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以TiC、Ti和Al粉为原材料,采用冷压预成型-热压辅助工艺原位制备Ti3 AlC2陶瓷.借助反应吉布斯自由能分析TiC-Ti-Al体系的合成机制,采用XRD和SEM分析工艺因素如升温速率、Al含量、烧结温度和压坯尺寸对原位合成Ti3 AlC2陶瓷的影响.结果表明,通过调控工艺,成功合成了高纯度Ti3 AlC2陶瓷,Ti3 AlC2具有典型的层状结构.该反应体系的最佳升温速率为:1000℃之前,20℃/min; 1000℃之后,10℃/min.用纳米TiC粉替代微米TiC粉,烧结温度由1450℃降至1350℃,且Ti3 AlC2的合成纯度更高.当采用大尺寸压坯时,发生了“热爆”现象,非平衡相较多,Ti3 AlC2的生成含量较低,且样品开裂严重.Ti3 AlC2的合成过程为:Ti与Al反应生成TiAl金属间化合物,接着TiAl与TiC反应生成Ti3AlC2. 相似文献
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以TiC/Ti/Al为原料,采用热压工艺在1400℃原位合成和烧结了含少量第二相Ti3AlC2的Ti2AlC材料。通过不同温度和不同热压时间下合成试样的:XRD分析探讨了Ti2AlC的合成过程。结果表明,高温下Ti与Al反应生成中间相TiAl金属间化合物,然后TiC与TiAl金属间化合物反应生成Ti2AlC。初期反应非常迅速,大部分Ti2AlC在此阶段生成。反应后期反应物减少,速度变慢,同时生成少量第二相Ti3AlC2。不同温度下合成的Ti2AlC颗粒具有不同的形貌特征。 相似文献
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Ti_3AlC_2陶瓷的热压合成 总被引:1,自引:0,他引:1
以TiC-Ti-Al为反应体系,采用原位热压技术制备Ti3AlC2陶瓷。借助XRD分析相组成,并对实验现象进行分析。结果表明,TiC的加入,避免了Ti和C粉之间强烈的放热反应。通过降低初始压坯尺寸抑制了"热爆行为",有利于合成高纯Ti3AlC2。用大压坯时,"热爆行为"明显,产物由Ti3AlC2、TiC和Ti3Al相组成,Ti3AlC2含量少;用小压坯时,未发生"热爆行为",产物由Ti3AlC2和TiC相组成,Ti3AlC2相含量较高。 相似文献
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综合介绍了新型陶瓷Ti3AlC2的研究进展。三元碳化物Ti3AlC2属于六方晶系,其晶体为层状结构。它同时兼有金属和陶瓷的优良性能,具有良好的导电和导热能力、高弹性模量和低维氏硬度、良好的抗破坏能力;能在室温下进行切削加工,在高温下能产生塑性变形;它还具有良好的高温稳定性和抗氧化性能。应用SHS、HIP、HP等方法可制备出高纯、致密的Ti3AlC2材料。 相似文献
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自蔓延高温合成Ti3AlC2 和Ti2AlC及其反应机理研究 总被引:17,自引:1,他引:17
以Ti,Al和C的粉体混合物为原料,在纯氩气气氛,25MPa压力,1600℃保温4h条件下,自蔓延高温合成了Ti3AlC2和Ti2AlCT,利用X射线衍射分析(XRD)和扫描电镜(SEM)等手段对反应产物进行了研究,提出了自蔓延高温合成Ti3AlC2和Ti2AlC应具备的条件,并探讨了Ti,Al和C自蔓延高温合成Ti3AlC2和Ti2AlC的反应机理,结果表明,Ti3AlC2和Ti2AlC能够由Ti,Al和C元素经高温自蔓延合成反应来制备,其制备的必要条件是需要极快的加热速率以防止铝熔化并且改变钛的转移路线,Ti3AlC和Ti2AlC综合了金属材料和陶瓷材料的优点,成功的应用自蔓延高温方法合成Ti2AlC2和TiAlC必将成为该类材料纯块体的合成和制备提供好的原料,从而这类材料的实际应用将起到极大的推动作用。 相似文献
