光纤光栅外腔半导体激光器频率调谐技术研究

在分析了光纤光栅外腔半导体激光器(FBG-ECL)基本特性的基础上,调研了适用于该类型激光器的频率调谐方法,包括温度调谐法和应力调谐法,选取轴向应力调谐法改变光纤光栅的布拉格中心波长,进而实现频率调谐。利用压电陶瓷(PZT)来对光纤光栅施加轴向应力,通过调整PZT驱动电压值的大小来控制光纤光栅布拉格中心波长的变化量。实验结果表明,对于波长1550 nm的光纤光栅激光器,当PZT的驱动电压增加到126 V时,可实现 0.8 nm,即100 GHz的调谐范围以及每周期2 ms的调谐速度。     

新颖的波长可选择调谐外腔激光器研究

采用增益芯片与取样光纤光栅双端耦合、双端可调的新颖外腔调谐方式,得到了36 nm的准连续调谐范围、约35 dB的边模抑制比、模式稳定性良好的实验结果.讨论了取样光纤光栅参量对可调谐激光器性能的影响,检验了取样光纤光栅波长漂移的应力响应.提出了一种新颖的、简单的调谐方案,详细地阐明了其调谐机理.     

一种多参数光纤光栅波长调谐器的设计与研制

对基于应力、位移、空间角度的多参数可调谐的光纤光栅(FBG)波长调谐进行了理论分析和实验研究.根据推导出的波长调谐公式,数值模拟了光纤光栅波长受应力、位移、空间角度时的多种调谐关系.在模拟分析的基础上,设计了一种基于应力、位移、空间角度的多参数可调谐的光纤光栅波长调谐器,并进行了实验验证.实验表明基于应力、位移的调谐为线性调谐,各光栅调谐线性拟合度均达0.9975以上;基于角度的调谐近似满足正(余)弦调谐.理论分析和实验测量具有良好的一致性.     

新颖的波长可选择调谐外腔激光器研究

采用增益芯片与取样光纤光栅双端耦合、双端可调的新颖外腔调谐方式,得到了36 nm的准连续调谐范围、约35 dB的边模抑制比、模式稳定性良好的实验结果。讨论了取样光纤光栅参量对可调谐激光器性能的影响,检验了取样光纤光栅波长漂移的应力响应。提出了一种新颖的、简单的调谐方案,详细地阐明了其调谐机理。     

动态可调谐光纤光栅单/双信道滤波的实现

阐明了应力引起光纤光栅布拉格波长漂移的机理；分析了应力对光纤光栅的反射谱的影响。采用施加应力的方法，实现了基于动态可调谐的光纤光栅的单／双滤波。     

光纤光栅电磁调谐技术的研究

提出了一种实用可行的控制光纤光栅波长的电磁调谐技术。实验表明 ,此调谐方法在 30 0mA电流下可达到 1 38nm的调谐范围 ,且具有较好的恢复性。可以应用于可动态配置全光分 /插复用器OADM系统中 ,也可用来对光纤光栅外腔激光器进行调谐和波长锁定 ,并可用于波长调制型传感器。     

应力作用下光纤光栅Bragg波长调谐特性的研究

本文对１５５０ｎｍ光纤光栅在纵向拉伸应力和侧向拉伸应力作用下Ｂｒａｇｇ波长的偏移特性进行了实验研究。当纵向拉伸应力加至３．６０Ｎ（３６７．６０ｇ）时,得到了５．０２ｎｍ的调谐范围。这可能是在相同应力作用下,目前所报道的最好结果。此外,还对光纤光栅弯曲所导致的其Ｂｒａｇｇ波长的迁移特性进行了实验研究,并比较了对光纤光栅段添加涂覆层前后的调谐情况,得到了最大为３．０２ｎｍ的皮长调谐范围。     

一种新型光纤光栅无啁啾调谐方法

分析了基于弹性梁的光纤光栅调谐原理，引入了轴向直变传递系数的概念，提出利用部分纯弯曲调谐方法，可实现光纤光栅宽带无啁嗽调谐。在实验中，利用部分纯弯曲调谐法，获得了20．1nm的光纤光栅无啁嗽调谐范围，调谐线性拟合度为0．9996，调谐过程中光栅反射谱的3dB带宽变化小于0．07nm，峰值反射率变化小于0．2dB，基本无啁嗽现象产生，实验结果和理论分析一致。     

