焦点产品

PowerTrench~(TM)系列功率MOSFET 快捷(Fairchild)半导体推出一种PowerTrench技术制造的功率MOSFET,据美国快捷半导体香港有限公司市务经理郭耀明介绍,与平面工艺相比,用PowerTrench技术制造的功率MOSFET 电流大,而且导通电阻较低和栅极充电电荷较小。例如,NDS8410A是用平面工艺制造的,同一档的FDS6690A是用PowerTrench工艺制造的。前者的导通电阻是12mΩ和后者的13.5mΩ相近;但是,在栅源电压为10 V时,前者的栅极充电电容是45nC,后者仅有29nC。     

具有极低导通电阻的20V N通道功率MOSFET

SiR440DP系列功率MOSFET在20V额定电压时具有低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积,在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2．0mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1．55mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是DC／DC转换器应用中MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为87。SiR440DP将在同步降压转换器以及二级同步整流及OR—ing应用中用作低端MOSFET。其低传导及切换损耗将确保稳压器模块（VRM）、服务器及使用负载点（POL）功率转换的诸多系统实现功效更高且更节省空间的设计。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

隔离式MOSFET驱动器IC功效在轻载时得到改善

许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而．对于大功率MOSFET．特别是绝缘栅极双极晶体管（IGBT）．工程师更希望栅极到源极电压为12V-15V．因为这些电源开关的导通电阻在高栅极到源极电压情况下会进一步降低。     

NexFETTM：新一代功率MOSFET

对于理想开关的需求 功率MOSFET可做为高频率脉冲宽度调变（PWM）应用中的电气开关．例如稳压器及／或控制电源应用之中负载电流的开关。做为负载开关使用时，由于切换时间通常较长．因此装置的成本、尺寸及导通电阻（on-resistance）是设计时考虑的重点。用于PWM应用时，晶体管必须在切换期间达到最低的功率损耗．对于促使MOSFET设计愈形严苛且时间成本更高的小型内部电容而言，     

基于漏极导通区特性理解MOSFET开关过程

本文先介绍了基于功率MOSFET的栅极电荷特性的开关过程;然后介绍了一种更直观明析的理解功率MOSFET开关过程的方法:基于功率MOSFET的导通区特性的开关过程,并详细阐述了其开关过程.开关过程中,功率MOSFET动态的经过是关断区、恒流区和可变电阻区的过程.在跨越恒流区时,功率MOSFET漏极的电流和栅极电压以跨导为正比例系列,线性增加.米勒平台区对应着最大的负载电流.可变电阻区功率MOSFET漏极减小到额定的值.     

超小封装芯片级MOSFET

MICRO FOOT功率MOSFET Si8461DB和Si8465DB最大尺寸为1mm×1mm×0.548mm,在芯片级功率MOSFET中实现超小体积,且导通电阻比非芯片级器件提高10倍。20V的P沟道Si8461DB和Si8465DB可用于负载开关、电池开关和充电开关应用。在4.5V栅极驱动下,Si8461DB的导通电阻为0.1Ω。除4.5V的电压等级,     

SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30～100V的电压

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻（RDS（on），适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动。以及电信设备等应用。     

基于功率MOSFET的慢升快降型高压脉冲信号源

利用MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）导通过程中某一时段输出电流和门电压成比例的特点来获得前沿缓慢而后沿陡降的高压脉冲信号,通过栅极电阻降低脉冲前沿的上升速度;通过低驱动内阻对栅极电容电荷的快速泄放提高脉冲后沿的下降速度。在50Ω负载下脉冲的最大幅度为800V,下降沿约为15ns。     

SOT-23系列：功率MOSFET

IR公司推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

高频控制开关用沟槽MOSFET的研究

高频控制开关用功率器件要同时具备极低的导通电阻和栅漏电荷值,从而降低导通损耗和开关损耗.基于器件与工艺模拟软件TsupremⅣ和Medici,研究了工艺参数和设计参数对沟槽MOSFET器件击穿电压、比导通电阻和栅漏电荷的影响,优化设计了耐压30 V的开关用沟槽MOSFET器件.对栅极充电曲线中平台段变倾斜的现象,运用沟道长度调制效应给出了解释.     

IR推出SOT-23功率MOSFET产品系列支持-30V～100V的电压

国际整流器公司（InternationalRectifier,简称IR）推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装,具有超低导通电阻（RDS（on））,适用于电池充电及放电开关、系统和负载开关、轻载电机驱动,以及电信设备等应用。     

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。     

飞兆推出PowerTrench MOSFET产品FDD4141

飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达50％，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。FDD4141采用PowerTrench工艺技术制造，将N沟道MOSFET的特性运用在P沟道MOSFET中，     

超低导通电阻MOSFET

SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET,两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有极低的导通电阻,以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM,优值系数）。     

栅极电阻对GaN MOSFET瞬态特性的影响研究

为了研究栅极电阻对GaN MOSFET的开关速率和输出特性中出现振荡的影响,首先利用MOSFET的基本公式对其导通和关断时的输出瞬态电流进行了理论推导,然后通过实验平台测试GaN MOSFET的瞬态电流值,且与理论值对比,验证栅极电阻带来的影响。实验结果表明,GaN MOSFET的瞬态电流值实验值与理论值基本吻合,在导通和关断时,GaN MOSFET的输出瞬态电流和输出电流的高频震荡均随栅极电阻的增加而减小。栅极电阻从10 Ω变化到100 Ω时,导通时开关速率上升率占总开关速率上升率的84.7%,关断时开关速率下降率占总开关速率下降率的54.06%。在栅极电阻为10~100 Ω范围内,GaN MOSFET具有较快的开关速度。     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

低Rds(on)P沟道技术

功率MOSFET常用于便携和无线产品中，其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用，功率MOSFET最重要的特性便是其漏极－源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命，提高功率转化效率。同时，便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小，因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来，为同时减小Rds(on)和封装尺寸，生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进，功率MOSFET是典型的立式器件，漏极位于芯片的底部，源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成，先进行一次体…     

使用栅极电阻控制IGBT的开关

用于控制、调节和开关目的的功率半导体需要更高的电压和更大的电流。功率半导体的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的＋15V控制电压（VG（on））,IGBT导通,负输出电压为-5…-8…-15V时,IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数,从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。