纯负阻电路的设计及其应用

<正> 负阻器件、负阻电路的应用十分广泛,在工业、农业、通讯、尖端科学技术以至日常生活中,几乎都可以找到它的用途。从电路的V-I 特性形状分,负阻电路(包括器件,以下同)可分为S 型、N 型两类,如图1所示。在S 型负阻     

X波段负阻振荡器设计

基于负阻振荡理论设计了一款X波段负阻振荡器,设计旨在提高振荡器的工作效率和加强二次谐波抑制。通过对晶体管直流偏置状态与振荡器工作效率关系的研究,选择合适的直流偏置状态提高了振荡器的工作效率。在输出匹配网络中加载一段1/8工作波长的开路线、选择一个合适的隔直电容,有效抑制二次谐波。实测结果表明,该X波段负阻振荡器振荡频率为10.81 GHz,输出功率为8.02 d Bm,二次谐波抑制度为48 d Bc,振荡器的效率为45%,偏离振荡频率100 k Hz和1 MHz处的相位噪声分别为-91.90 d Bc/Hz和-123.43 d Bc/Hz。该实测结果论证了上述设计方法的有效性,对负阻振荡器的设计提供了一定的参考意义。     

大功率负阻调频式变换器直流稳压电源

本文介绍了负阻调频式变换器直流稳压电源,其调节原理与脉冲宽度调制式和脉冲幅度调制式不同,它是通过调节脉冲频率和具有负阻特性来实现稳压的,是变换器电源调节原理及电路技术的一种新尝试。它的显著特点是电路简单,元器件数量少,工作稳定可靠,成本低廉,易于调整。该电源已正式用于计算机中,情况良好。     

负阻器件构成的计算机元件

前言在决定一給定开关綫路的最大重复頻率时、必須考慮到开关器件的瞬态响应和其他线路中参最的影响(包括寄生参数)。虽然最大可能的开关速度是由器件决定的,但在許多情况下线路的限制往往起着主导的作用因而不能达到这个理想值。为了解决这个問題,人們就尽量简化线路使得元件数量尽量少,以尽量減少寄生阻抗的影响。采用了二端負阻元件可以做到这一点。     

忆阻及其应用研究综述

忆阻由蔡少棠教授从对称性角度预言提出,自惠普实验室2008年制作出第一款忆阻开始, 其已成为自动化等相关领域最热门研究方向之一. 本文回顾了忆阻的起源,探讨了忆阻的分类及其制造技术,分析了忆阻的多个数学模型和仿真模型以及仿真模型的实现方法, 总结了忆阻在人工神经网络、保密通信、存储器、模拟电路、人工智能计算机、生物行为模拟等方面的研究现状, 并对其应用前景进行展望.     

用负阻原理设计高稳定度VCO

介绍了利用负阻原理、采用改进型克拉泼电路设计的高稳定度LC压控振荡器(VCO),其频率范围为180MHz～210MHz。用ADS进行了仿真,最后给出了测量结果,实际表明它们是一致的。该电路采用相角补偿,提高了频率稳定度,降低了相位噪声。该方法设计简单、调试方便、成本低。     

频变负阻抗电路及其应用

<正> 负阻器件,负阻电路在导航、遥控、遥测、遥感、雷达、通讯、计算机系统、化工安全系统、检测保险系统,乃至日常生活用品都有广泛的用途。因此,目前国内外的一些著名科研机构,高等学校,对此都进行深入研究。例如1986年12月,美国贝尔实验室郑重宣布,第一个隧道晶体管试制成功;1988年,我国访瑞典学者发现多台阶双向负阻电流输送现象。在负阻电路家族中,频变负阻抗电路是一种特殊电路,具有特殊的用途。对此,人们一般比较陌生,本文介绍它的构成原理和特殊应用。     

大型计算机高可靠供电系统稳压电源——负阻补偿原理及应用

高可靠、小型化、大容量,这是当前电子设备对供电稳压电源的普遍要求。本文针对大中型电子设备,特别是大中型电子计算机大都使用了中频机组这一特点,根据“负阻补偿”原理,提出了一个简单、高可靠、小型化、大容量的供电方案,并简要地叙述了“负阻补偿”原理,列举了实验结果。最后,针对几项主要指标对几种供电方案做了比较。     

负阻范围可调的λ双极型晶体管

<正> 负阻固态器件λ二极管由于具有功耗低、容易制造、负阻范围较大、温噪小、集成度高等众多优点,被广泛应用于开关电路、存贮器、振荡器、放大电路以及检波整流电路。目前,在国外的计算机系统、化工安全系统、公用汽车系统以及生活日用品诸如照相机、录音机、小型电视机等等,都可找到λ二极管的应用。     

