AlAs／GaAs双势垒量子共振隧穿二极管

以ＭｏｃｖＤ材料试制了ＡｌＡｓ／ＧａＡｓ双势垒量子共振隧穿二极管，其室温伏安特性为非线性。讨论了材料质量、器件结构、制作工艺等对器件性能的影响。首次报道了有ＡＶ＿（０．１４）Ｇａ＿（０．８６）Ａｓ垫的双势垒结构器件性能，有垫器件性能较无垫常规器件改进很大。     

InP单晶片研磨抛光质量的检测

InP单晶是制作长波长光源器件和光电探测器的衬底材料,在微波领域的应用也已经取得了显著进展,在未来新能源中,它又是一种很有希望的太阳电池的材料。为制作以上器件,InP单晶衬底片的制备是极为重要的。一制备工艺 1.研磨单晶切割时,由于机械的振动和切割刀片上金刚砂的摩擦,使单晶片表面下有一定深度的损伤。损伤程度受切割机转速、机械振动和刀片质量等影响,一般为几十微米。为了消除切割留下的刀痕和损伤层,需要进     

LSI/VLSI中缺陷、杂质与器件性能的关系

结合器件工艺的失效分析,评述了硅中缺陷和氧、碳、金属杂质与器件性能、器件工艺之间的相互关系。指出:杂质和缺陷对器件的性能、成品率和可靠性有严重的影响,尤其经金属杂质缀饰的缺陷对器件的危害更大。对硅中某些杂质和缺陷的最新研究进展作了介绍。     

交联聚乙烯电力电缆头的制作

交联聚乙烯电缆因其具有电气绝缘性能好、抗酸碱、耐腐蚀、允许工作温度高、故障少及接头制作工艺简单等优点,目前基本上取代了电气绝缘性能差、制作工艺复杂、故障率高的油浸式电缆,在实践中得到了广泛应用.交联聚乙烯电缆运行可靠     

整体成型玻璃钢矩形槽的设计及制作

通常冶金化工行业使用的玻璃钢矩形槽都被设计成拼装式结构,但存在制作过程工序复杂、工期长且制作成本高等缺点。本文从结构设计、成型工艺到现场应用等方面详细地介绍了铜电解工序中高位槽的设计及制作,证实了现场手糊成型工艺制作整体式玻璃钢矩形槽是值得推广的好方法。     

松比大、纯度高、球形团聚钼粉制备工艺研究

研究了松比大、纯度高、球形团聚钼粉的制备工艺过程,该工艺过程包括原料钼粉的喷雾造粒、喷雾造粒钼粉的脱脂、烧结(喷雾造粒—脱脂—烧结).结果表明:该制备工艺中,喷雾造粒是控制粉末的形貌和粒度的主要环节;脱脂温度是控制粉末纯度的重要参数;烧结是控制成品粉末物理性能及组织形貌的关键工艺;采用该工艺制备的团聚球形钼粉松比大、流动性好、纯度高,不仅适用于喷涂作业,还可用于精密器件的制备.     

你看见鄙夷我看见财富

上世纪30年代，冰淇淋开始风行于美国纽约街头，年轻的波兰·移民鲁本·马塔斯有一手制作天然冰淇淋的好手艺，他也在自己的作坊里制作冰淇淋销售。因为制作工艺不错，再加上从不欺市卖假，他渐渐有了一些小名气。     

钼合金、钨合金圆片

钼合金、钨合金圆片涉及一种电力半导体器件及电真空器件中的基片（俗称圆片）。主要是为解决现有的用钼制作的圆片只能制作普通的电力半导体器件及电真空器件。而用钨制作的圆片加工困难的问题而研制的。该发明的钼合金圆片是用钼钨合金或TZM合金或稀土钼合金制成的：钨合金圆片是用钨钼合金或钨钍合金或稀土钨合金或钨铼合金制成的。优点是加工比较容易，性能比现有的钼圆片优越，可用于制作高档的电力半导体器件及电真空器件。     

吸收层及缓冲层厚度对Cu3BiS3太阳能电池的性能影响

三元硫化物半导体Cu₃BiS₃的组成元素在地壳中含量丰富、无毒，且具有优异的光电性能，被认为是一种极具潜力的太阳能电池吸收层材料。目前关于Cu₃BiS₃太阳能电池器件的研究报道还非常少，在器件结构设计与制作工艺方面有一系列亟待解决的关键科学问题。文章分别通过溶液旋涂的层数及化学浴沉积时间来调控Cu₃BiS₃吸收层与CdS缓冲层薄膜厚度，详细分析了吸收层及缓冲层厚度对太阳能电池器件的影响规律及机制。结果表明，吸收层厚度的增加能够使光的吸收增强，使短路电流密度J_SC增大，进而提高光电转换效率；然而吸收层厚度过高，会造成器件效率的下降。缓冲层厚度的增加，有利于提高器件的开路电压V_OC；缓冲层过厚，同样造成器件短路电流密度的减小以及效率的下降。实验中器件的较优光电转换效率为0.288%，对应的开路电压、短路电流密度、填充因子分别为0.215 V，2.292 mA/cm2，48.049%。      

