纳秒级d—T聚变反应的16.7MeVγ测量

ｄ－Ｔ聚变反应产生的１６．７ＭｅＶγ射线很弱，必须从很强的γ、中子混合场中筛选出来，故要求探测系统有高的信噪比，快的时间响应和宽的动态范围。利用高能γ与介质相互作用的康普顿效应及其定量对应关系，由扇形聚焦磁场一次偏转，用ＣＯ２气体切连科夫探测器探测电子束，或由扇形聚焦磁场二次偏转，用有机玻璃切连科夫探测器测电子束。     

固体气泡损伤探测器中子探测效率的刻度

在２＊１．７ＭＶ串列加速器上用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ、Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ、Ｄ（ｄ，ｎ）＾３Ｈｅ和Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ核反应产生的２０ｋｅＶ－１９ＭｅＶ单能快中子对中国原子能科学研究院研制的固体气泡损伤探测器进行了刻度。这种探测器可用于中子能谱和中子剂量测量。     

低能氘离子束轰击固体靶产生的远程D-D核聚变现象研究

利用强流低能氘离子束轰击由吸氢金属形成的氘自吸收靶，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应规律。并通过对实验测得的Ｄ－Ｄ聚变伴随粒子能谱，探索Ｄ－Ｄ聚变反应与靶材料结构的相关性。同时，利用氘团簇离子（ｄ＾＋３）氘核（ｄ＾＋）束轰击吸氘固体，研究固体内Ｄ－Ｄ聚变反应的特性。实验中观测到了伴随离子能谱中介于质子峰（３ＭｅＶ）和氚峰（１ＭｅＶ）之间的一个宽峰。结果分析表明，该峰是由固体靶内超出离子射程几倍至十几倍处发     

18—27MeV中子能区的有机闪烁体探测器的效率刻度

通过对Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ反应的中子角分布测量，刻度了Ｄｉ晶体的探测效率，能量范围为１８－２７ＭｅＶ。     

低本底反康普顿HPGe γ谱仪的调试

本文报道的低本底反康普顿ＨＰＧｅγ谱仪．ＨＰＧｅ探测器对￣（６０）Ｃｏ的１３３２ｋｅｖγ射线的相对探测效率为３８．３％．能量分辨率为１．７７ｋｅＶ。在阱型反符合屏蔽下．对放在探测器端面的￣（１３７）Ｃｓ点状薄膜源的峰康比可达６８５．８：１；测量时间１００ｍｉｎ．置信度９５％时．￣（１３７）Ｃｓ点源的最小判断限为１．１２ｘ１Ｏ￣（－４）Ｂｑ。在物质屏蔽和阶型反符合屏蔽下，在５０～２１５２．８ｋｅＶ能区的积分本底为０．３４３ｓ￣（－１）。与无反符合屏蔽时相比，压缩系数大于４．５．对￣（１５２）Ｅｕ体源，谱仪积分非线性为０．０２７％。     

^197Au束轰击TiD靶引起的D—D熔合研究

测量了能量范围从１．０ＭｅＶ到５．２ＭｅＶ的＾１９７Ａｕ束轰击ＴｉＤ靶引发的Ｄ（ｄ，ｐ）Ｔ反应的质子产额曲线，为了对其进行解释，根据两步级联磁撞模型的框架编写的ＴＳＣＣＦＣ程序进行了相应的计算，发现计算结果与结果在误差范围内能较好地符合。     

天然汞的全套中子数据评价

在１０￣（－５）＿ｅＶ－２０ＭｅＶ中子能量范围内对天然汞的中子核数据进行评价。评价内容包括总的、弹性、去弹、总非弹、３０条分立能级、连续非弹、（ｎ，２ｎ）、（ｎ，３ｎ，）、（ｎ，ｎ＇Ｐ）、（ｎ，ｎ＇α）、（ｎ，Ｐ）、（ｎ，α）、（ｎ，ｄ）、（ｎ，ｔ）和（ｎ，γ）截面；次级中子角分布；双微分截面（ＤＤＣＳ）；γ射线产生数据等。评价根据有效实验数据（至１９９３年）和ＵＮＦ－９２￣［１］理论计算。评价数据以ＥＮＤＦ／Ｂ６格式录入中国评价核数据库ＣＥＮＤＬ－２．１版（ＭＡＴ＝１８００），并提供核工程有关部门使用。     

