碲镉汞雪崩焦平面器件

碲镉汞雪崩光电二极管以其高增益、高灵敏度和高速探测的优点成为第3代红外光电探测器的重要发展方向之一.制备了截止波长3.56μm的雪崩光电二极管焦平面器件,面阵规模为16×16.焦平面器件在0～6V偏压下有效像元率大于90%,非均匀性小于20%.6 V偏压下NEPh约为60,过剩噪声因子为1.2.     

碲镉汞器件光敏元电容测试与分析

报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法.标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据.对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N区载流子浓度.     

碲镉汞光导器件振动噪声

利用振动台和频谱分析仪对碲镉汞中波光导器件的噪声进行了研究.随机振动的实验结果表明,振动环境中测量到的噪声随着随机振动功率谱密度的增大而线性增加,其比例系数是分段的,当振动功率谱密度小于0.01 g2/Hz,为32μVHz0.5/g2,大于0.01 g2/Hz,为80μVHz0.5/g2.对实验结果进行了初步分析,认为振动能量以一定的内耗系数转化为热能,以声子的形式在碲镉汞材料内传递,改变了晶格振动的能级,影响了材料的散射特性,从而影响器件的输运特性、电阻率等电学特性,产生了附加的振动噪声.     

碲镉汞器件的低温金丝球焊接

本文叙述在低温<80℃条件下,实现一次性焊接的同时,研究了焊点的外形,焊接的牢固性等问题,并就导电性能与热压焊进行了比较。     

128元长波碲镉汞焦平面器件

本文概要叙述了１２８元长波碲镉汞焦平面器件的原理及研制工艺；ＣＭＯＳ互连后测试结果：峰值Ｄλ＾＊＝３．４×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，Ｒｖλ＝１．２×１０＾８Ｖ／Ｗ，利用１２８元长波碲镉汞焦平面器件研制成功的热像仪成像情况。     

碲镉汞焦平面器件背面减薄技术

采用机械抛光和机械化学抛光的方法进行碲镉汞焦平面器件的碲锌镉衬底背面减薄,最后利用专用腐蚀液腐蚀的方法将碲锌镉衬底全部去除,碲镉汞完全露出;器件测试结果表明减薄后的MW1280×1024器件经受高低温循环冲击的可靠性显著提高。     

碲镉汞器件与材料关系探讨

本文通过多元光导器件制备实践和专题实验,考察了器件平均电阻R_D与材料电阻率p的关系,对器件和材料之间出现的不对应性进行了分析和讨论。     

碲镉汞光导器件的电学参数

本文从材料不均匀性和表面影响的角度探讨x=0.27的碲镉汞红外光电导器件芯片的电学参数可设计性差的原因。     

碲镉汞红外焦平面器件技术进展

近十年碲镉汞第二代红外焦平面探测器应用呈现爆发式增长,也是第三代焦平面技术快速发展的十年。文中对近十年来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了简单的回顾,并结合碲镉汞红外焦平面探测器的应用,对在碲镉汞红外焦平面探测器技术方面的研究工作和工程应用进行了总结,最后,对未来碲镉汞红外焦平面探测器技术的发展进行了展望。     

长波碲镉汞变面积二极管器件

采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77~147 K温度范围对器件R_0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R_0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R_0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R_0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响.     

富碲组份对碲镉汞器件性能的影响

本文研究了光谱响应范围在3～5μm的蹄镉汞光导探测器材料中镉碲组份及晶体结构对器件性能的影响。认为材料中蹄镉组份的同时测定对于晶体材料品质的评价是很重要的。实验证明,在一定x值的条件下,蹄组份值一般偏向富蹄范围。当富蹄组份含量不超过或低于50.0～51.0 ％(原子)范围,蹄的含量越接近于化学计量比50.0％ (原子)时,晶体结构越趋完整。相应于晶体的电学性能也较好。反之亦然。本研究可提供筛选晶片时的依据。     

碲镉汞晶体及器件鉴定会议圆满结束

KG814型碲镉汞晶体和HTD—PV—1型碲镉汞红外探测器鉴定会于一九八○年六月四日至六日在昆明召开。有关的研究所、院校和工厂共二十三个单位的54名代表参加了会议。会议由五机部科研局组织,委托云南省国防工办主持。会议期间,成立了由省国防工办、科学院上海技术物理所、四机部1411所、八机部8358所、冶金部401厂、     

碲镉汞器件空间辐射损伤研究的进展

碲镉汞(MCT)红外探测器在天基平台中的应用正在逐渐增多,运行于空间辐射环境这一特点给其功能实现带来了挑战.MCT器件的独特性质要求人们对空间辐射效应给予特别考虑.目前,通过利用CdTe钝化MCT探测器技术,器件的总剂量脆弱性问题已经得到解决.随着材料质量的改进(例如通过降低原生缺陷浓度),MCT器件更容易受到位移损伤...     

器件工艺对碲镉汞位错的影响

用化学腐蚀法观察到，器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）晶片的位错大幅度增殖，汞气氛下低温热处理（２２０℃）使（ＨｇＣｄＴｅ）体材料的位错密度增殖３～４倍，并分别对实验室结果进行了分析讨论．     

多元光导碲镉汞器件超声焊接工艺

本文通过超声楔焊过程,理论分析了塑性变形和界面的切向移动是提高焊接质量的两个主要因素,根据上述两方面因素,结合我们目前的多元光导碲镉汞器件流程中半过渡延伸电极形成区焊区的特点,提出了适合该工艺压焊区薄膜的最佳厚度在500nm以上,膜层要有良好的欧姆     

碲镉汞光伏器件的电极界面参数

利用热场发射理论和数值计算方法 ,分析了碲镉汞光伏器件的电流 -电压特性 ,提取了金属 -半导体 (MS)界面参数 ,并对这些参数进行了讨论 .结果表明 ,Sn/Au金属膜 -碲镉汞薄膜 PN器件的电极界面的势垒高度锁定在“Bardeen”限 ,界面密度比介质膜 -碲镉汞的大一个量级     

长波p-on-n碲镉汞红外焦平面器件研究进展

与n-on-p材料相比,p-on-n材料具有更低的暗电流和更高的工作温度,更适于长波以及高温工作碲镉汞红外焦平面器件。介绍了法国Sofradir公司、美国Raytheon Vision Systems公司以及国内的华北光电技术研究所和昆明物理研究所在长波p-on-n器件上的研究进展。     

碲镉汞光伏器件的电极界面参数

利用热场发射理论和数值计算方法,分析了碲镉汞光伏器件的电流-电压特性,提取了金属-半导体(MS)界面参数,并对这些参数进行了讨论.结果表明,Sn/Au金属膜-碲镉汞薄膜PN器件的电极界面的势垒高度镇定在"Bardeen"限,界面密度比介质膜-碲镉汞的大一个量级.     

碲镉汞光导探测器的变温测试

报道了ＨｇＣｄＴｅ光导探测器光电参数随温度变化的关系，重点描述了光谱响应变温测试，给出了ＨｇＣｄＴｅ器件从液氮到室温 之若干个不同温度点测试的光谱响应曲线及器件变温测试的性能参数对照表，并与经验公式计算结果进行对比，给出了相应的测试误差分析。     

碲镉汞薄膜少子寿命测试研究

碲镉汞(HgCdTe)材料的少子寿命是影响碲镉汞红外探测器性能的重要参数.分别采用微波光电导衰减(Microwave Photoconductivity Decay,μ-PCD)法和微波探测光电导(Microwave Detected Photoconductivity,MDP)法对 HgCdTe 薄膜的少子寿命进行了...