单片机控制的负阻自激振动系统

振动式输送机是采用惯性激振器控制的机械振动系统,可以利用共振达到高效节能的目的。为了提高共振机械的运动稳定性,我们采用振动速度倒向信号的闭环反馈,利用微机控制技术实现了自动频率跟踪的平稳共振状态。     

一种多用途负阻器件——兰姆达二极管

兰姆达(lanbda,λ)二极管是具有双稳态开关特性的两端器件,可与其它器件一起容易地集成在同一芯片上,可望应用在保护、开关、振荡器及数字存储器电路里。负阻器件同单结晶体管与可控硅整流器一样,以前只限于在脉冲和开关电路里应用。然而,一个新的单块负阻器件——兰姆达二极管,在新的应用领域里,用途比较广,并且也简化了许多普通电路的设计。实际上兰姆达二极管是由一对互补耗尽型、结式场效应晶体管所组成的一个简单的两端器件。此二极管重要的特点是,它比普通的     

发光二极管的命名及应用

发光二极管(LED)是大家十分熟悉的半导体发光器件,但对它的型号命名可能不太熟悉。这里介绍发光二极管的命名(部标)及其常规应用。发光二极管的命名按原机械电子工业部制订的发光二极管型号命名是由BT××××××组成。×表示数字。第一位数字表示发光二极管的材料,第二位数字表示     

发光二极管的发展与应用

发光二极管(LED)是一种应用已十分普遍的光电器件,由于发光颜色种类多、工作电压低、耗电小、寿命长及价格低,在各种电子产品、家用电器、仪器仪表已获得极为广泛的应用。自LED问世至今已有20多年历史,随着半导体工艺技术及新材料的发展,LED也不断创新、在多色、高亮度及新品种方面已有较大的进展。本文将介绍这方面的新发展及新的应用领域。     

基于负阻效应的高灵敏度电容传感器电路研究

电容传感器灵敏度较低,特别是在传感器本体的初始电容量较大、而测量过程中的增量电容量又较小时,系统的相对灵敏度常常会低至无法准确得出被测参数的变化情况.结合负阻效应逆转正电容的原理,对传感器的初始电容进行负向补偿以降低初始电容量,就能够以很低的电路成本实现系统分辨率与灵敏度的提高.     

忆阻器阻变机制及其材料研究进展

忆阻器可以将信息存储和逻辑运算整合到一个电子器件上,这将打破传统的冯·诺依曼计算机架构,其应用前景不可估量.首先简述了忆阻器的发展历程及其基本概念;其次综述了忆阻器的阻变机制及其材料的选择,将目前已知的阻变机制主要概括为3类,即阴离子阻变机制、阳离子阻变机制和纯电子机制,同时详细叙述了不同类型材料在忆阻器应用中的特点;...     

纳米线在发光二极管中的应用专利技术综述

发光二极管作为一种新型的固态能源,具有寿命长、可靠性高、体积小、功耗低等优点,受到越来越多的关注。纳米线是一种在二维方向上为纳米尺度,长度上为宏观尺度的新型材料,具有优异的光电性能。近年来,将纳米线应用于发光二极管成为了人们研究的热点。本文主要利用S系统中的CNABS、CNTXT、SIPOABS、DWPI等数据库的检索结果为分析样本,对于全球及中国的专利申请量年度分布、主要申请人来源国的分布、中国及全球主要申请人统计等多方面进行分析,并梳理了纳米线在发光二极管中的应用技术的发展路线。     

改进的非负稀疏编码神经网络模型及其应用

提出了一种改进的基于NIG（Normal Inverse Gaussian）密度和稳健主成分分析（PCA）的非负稀疏编码（NNSC）神经网络模型,该模型实质上实现了一个二阶段的学习过程。并利用这个模型成功地建模了视觉感知系统V1区的感受野。该NNSC模型具有很强的自适应于自然数据统计特性的能力。另外,利用类似小波收缩法去噪原理,该模型能够有效地去除图像中的高斯加性噪声,对自然图像编码的仿真实验也表明了该模型在生物学上的合理性和可行性。     

负参数Bézier曲线的性质及其应用

1引言 从便于形状处理、形状信息传递与数据交换的角度来看,形状的数据描述应满足如下要求[1,2]:1.唯一性;2.同一形式性;3.几何不变性;4.易于定界性.在实际应用中往往难以做到的是3、4条.Bezier曲线则利用了Bernstein基函数和等于1来满足几何不变性,再又利用各基函数非负来达到凸包性.易于定界不一定要是凸包的,文[2]中就负权因子分析了这种丧失了凸包性的有理二次Bezier曲线的一些性质,得出用不同的负权因子来生成椭圆弧、抛物线弧和双曲线弧的应用.