轻粒子焦面探测器性能测量

利用ＨＩ－１３串列加速器，借测量２２ＭｅＶ质子在￣（１２）Ｃ的弹性散射质子及改变Ｑ３Ｄ磁谱仪的偶极磁场强度来研究轻粒子焦面探测器的位置ｘ，△Ｅ和Ｅ探测器的输出幅度，ＦＷＨＭ或分辨率，以及焦面探则器的效率同水平位置ｘ的关系。效率及Ｅ输出幅度同位置表现出非平直性。     

VT辐照模式pMOS剂量计的标定

对辐照偏置为阈值ＶＴ的ｐＭＯＳ剂量计进行了６０Ｃｏγ射线和６ＭｅＶ电子束的辐照标定，结果表明，在不低于１０２Ｇｙ（Ｓｉ）的剂量范围内，这种变化的负栅偏电压下工作的ｐＭＯＳ剂量计呈现出线性响应，其适用于空间环境的响应灵敏度为２０ｍＶ／Ｇｙ（Ｓｉ）。同时发现，对６０Ｃｏγ射线的响应灵敏度为对６ＭｅＶ电子束的１．３倍左右。对实验结果进行了分析，认为ｐＭＯＳ剂量计的响应灵敏度与粒子辐射的种类具有一定的依赖性，提出了剂量计对混合辐射场的标定方法。     

采用联反符合计数系统的康普顿抑制γ谱仪

本文介绍的用于低本底γ测量的小型康普顿抑制谱仪采用并联取样反符合计数系统，同时具有简单有效的物质屏蔽和数据自动采集和分析功能，在阱型反符合屏蔽条件下，谱仪对置于ＮａＩ（Ｔｌ）主探测器上方３．５ｃｍ处的＾１３７Ｃｓ薄膜源的探测灵敏度为７４．３７Ｐａ；在５０－２０００ＫｅＶ能区的积分本底为１５ｍｉｎ＾－１，与无反符合屏蔽时相比降低了６１．５％。     

CR-39核径迹探测器的标定试验

采用５０ＭｅＶ／ｕ＾１２Ｃ离子对ＣＲ－３９核径迹探测器进行了标定,初步获得拟合公式ＶＴ＝Ｃ·ＬＥＴＣＲ－３９＾α斜率Ｃ为０．００８３（μｍ／ｋｅＶ）＾１．４８５５μｍ／ｈ）,指数α为１．４８６５。     

北京HI－13串列加速器的能量刻度

利用￣（２７）Ａｌ（ｐ，ｎ）￣（２７）Ｓｉ中子阈反应的阈能Ｅ＿（ｔｈ）＝５．７９６９ＭｅＶ，￣（１２）Ｃ（ｐ，ａ＿Ｏ）￣９Ｂ共振反应的共振能量Ｅ＿γ＝１４．２３０７５ＭｅＶ以及对￣（１４）Ｎ（ｐ，ｐ＿Ｏ）￣（１４）Ｎ、￣（１４）Ｎ（ｐ，ｄ＿Ｏ）￣（１３）Ｎ反应用动量匹配法，在交叉能量为Ｅ＿ｃ＝１７．１６４７ＭｅＶ等３个能量点对北京ＨＬ－１３串列加速器作了刻度。得到加速器分析磁铁常数Ｋ（ｋｅＶ·ｕ／ＭＨｚ￣２）＝４３．６２１０＋１．２９３×１０￣（－５）Ｅ＿ｂ（ｋｅＶ），是能量的弱函数，在质子能量为Ｅ＿ｐ＝１４．２３０７５ＭｅＶ时，加速器的能量分辨是（ΔＥ／Ｅ）＿ｒ＝１．８×１０￣（－４），其能量稳定度为（ΔＥ／Ｅ），＝３．２×１０￣（－４）。     