光纤光栅外腔半导体激光器波长调谐方法研究

可调谐光纤光栅外腔半导体激光器（FBG-ECL）激射波长由光纤光栅布喇格波长决定,调谐光纤光栅布喇格波长可以改变激光器的激射波长.重点介绍采用轴向应力、径向应力和温度对光纤光栅布喇格波长的调谐.布喇格中心波长的偏移与轴向应力、径向应力和温度等变化量均呈极好的线性比例关系,且在较大的测量范围内一直保持线性关系.详细说明了光纤光栅外腔半导体激光器采用这三种方法调谐时的特点、适用范围,并对它们的性能进行了比较,给出在不同条件下适合的调谐方法.     

光纤光栅调谐技术的进展及应用

从光纤光栅的调谐原理出发，对巳有的调谐方法进行了介绍和比较，总结了光纤光栅调谐技术的研究进展，并对其在通信和传感方面的应用作了介绍。     

新型半导体磁敏传感器

本文综述了当前最具代表性的几类新型半导体磁敏传感器的基本原理和典型结构,详细比较和分析了它们各自的特点和在制作、应用上的限制,扼要介绍了它们的研制动态和主要应用。     

隶属云辛普森模型在跳频码发生器中的应用

隶属云模型是定性和定量之间转换的工具，用其数字特征的期望值E，熵σ，超熵h三个数值建立了辛普森云模型和变形辛普森云模型，分析了模型的统计分布，导出了概率密度公式，实现了它们在跳频码发生器中的应用。     

宽带传输方案SC-FDE系统与OFDM系统的比较

采用ADS仿真软件对OFDM系统和SC-FDE系统进行了仿真实现,对这两个系统的结构和性能进行了对比,分析了两个系统对功率放大器的要求。仿真结果表明,综合这两个系统优点的双模式系统将会是一个技术上更为优越的宽带传输方案。     

单分子三维取向的探测方法

三维取向是单分子的一个重要特性,单分子三维取向研究是近年来对单分子研究的又一热点。综述了基于远场扫描的三种探测方法,阐述了其基本原理,分析、比较了各种方法的优缺点,讨论了进行单分子三维取向检测所存在的困难和实际问题,展望了其广阔的应用领域及前景。     

多电平电压型变频器(下)

在大功率领域,中点钳位三电平和H桥级联中压变频器应用最广泛,本文在详细讨论它们优缺点的基础上给出其主要适用场合,并分别介绍了它们各自的改进方案。文中还介绍了三种较少应用的多电平变换器:有源中点钳位三电平逆变器;电容钳位四电平变频器和在相支路中接入耦合电抗的多电平变换器。     

多电平电压型变频器(上)

在大功率领域,中点钳位三电平和H桥级联中压变频器应用最广泛,本文在详细讨论它们优缺点的基础上给出其主要适用场合,并分别介绍了它们各自的改进方案。文中还介绍了三种较少应用的多电平变换器:有源中点钳位三电平逆变器;电容钳位四电平变频器和在相支路中接入耦合电抗的多电平变换器。     

微机械惯性仪表的原理结构与制造技术

介绍了微机械惯性仪表（包括微机械陀螺仪、微机械加速度计及微惯性测量组合）在世界各国的进展，阐述了它们所采用的结构方案、电路原理以及制造工艺，比较了各种主要制造技术的优缺点，提出了在我国开展这一领域研究有实用前途的技术途径     

平面波在任意磁化方向旋磁媒质中传播时的极化特性

在铁氧体基片平面电路和发射天线中必须研究平面波在任意磁化方向旋磁媒质中的传播。这时平面波的特征波为ＴＥ波,其磁通密度、磁场、电通密度、电场的极化是不相同的,磁场的极化方向为左、右椭圆极化。     

异硫氰基含氟联苯乙炔液晶合成研究

本文合成了4个异硫氰基联苯乙炔类液晶化合物。通过1 HNMR、13 CNMR、19 FNMR、IR和MS谱图鉴定结构正确。用差示扫描热议(DSC)和偏光显微镜(POM)对化合物的相变温度进行了测试,发现所合成目标化合物均呈现向列相,其相变态温度范围在105~137℃,其双折射率高于0.47,可作为液晶光栅高双折射率液晶材料的有效组分。     

新型OLED器件

对一些新型OLED器件的结构、性能等作了说明。