优质超硬高速钢M42

M42钢是一种硬度高．红硬性好．耐磨的含钴超硬高速工具钢．主要用于制作各种性能的切削工其．在制作拉刀、铣刀、滚齿刀等高性能工具中得到广泛应用，而且用量不断扩大。我所经过多年的研究开发．对M42钢的化学成份进行了合理控制．采用了电渣重熔工艺以及适宜的热加工工艺．生产出M42钢的优质锻材和轧材，     

耙矿绞车出水淬渣的工艺设计与试验效果研究

针对本公司3种水淬渣出渣方式存在的操作困难、生产成本高等缺点,经过设计、制作与试验,于2011年8月逐步试验推广水淬渣工艺,以取代叉车吊运渣包的工艺。实践证明,该工艺简单易行,工作效率高,劳动作业条件好,安全可靠,成本低。     

氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定

8月 2 9日 ,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一致认为 ,中科院物理所与上海蓝宝光电材料有限公司联合开发的蓝光发光二极管解决了从外延材料到器件工艺的关键技术 ,已申请并被受理了 4项发明专利 ,产品已得到了市场的认可 ,其器件性能达到国际先进水平。这项技术的发展对推动我国蓝光LED产业化的实施有重要意义。氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定     

MOS用(100)N/N~+硅外延片

本文简述了制备(100)N/N~+硅外延片的工艺条件,给出了该材料性能数据。经器件验证,其参数均达到了国际同类型器件水平,从而证明本工艺的可行性。     

掺氮区熔硅单晶

一、前言直拉硅单晶中的氧原子,一般含量为10~17～10~18厘米~(-3),这些氧原子一方面能抑制器件制作过程中位错的产生;另一方面能通过内吸除效应,把硅晶体中的有害杂质吸除。同时氧沉淀在硅晶体中,能增强晶体的机械强度,减少高温扩散中的硅片翘曲形变,所以集成电路中广泛采用直拉硅单晶。但直拉硅单晶存在着坩埚沾污和氧的有害效应,即氧施主问题,不容易拉出高电阻率的晶体,也就不能制作高电压的器件。     

铜箔在锂离子电池中的应用与发展现状

铜箔是生产锂离子电池的关键材料之一，其品质的优劣直接影响到锂离子电池的制作工艺和综合性能。文章总结了铜箔在锂离子电池中应用的发展过程。分析了电解铜箔的抗拉强度、延伸性、致密性、表面粗糙度、厚度均匀性及外观质量等对锂离子电池负极电极制作工艺和电池性能的影响。提出了今后我国锂离子电池用高性能电解铜箔向强度高、缺陷少、表面粗糙度低、延展好、厚度δ≤10μm等方向发展。     

优质超硬高速钢M42

M42钢是一种硬度高,红硬性好,耐磨的含钻超硬高速工具钢,主要用于制作各种性能的切削工具,在制作拉刀、铣刀、滚齿刀等高性能工具中得到广泛应用,而且用量不断扩大。我所经过多年的研究开发,对M42钢的化学成份进行了合理控制,采用了电渣重熔工艺以及适宜的热加工工艺,生产出M42钢的优质锻材和轧材,钢材的常温淬回火硬度达到HRC69．5,经过航空航天部门的多家工厂多年使用,反映优良,获得一致好评。     

澳大利亚汤士威尔铜精炼厂采用ISA电解精炼工艺的技术经济评价

ＩＳＡ法铜电解是一项新工艺，在世界上具有较大影响。本文详细介绍了其工艺流程、主要设备、不锈钢母板制作工艺、操作参数、经济指标、技术发展方向和优越性。对读者全面了解ＩＳＡ法工艺是非常好的资料。     

铅电解阳极立模模板制作工艺的研究实施

在铅电解的生产中,阳极板是一个重要的部件。模板质量的好坏直接影响阳极板的表面质量,从而影响电解生产。本文从制作方法、后期加工两方面整体介绍了模板的制作工艺。论述在模板制作过程中,如何防止和减少焊接变形。对模板进行细节优化,改善脱模效率,总结出合理的制作工艺。     

60m长超大吊车梁制作工艺探索与实践

文章主要介绍了超长吊车梁焊接工艺及制作过程,针对截面高、制作难度大,而采取了严谨的焊接工艺措施,对优化超大型吊车梁的制作工艺进行了探索。     

ITO导电薄膜的用途和制备方法

本文综述了ITO薄膜的应用领域和制备工艺。ITO薄膜主要用于光电器件中,例如用于液晶显示(LCD)。制造ITO薄膜的工艺方法很多,本文综述了磁控溅射法、CVD法、喷雾热分解法和溶胶—凝胶法4种制膜工艺。