HPGe低本底反康普顿γ谱仪

本文报道了以ＨＰＧｅ为主探测器的低本底反康普顿γ谱仪，该谱仪以环形和圆柱形ＮａＩ（ＴＩ）组成阱型反符合屏蔽探测器，以钢，铅及不锈钢等材料组成复合结构屏蔽室。对＾４０Ｃｏ１３３２．５ｋｅＶγ射线，ＨＰＧｅ主探测器能量分辨率为１．８６ｋｅＶ，相对效率为３８％，在阱型反符合屏蔽条件下，谱仪对＾１３７Ｃｓ点状薄膜源测得康普顿抑制系数为４．４；峰康比为８７０：１；５０￣２０００ｋｅＶ能区内每ｍｉｎ积分本底为     

地下铁室铅室组合屏蔽低本底HPGeγ谱测量系统及其应用研究

本文介绍一地下室铁室组合屏蔽低本底ＨＰＧｅγ谱测量系统。该系统由地下铁室和在其内的铅室组成物质屏蔽；在１００－２０００ｋｅＶ能区，相对效率为３８．４％的ＨＰＧｅ探测器积分本底计数率为０．７／ｓ，本底效率比为１．８２／ｓ；谱数据收集时间为１０００ｍｉｎ时对＾１３７Ｃｓ点源的探测下限为３．４ｍＢｑ，作为举例，还介绍了用该系统分析测量反应堆退役清洗去污后的不锈钢管道样品中＾１３７Ｃｓ和＾８０Ｃｏ含量及分     

合肥200MeV直线加速器的束流能谱测量系统

介绍了用分析磁铁，荧光靶，光学系统，光电二极管阵列和处理电路，示波器以及ＣＣＤ摄象系统构成的合肥２００ＭｅＶ直线加速器的束流能谱测量系统，并用该系统对２００ＭｅＶ束流能量和能散进行了测量，给出了测量结果。     

高能X或γ辐射成像阵列探测装置的研制与应用

介绍了高能Ｘ或γ辐射成像阵列探测装置的概况和高压阵列电离室的设计特征、结构与工艺，阐明了用９ＭｅＶ电子直线加速器Ｘ射线测量高压阵列电离得到的各项技术指标及其在大型集装箱和工业零部件无损检测系统中的应用。     

放射性核次级束流线终端实验装置的设计与结构

本文描述了一套放射性核次级束流引起反应测量的实验装置，它由次级束流鉴别、测量系统、次级靶控制系统和次级反应产物鉴别、测量系统组成。高增益分组延迟线读出、重心定位ＰＰＡＣ、横向场ＩＣ、椭球面镜聚焦、ＰＭＴ读出、闪烁薄膜时间拾取探测器、双叠层纵策场阳极分条读出ＩＣ、ＰＭＴ矩阵读出了Ｘ－Ｙ位置灵敏Ｐｈｏｓｗｉｃｈ闪烁探测器、康普顿抑制ＨＰＧｅγ探测器等单元是这套装置的基本部件。     

新疆电气石^60Coγ辐照变色研究

通过对新疆电气石用＾６０Ｃｏγ射线辐照、热处理可使之变以，应用ＸＲＤ、ＸＲＦ、吸收光谱实验，得出电气石改变颜色主要由ｂ位Ｆｅ＾２＋，Ｍｎ＾３＋电子的ｄ－ｄ跃迁相应的１３８００ｃｍ＾－１和１９５００ｃｍ＾－１谱所决定。 ＲＤ     

18－27MeV中子能区的有机闪烁体探测器的效率刻度

通过对Ｔ（ｄ，ｎ）￣４Ｈｅ反应的中子角分布测量，刻度了芪晶体的探测效率，能量范围为１８—２７ＭｅＶ。     

洁净核能系统边耦合质子直线加速器的设计

洁净核能系统的强流连续波质子直线加速器常温腔方案中，高能段采用边耦合加速结构（ＯＣＬ），频率为７００ＭＨｚ，工作模式为π／２模。ＣＣＬ把来自耦合腔漂移管加速器（ＣＣＤＴＬ）的３０ｍＡ、８０ＭｅＶ的质子束加速到１ＧｅＶ。ＣＣＬ段总长１０６４ｍ，采用ＦＯＤＯ的横向聚焦结构，聚集周期长度为８βλ，腔的束孔道半径为２．００、２．２５、２．５０ｃｍ。用ＳＵＰＥＲＦＩＳＨ优化腔，给出了计算结果，同时给出了能量