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为了研究有外加电场的双光子光折变介质中匹配高斯光束的动态演化及自偏转特性,采用数值模拟的方法,给出了匹配高斯光束在晶体中的动态演化及自偏转图形。结果表明,对于给定的与双光子光折变介质参量匹配的高斯光束,在介质中能演化为稳定的孤子波;考虑扩散效应之后,匹配高斯光束的光束中心将发生自偏转;随着外加电场的增加,高斯光束的自偏转程度增加,当外加电场达到一定强度后,高斯光束的自偏转程度随着外加电场的增加反而减小;高斯光束的自偏转程度随着入射光强的变化关系与外加电场的情况相似。 相似文献
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为了得到温度和强度对高斯光束在串联光折变晶体回路中自偏转的影响结果,假设一束暗孤子光束和一束高斯光束分别入射到串联光折变晶体回路中的两块晶体上,利用数值计算方法分析了暗孤子的最大光强或所处晶体温度变化对与明孤子匹配的高斯光束自偏转特性的影响.结果表明,高斯光束的偏转程度随暗孤子最大光强增加而增大,随晶体温度的升高而减小.这些结果对光控光器件、温控光器件的工程实现具有重要的参考价值。 相似文献
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为了得到温度对高斯光束在耗散晶体中的孤子波演化的影响结果,基于温度对暗辐射强度和扩散场的影响,提出了双光束耦合强度和相位耦合系数的新模型,采用数值模拟的方法研究了高斯光束在双光束耦合光折变耗散系统中不同温度下的演化特性.结果表明,晶体的温度与高斯光束的稳定件密切相关.对于给定的耗散系统,若该系统能支持某一特定的全息屏蔽明孤子,可以找到与之匹配的高斯光束.在300~350 K温度范围内,高斯光束能在晶体中传播足够远的距离;而当晶体温度变化足够大时,高斯光束强度随传播距离增加而减小,入射的高斯光束不能以稳定的全息孤子态传播. 相似文献
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温度对光伏光折变晶体中高斯光束演化的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
为了得到温度对有偏压光伏光折变晶体中高斯光束演化特性的影响结果,基于暗辐射强度对温度的依赖关系,研究了不同温度下高斯光束在光伏光折变晶体中的动态演化。将高斯光束作为入射波,采用数值方法求解波传播方程,当温度是300K时,与晶体匹配的高斯光束可演化成稳定的屏蔽光伏明孤子;当温度变化较大时,高斯光束变得不稳或者发散。在失配的条件下,通过改变晶体的温度能使一不稳定的高斯光束变成一稳定的明孤子波。结果表明,这种温度增加或减少控制下的光伏光折变晶体中高斯光束演化特性的改变有望应用于温控光器件。 相似文献
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研究了负载电阻对高斯光束在加偏压的光伏光折变晶体中演化特性的影响.首先基于光折变效应动力学方程,推导了加负载电阻的光伏光折变昌体的光波演化方程,并给出稳态屏蔽光伏孤子解.然后,利用数值方法进行研究.已知,给定一块光伏光折变晶体,在提供合适的外电场后,它便能够支持一种稳定的屏蔽光伏孤子.当一高斯光束与同参数下的晶体相匹配时,该光束在晶体中也能演化成屏蔽光伏明孤子.当入射光束与同参数下晶体支持的孤子波形状偏离较大时,则不能演化为稳定的明孤子波.由于外加电场的强度对高斯光束在光伏光折变晶体中的演化特性有显著的影响,则提出改变负载电阻值来调节外电场,研究对高斯光束演化特性的调节.结果表明,通过对负载电阻值的控制,可以调节高斯光束的演化特性,使在晶体中传播不稳定的高斯光束演化趋于稳定的明孤子波.(PA1) 相似文献
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对两中心模型光折变晶体两波耦合增益系数Γ、总的有效电荷密度Neff和强度特性因子η的温度特性进行了理论研究.在两中心模型中,存在着一个深能级和一个浅能级,这两个能级在带隙之间引起不同的掺杂中心.浅能级的密度MT决定着晶体的温度特性.影响温度特性主要因素是总的有效电荷密度Neff和强度特性因子η随温度的变化关系.结果表明,当MT=0.2×1016 cm-3较小时,在300~400 K的范围内,Neff和Γ随温度的增加而单调增加,而η在不同的光强下温度特性差别较大.当MT=100×1016 cm-3较大时,在上述温度范围内,Neff和Γ随温度增加而单调下降.而η的温度特性表现为当总光强大时,η随温度增加而减小.而当总光强很小时,η随温度的增加而变大.浅能级密度MT的不同是引起Γ温度特性不同的主要因素.这些结果对认识光折变晶体的内部结构是十分有用的.(PB2) 相似文献
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本文给出了非傍轴高斯光束形成的单光束势阱对瑞利粒子所产生的辐射力公式,并作了数值计算,结果表明,与傍轴高斯光束所形成的单光束阱相比较,非傍轴单光束势阱具有2方面的优势,1)是所产生的辐射力更大;2)是存在多个平衡点,因而更利于控制瑞利粒子。 相似文献
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由细菌视紫红质测定高斯光束的束腰位置 总被引:2,自引:2,他引:0
介绍并测量了细菌视紫红质(bR)的透过光强随入射光强的变化特性,并提出利用bR的非线性透过特性测定高斯光束的束腰位置,测量结果与利用已知的高斯光束参数所计算的结果相一致。 相似文献
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A fully self-consistent computer model of the steady-state behavior of the zero-order lateral optical field of a GaAs twin-stripe injection laser is presented which takes into account current spreading in the p-type confining layer, the effect of lateral diffusion of carriers in the active layer, and bimolecular and stimulated radiative recombination. The results predict the lateral movement of the near field of the optical signal under asymmetric drive conditions, as observed in practice. Also calculated are the corresponding carrier and current density distributions. It is shown that the near-field zero order lateral optical field can be beam steered across the facet by only 2μm, typically. However, the initial position of the beam can be controlled by the two-stripe currents and also the geometry of the device. For the case whereI_{s1} approx I_{s2} the beam movement is seen to be proportional to eitherI_{s1} orI_{s2} . The results show that beam steering is not accompanied by a negative slope to theI-L characteristics. The effect of geometry and diffusion coefficient on the value of maximum current allowed before modal instability occurs is also given. 相似文献