-wall memory(DWM)四种新型非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)架构缓存的方法,对比了其与传统存储器件的物理特性,讨论了其架构缓存的优缺点和适用性,重点分类并总结了其架构缓存的优化方法和策略,分析了其中针对新型非易失性存储器写功耗高、写寿命有限和写延迟长等缺点所作出的关键优化技术,最后探讨了新型非易失性存储器件在未来缓存优化中可能的研究方向.     

韩国现代汽车智能安全气囊 采用FRAM作为数据存储器

世界著名的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品供应商及开发商Ramtron International宣布，韩旧现代Hyundai Aulonet公司选用了其生产的FRAM产品用于该公司的汽车智能安全气囊和乘客传感器中。非易失性存储器（FRAM）具备无与伦比的读写寿命及高速的数据写入能力。成为当今日益复杂的智能安全气囊系统的理想选择。     

RRAM的阻变特性研究

阻变存储器（RRAM）是一种基于阻值变化来记录存储数据信息的非易失性存储器（NVM）,RRAM具有存储单元结构简单、工作速度快、功耗低等诸多优点,因而受到广泛关注。主要从三方面论述 RRAM的阻变特性。