一种LD泵浦固体激光器电源的设计

半导体LD泵浦固体激光器对电源要求很高，需要电源具有慢启动和微机控制激光功率的功能，同时应具有抗电网浪涌和滤除噪声以及保护等功能，文章介绍了这种新型LD激光器电源的电路原理和微控制程序。     

一种雪崩光电二极管自耦型偏压电源升压电路

设计采用自耦变换方法设计了一种适用于低电压的小型低功耗偏压电路,实现了5 V至100~600 V的变换,降低了对升压器件的耐压要求,简化了电路结构,也减小了探测电路体积和功耗,使得相关探测一类的应用得以小型化。     

一种实用可控的脉冲产生电路

本电路为提高矿井提升信号系统的性能而设计，它采用ＭＯＳ集成芯片，其势态和动态电流仅为几毫安，工作安全可靠，已在现场使用一年多，取得了满意的结果。     

高重频二极管侧面泵浦固体激光器的热效应研究

对高重频二极管侧面泵浦固体激光器中工作物质的热效应进行了理论分析,根据所建 立的理论模型,利用计算机模拟了固体工作物质内的温度分布情况,并通过实验说明了热效应对激光器输出性能的影响,在此基础上提出了补偿热效应的方法。     

一种脉冲激光器驱动电路的实现方法

激光器驱动电路是激光雷达的重要组成部分,其技术指标将直接影响到激光雷达整体性能.根据激光器的特点,激光光脉冲有两个主要参数:脉冲能量和宽度.这两个因素对距离和距离分辨率分别有很大的影响.常见的驱动电路大都利用DC-DC升压电路,大电感充放电来实现,能量不稳定,并且电路纹波较大.在过去的十年中,具有成本效益的Si MOS...     

一种紧凑型双圆极化有源接收天线设计

设计了一种S波段紧凑型双圆极化有源接收天线,该有源接收天线将微带贴片天线与90°混合电桥、低噪声放大器集成设计,既实现了有源天线的整体小型化又提高了各器件间的连接效率;并通过背馈玻璃绝缘子和一种半差分的方式馈电,在改善微带贴片天线方向图对称性的同时,简化了传统差分式馈电的复杂结构.仿真和实测结果表明,该有源接收天线在2.2~2.3 GHz内端口驻波比小于1.47,噪声系数小于0.73 dB,主瓣内轴比小于2.4 dB,G/T值大于-13.9 dB/K,与已有公开文献的有源接收单元天线相比,在保持结构紧凑的同时,其G/T值有较大幅度提升.     

一种新颖的大功率LED灯驱动电路

大功率LED灯有很多优点,而LED驱动电路对LED非常重要,LED驱动和调光是目前研究的热点。针对目前LED驱动电路的不足,设计了一种新颖的LED驱动电路,该电路以单端反激式开关电源为控制的第一级,压控制恒流源为第二级,可同时保证控制精度和效率。实验结果表明该电路效率高、功率大,同时电路还能自适应调光,更加节能可靠。     

高功率二极管泵浦固体激光谐振腔的进展和分析

对近年来用于高功率二极管泵浦固体激光器的新型光腔，如棒成象非稳腔，近共心非稳腔，折迭腔以及ＳＢＳ相位共轭ＭＯＰＡ系统等进行了深入的分析，并对实现高功率输出和高光束质量的相关技术作了讨论。     

高功率二极管泵浦固体激光谐振腔的进展和分析

对近年来用于高功率二极管泵浦固体激光器的新型光腔,如棒成象非稳腔,近共心非稳腔,折迭腔以及SBS相位共轭MOPA系统等进行了深入的分析,并对实现高功率输出和高光束质量的相关技术作了讨论.     

采用GaN HEMT的可调窄脉冲激光器驱动电路

为实现纳秒级的输出光脉宽,使用GaN HEMT作为激光器放电回路的开关管。由于GaN HMET的栅极总电荷小,提出使用小尺寸的GaN HEMT建立驱动电路的输入级,响应控制信号,控制放电回路开关管。搭建电路驱动860 nm激光器,并进行测试。放电回路电源电压为12 V,测试结果显示,最大输出光脉宽8.8 ns对应大于8 W的峰值功率,输出最小光脉宽为4 ns。为实现更大的脉宽可调范围,设计另一款电路并测试。该电路实现输出光脉宽大于8.4 ns可调,在电源电压20 V、输入信号脉宽100 ns的条件下,输出光峰值功率可达46 W。电路尺寸分别为10 mm×6 mm和13 mm×11 mm,为实现进一步小型化,对设计的电路提出了集成方法。提出的电路结构简单、容易实现集成且成本低,为窄脉冲激光器驱动电路的设计提供了新的思路。     

窄脉冲大电流半导体激光器驱动电路设计与仿真

设计出了一种窄脉冲大电流的半导体脉冲激光器驱动电路,并对电路进行理论分析以及Multisim仿真研究。相比以往研究,本仿真研究中考虑了电路和LD本身的寄生参数,使得仿真与实际电路更加吻合。该电路结构简单,采用了专用的MOSFET硬件关断加速电路和电容充放电方式向负载提供瞬时窄脉冲大电流的脉冲输出,脉冲宽度低于2.5ns,上升时间低于3.5ns,峰值电流超过20A。     

大电流窄脉冲激光器电源的设计

本文主要介绍了一种为大电流窄脉冲激光器供电的激光电源的设计方法。文章中首先论述了激光电源的发展现状。然后根据工作项目的要求,通过CPLD实现脉冲可调,用VMOS管实现恒流控制,详细的介绍了这种激光电源的工作原理,设计方法,电路调试的过程及结果。最终成功的设计出激光电源,其工作频率可调,脉宽：80ns-200ns可调,脉冲电流高达6A。     

