聚酰亚胺吸水对挠性板分层的影响

本文详细研究了FPC生产中常用材料(PI补强、CVL、FCCL)的吸水率大小及特点。通过PI吸水对挠性线路板造成分层、爆板的影响试验,发现吸水是造成挠性板分层、爆板缺陷的主要原因之一,并总结出分层、爆板可分为两类情形:一类为PI在挠性线路板外层,吸水会造成热应力测试时分层,而将板烘干后,热应力288℃10s 5次也不会分层;二类是PI在挠性内层,多层压合前PI吸水会造成喷锡或热应力测试时分层,且烘板后再次测试也同样分层。通过研究发现分层是由于PI中水分受热迅速膨胀产生巨大压力造成的。而在多层板中由于铜层或刚性基材层的阻挡,PI吸收的水分残留在板内无法挥发,在喷锡或热应力测试时分层。最后提出了有关PI吸水造成挠性板分层的模型。     

最新挠性基板材料的技术动向

概述了基体材料、导体材料、覆铜箔板和涂覆材料等挠性基板材料的最新技术动向,适用于制造高密度挠性印制板(FPC)。     

LTCC互连基板金属化孔工艺研究

LTCC基板互连金属化孔工艺技术是低温共烧陶瓷工艺过程中的关键技术,它直接影响陶瓷基板的成品率和可靠性。文章从影响互连金属化孔的因素出发,介绍了金属化通孔填充工艺及控制技术、金属化通孔材料热应力的影响、金属化通孔材料收缩率的控制等三方面技术,并给出了如下的解决方案。采用合适的通孔填充工艺技术和工艺参数;合理设计控制通孔浆料的收缩率和热膨胀系数,使通孔填充浆料与生瓷带的收缩尽量一致,以便降低材料的热应力;金属化通孔烧结收缩率的控制可以通过导体层的厚度、烧结曲线与基板烧结收缩率的关系、叠片热压的温度和压力等方面来实现。     

超超临界二次再热汽轮机裕度控制分析

对于汽轮机而言,在非稳定状态下运行(如启停、增/减负荷或变温度运行)时,其金属部件将受到固定大小和频率的热应力影响,会导致材料处于一个高水平的疲劳度而出现裂纹。减少部件疲劳,控制热应力的最好方法就是控制部件内外温差,控制部件内外温差的最好方法则是延缓部件的升、降温速率。因此合理的消耗寿命,以便设备在使用寿命内发挥最大的效益就是设备热应力控制的目的。     

金属化膜脉冲电容器剩余寿命预测方法研究

 金属化膜脉冲电容器是惯性约束聚变激光装置的重要元器件之一,其寿命预测是激光装置维护和备件决策制定的依据.在分析金属化膜脉冲电容器退化失效机理的基础上,采用Wiener过程描述其性能退化过程.进一步考虑到各电容器之间的差异,将Wiener过程的漂移参数和扩散参数看成随机变量,提出了随机效果Wiener过程模型,由同一批电容器的历史性能退化数据拟合其分布.在对单个电容器进行寿命预测时,采用Bayes方法融合电容器总体信息与该电容器自身的性能退化信息,得到其剩余寿命参数的验后估计,因而在电容器性能退化数据较少时采用该方法能提高剩余寿命预测精度.     

Si IGBT和SiC MOSFET分立器件封装可靠性对比

为了明确SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)寿命差异的原因，在相同结温条件下对上述两种分立器件进行功率循环试验。试验结果表明，SiC MOSFET的寿命大于Si IGBT的寿命。若将两组试验负载电流等效一致，则SiC MOSFET的寿命约为Si IGBT的1/4。为了揭示寿命差异的根本原因，即失效机理的探究，建立了两种器件电-热-力多物理场有限元模型并在功率循环试验条件下进行仿真，结果表明造成寿命差异的原因是Si、SiC材料与铝材料之间的热膨胀系数差异不同，导致器件在功率循环中受到循环热应力时产生的塑性应变不同。研究结果为提高SiC MOSFET的寿命提供了理论参考。     

高频大电流滤波电容器不宜使用“隔离金属化设计”薄膜制造

<正>《电力电子电容器》的国家标准GB/T 17702-2013/IEC 61071:2007和前一版本相比,对于制造电容器使用的金属化薄膜,在"安全器件"条目(标准3.13)下,明确提出了"隔离金属化设计"和"特殊非隔离金属化设计"这两个新的术语,并对它们进行了必要的定义(标准3.13.3和3.13.4)。标准所定义的"隔离金属化设计"薄膜,就是介质薄膜在金属化时,按照设计要求,把蒸镀在介质薄膜     

挠性电路板及其装配工艺

介绍了挠性电路板(FPC)在电子行业的运用,由其制造的产品具有结构灵活、体积小、质量轻以及刚性电路板和挠性电路板相结合等结构特点;同时介绍了挠性电路板的主要组成材料及不同主要材料之间的性能比较;以及挠性电路板在表面贴装(SMT)工艺装配流程上与硬板(PCB)不同的工艺装配特点.     

大功率LED加速寿命试验及问题分析

采用国家标准(GB1772)规定的电子元器件加速寿命试验方法,选择了工作环境温度作为加速应力,设计了四个应力等级的大功率LED加速寿命试验方案并进行试验.试验结果为每个应力等级下的失效模式有2～3种,不同应力级别确定的激活能有一定的差异.通过对金丝引线球焊处开裂、金属化层失效等主要失效机理的产生原因以及温度、电流密度之间关系分析,认为基于Arrhenius模型进行大功率LED加速寿命试验存在不足和缺陷,不能准确地预测稳态温度下的LED寿命,应当对Arrhenius模型进行修正.     

叠层芯片封装元件热应力分析及焊点寿命预测

研究了温度循环载荷下叠层芯片封装元件(SCSP)的热应力分布情况,建立了SCSP的有限元模型。采用修正后的Coffin-Masson公式,计算了SCSP焊点的热疲劳寿命。结果表明:多层芯片间存在热应力差异。其中顶部与底部芯片的热应力高于中间的隔离芯片。并且由于环氧模塑封材料、芯片之间的热膨胀系数失配,芯片热应力集中区域有发生脱层开裂的可能性。SCSP的焊点热疲劳寿命模拟值为1 052个循环周,低于单芯片封装元件的焊点热疲劳寿命(2 656个循环周)。