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TiAl对燃烧合成Ti_2AlC的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以单质粉末Ti,Al和炭黑为原料,添加一定量燃烧合成法自制的金属间化合物TiAl,在保持总配方中Ti2AlC化学计量比不变时,研究了TiAl对燃烧合成产物的影响。结果表明:不添加或添加质量分数为20%~35%的TiAl,燃烧合成产物的主晶相均为Ti3AlC2,只含有少量Ti2AlC。产物中Ti3AlC2量随添加TiAl量增加而增加,而Ti2AlC相的含量基本不变。生成Ti2AlC和Ti3AlC2的反应是Ti-Al-C燃烧反应体系中的平行反应,实验中生成Ti3AlC2的速率大于生成Ti2AlC的速率。金属间化合物TiAl不是控制燃烧合成Ti2AlC反应速率的物质,而是控制燃烧合成Ti3AlC2反应速率的物质之一。从化学反应动力学和热力学角度探讨了TiAl对Ti-Al-C体系燃烧合成过程的影响机理。 相似文献
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Ti3AlC2陶瓷的制备及其摩擦磨损性能 总被引:1,自引:0,他引:1
以钛、铝、碳粉为反应物原料,采用反应烧结技术制备了Ti3AlC2陶瓷,研究了各工艺参数对制备试样物理性能的影响,同时也对其摩擦磨损性能进行了分析。实验结果表明:按照摩尔比x(Ti):y(Al):z(C)=3.0:1.2:2.0的配比进行反应烧结,在1 300℃烧结0.5 h,能够制备出高纯致密的Ti3AlC2陶瓷,其质量含量高达94.6%,孔隙率为9.4%。当烧结温度过低时,得到的Ti3AlC2陶瓷含量较低,且杂质较多;当烧结温度过高时,会导致Ti3AlC2陶瓷发生分解反应。当载荷较小时,Ti3AlC2陶瓷磨损以磨损面的解理流变和粒子脱落造成的磨粒磨损为主;而载荷较大时,其磨损机理以轻微划痕和轻微黏着磨损为主。 相似文献
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为了提高Ti_3Al C_2陶瓷的力学性能,本研究以Ti C粉、Ti粉、Al粉和V2O5粉为起始反应原料,采用原位热压技术在1350°C下反应烧结合成出了(Ti,V)_3AlC_2/Al_2O_3复合材料。利用X-射线衍射和扫描电子显微技术对合成产物的物相和微观结构进行了表征,并分析了复合材料的合成机制。最后,对(Ti,V)_3AlC_2/Al_2O_3复合材料的力学性能进行了研究。测试结果表明:(Ti_(0.92),V_(0.08))_3Al C_2/10wt%Al_2O_3复合材料具有最佳的力学性能,其硬度、断裂韧性及抗弯强度分别为5.56 GPa、12.93 MPa·m~(1/2)和435 MPa,相比于单相Ti_3Al C_2材料分别提升了60%、108%和31%。 相似文献
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研究常温下He离子辐照对Ti3AlC2材料形貌和结构的影响并对其机理进行了分析.采用能量为70 keV,剂量为1×1017ions/cm2,位移损伤峰值为16.4 dpa的He离子注入Ti3AlC2材料;发现Ti3AlC2材料辐照损伤和He离子浓度有关,随着He离子浓度增大,辐照损伤程度越大;Ti3AlC2材料经过He离子辐照后产生会有孔洞、凸起和氦气泡产生;与此同时,Ti3AlC2结构上发生ɑ相到β相的转变,并对Ti3AlC2材料的损伤机理进行分析. 相似文献
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以Ti3AlC2和Cu粉作为原料,使用放电等离子烧结制备Cu/Ti3AlC2复合材料,研究了不同烧结温度对复合材料的影响。结果表明,在750~800℃之间,Cu与Ti3AlC2之间会发生反应生成TiC相。同时随着温度在650~850℃不断增加,密度和抗弯强度不断增加在850℃达到最大值分别为8.33 g·cm^-3和531.4 MPa,而电阻率先减小在750℃达到最小值1.98×10^-7Ω·m后增加在850℃达到最大值6.47×10^-7Ω·m。Cu/Ti3AlC2复合材料性能随着温度的变化与其致密度和反应生成TiC有着密切的联系。 相似文献