二极管阵列侧面泵浦固体激光介质的光场分布

研究LD阵列侧面泵浦Nd：YAG激光器泵浦光场的分布特点。首先,在已建立的二极管单bar单侧面泵浦YAG晶体泵浦光场分布数值模型的基础上,进一步建立了适用于激光二极管阵列多侧面泵浦YAG晶体的泵浦光场分布数值模型。然后,根据所建模型,采用光线追迹的方法,借助Matlab编程模拟了单侧面、二侧面、三侧面、五侧面泵浦方式的泵浦光分布特点．分析了系统参数：介质半径、介质吸收系数、光束光腰半径、泵浦距离、二极管bar间距、介质表面粗糙程度对泵浦光分布特性的影响,总结出了一般规律。可为二极管泵浦固体激光器的结构设计和实验研究提供理论参考。在理论分析的基础上,进行了单侧面、二侧面泵浦方式的二极管阵列直接侧面泵浦固体激光器的实验研究。实验结果与理论分析结果基本相符,验证了所建数值模型的正确性。该数值模型的特点是：采用光线追迹方法;适用于漫反射表面工作物质：适用于多种侧面直接泵浦方式,具有可扩充性。     

半导体激光泵浦固体激光器的新进展和应用前景

评述了半导体激光泵浦固体激光器的国际新进展及其在军事、工业和医学上的应用前景。综述了近年来DPL的国内进展, 内容包括用连续1 W LD端面泵浦和准连续60 W LDA侧面泵浦固体激光器的研究中得到的有关单纵模、调Q和锁模的结果。     

两相两重斩波变换的半导体激光器电源研究

为了提高传统线性半导体激光器电源的电能转换效率、输出电流的动态响应以及对负载电压的自适应能力,采用两相两重斩波变换技术,设计了一种半导体激光器用2kW直流驱动电源。测试并分析了该电源在激光系统中的静态特性、动态特性以及两相两重斩波变换电流源的效率。结果表明,电源对负载电压自适应能力强,具有较好的矩形输出特性;直接驱动激光二极管模块时,该电流源的电能转换效率高达93%,输出电流0A~100A的上升、下降时间仅为0.5ms,电流纹波系数小于0.03%。     

半导体侧面泵浦固体激光器均匀性的计算和分析

建立了半导体侧面泵浦固体激光介质内泵浦光能吸收分布情况的数值模型。模拟计算了不同泵浦参数下棒状介质和板条介质内泵浦光能的吸收分布,计算结果和有关实验结果符合得很好。得出了半导体侧面泵浦机构中介质尺寸、介质吸收系数和半导体激光器发光面到介质泵浦面距离这三个参数对泵浦均匀性的影响,比较了棒状介质和板条介质在半导体侧面泵浦应用中的优劣。     

LD泵浦8.7 kW固体热容激光器实验研究

设计了高功率固体热容激光器实验装置。采用二极管阵列泵浦Nd:GGG晶体腔内串联的方式,对激光器的输出特性进行了实验研究,得到输出平均功率8.7 kW,光光效率20%。获得了增益介质内的荧光分布,利用干涉测量法测量干涉条纹表征增益介质受热后折射率变化造成的畸变。     

大电流长脉宽LD激光器驱动电源的研制

本文主要介绍了一种大电流长脉宽半导体激光器骄动电源的设计方法。根据大功率脉冲型LD的工作特性,作者设计了一套采用L—C串联谐振的恒流充电电路与大功率金属氧化层半导体场效应管（MOSFET）线性控制脉冲放电电路相结合的驱动电源。此电源满足了输出脉冲电流幅值、脉宽、重频、调Q精确延时均方便可调的要求;并且辅助以片上系统（soc）单片机和CPLD为核心的控制电路,使电源电路具有结构简单,控制灵活,精度高等特点;同时结合多路在线实时保护电路,有效保证了LD的安全工作。该电源已经成功应用于“XX装置”预放大器项目。     

脉冲半导体激光器驱动电源的设计

简要介绍了脉冲半导体激光器驱动电源的设计原理,重点阐述了电路设计中,可能危及脉冲半导体激光器安全工作的几个隐患,同时针对隐患如何从电路上解决,提出解决办法。文中最后给出了设计的驱动电源的实测电路波形。     

A 15 Gbps-NRZ,30 Gbps-PAM4,120 mA laser diode driver implemented in 0.15-an GaAs E-mode pHEMT technology

This paper presents the design and testing of a 15 Gbps non-return-to-zero (NRZ),30 Gbps 4-level pulse amplitude modulation (PAM4) configurable laser diode driver (LDD) implemented in 0.15-μm GaAs E-mode pHEMT technology.The driver bandwidth is enhanced by utilizing cross-coupled neutralization capacitors across the output stage.The output transmission-line back-termination,which absorbs signal reflections from the imperfectly matched load,is performed passively with on-chip 50-Ω resistors.The proposed 30 Gbps PAM4 LDD is implemented by combining two 15 Gbps-NRZ LDDs,as the high and low amplification paths,to generate PAM4 output current signal with levels of 0,40,80,and 120 mA when driving 25-Ω lasers.The high and low amplification paths can be used separately or simultaneously as a 15 Gbps-NRZ LDD.The measurement results show clear output eye diagrams at speeds of up to 15 and 30 Gbps for the NRZ and PAM4 drivers,respectively.At a maximum output current of 120 mA,the driver consumes 1.228 W from a single supply voltage of-5.2 V.The proposed driver shows a high current driving capability with a better output power to power dissipation ratio,which makes it suitable for driving high current distributed feedback (DFB) lasers.The chip occupies a total area of 0.7 × 1.3 mm2.