DSW6000B型缩小投影光刻机

<正> 半导体器件的真正高集成化始于刚称得上超LSI的64KDRAM,让我们沿着记忆的层次,回顾一下其发展过程吧!MOS存储器正从64KDRAM向256KDRAM乃至1MDRAM方向迅速靠拢。伴随着器件日益高集成化,光刻技术也取得了很大的发展。其中,分步投影光     

掩模检查设备

<正> LSI、VLSI正以飞快的速度向微细化、高集成化方向发展着,目前已从批量生产的64K位DRAM向256KDRAM逼近。随着设计规划的缩小,将光掩模(以下简称掩模)图形转印到硅片上的光刻方法也正从接触式曝光向投影式曝光乃至缩小投影的步进曝光方式迅速变化着。     

卡诺FPA__1500型缩小投影光刻机

<正> 为了迎接256KDRAM正式大批量生产的到来,就要搞清楚做为关键生产设备——缩小投影光刻机的性能及光刻技术极限,人们对这种对未来生产具有潜力的设备寄于很大希望。在这种情况下,用户要求这种设备具有更高的分辨能力,更好的对准精度,更佳的生产效     

硅片检查设备

<正> 近期半导体技术的发展使得器件生产正在从批量生产的 64KDRAM 向256KDRAM 迅猛发展,并日益缩短着向1M 位、4M 位 DRAM发展的进程。与此同时,采用缩小设计法测的微细加工技术的高精度化及在更洁净的环境中加工、检测等工作亦越发为人们所注目。     

国外光刻技术现状及发展趋势

<正> 前言光刻技术是微细加工的核心。到目前为止人们提出并采用有如下几种方式:接触式光刻;1:1反射投影光刻;直接在硅片上分步重复光刻(DSW);电子束光刻;软X射线复印;离子束光刻。     

新世纪光刻技术及光刻设备的发展趋势

本文主要阐述了光刻技术的发展极限及193nm,157nm光学光刻技术和电子束投影光刻（SCALPEL）、X－射线光刻（XRL）离子投影光刻（IPL）等技术的发展趋势。并详细介绍了国际著名品牌的光刻机以及即将推出的新一代光刻机。对国内光刻设备的发展现状作了简要概述。     

集成电路测试处理机

最近,集成电路的微细加工技术,已经能够形成1μ的图形,集成度从LSI推进到VLSI。从而64KDRAM、256KDRAM等集成度大的器件的大量生产如今已成为现实。集成度有以2倍/年的比例增加的倾向。可以预测,高集成化将会更加向前迈进。随着集成度的增加,器件高速化;随着位数和门数的增加,呈现出了多引线化的倾向。     

光刻设备

<正> 将半导体电路图形转移到晶片的光刻技术是半导体制造工艺的核心,其发展相当快。几年前,主要采用掩模与片子紧密接触或使两者约离开10μm 的间隙的一次光刻法(接触、接近式),但因图形对准精度、成品率等问题,正在向投影式光刻方向转变(见图1)。     

数字灰度投影光刻技术

随着MEMS和MOEMS技术的发展和器件制作对低成本、灵活、高效的需求,数字灰度无掩模光刻技术已成为人们研究的热点。介绍了一种基于数字微镜器件(DMD)的无掩模数字灰度投影光刻技术,结合电寻址数字微镜阵列的工作方式,分析了DMD的灰度调制机理和投影成像特性;阐述了DMD微镜结构与投影系统的倍数、数值孔径的关系;设计了投影光刻系统,并进行了分辨力和三维面形的曝光实验。实验结果表明,数字灰度投影光刻技术灵活、方便,尤其在三维浮雕微结构的制作方面,可实现光刻灰度的数字化调制,表面粗糙度可达0.1μm。     

传统光学光刻的极限及下一代光刻技术

分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。极紫外光刻、浸没式光刻和纳米压印光刻将作为主流技术应用到超大规模集成电路的批量生产中,电子束光刻可以在要求极高分辨力时和这几个主流技术配合使用。其他下一代光刻技术由于工艺不成熟、不能批量生产等原因,在近期还不具备占领光刻设备市场主流的能力。     

超微细平面图形成形技术的发展

<正> 概 述 为适应微电子技术迅速发展的需要,作为其中一项基础技术的微细平面图形成形技术随之得到飞速的发展。 平面图形的成形技术,到目前为止有以下几种: 1、a.绘图、刻图、揭膜、初缩、精缩、接触光刻; b.自动刻图、揭膜、初缩、精缩、 接触或接近式光刻; 2、a.光学图形发生器作初缩版、精缩、接触或接近或投影式光刻;     

软X射线投影光刻原理装置的设计

介绍了投影光刻技术发展的历程、趋势和软X射线投影光刻技术的特性,并介绍了软X射线投影光刻原理装置的研制工作.该装置由激光等离子体光源、掠入射椭球聚光镜、透射掩模、镀有多层膜的Schwarzchild     

193nm光刻投影物镜单镜支撑仿真分析及实验研究

光刻是大规模集成电路制造过程中最为关键的工艺,光刻的分辨力主要取决于光刻投影物镜的光学性能。光刻投影物镜光学元件面形精度为纳米量级,其对光学元件的加工及物镜单镜支撑提出了极高的要求。为193nm光刻投影物镜高精度的单镜面形,设计了一种运动学单镜支撑结构。运用有限元法(FEM)分析光刻投影物镜单镜运动学支撑结构在重力下物镜镜片的面形变化量,经分析物镜镜片的峰值(PV)值为15.46nm,均方根(RMS)误差为3.62nm。为了验证有限元计算精度,建立了可去除参考面面形及被测面原始面形的方法。经过分析对比,仿真结果与实验结果面形的PV值为2.356nm,RMS误差为0.357nm。研究结果表明,所设计的基于运动学193nm光刻投影物镜单镜支撑结构能够满足193nm光刻投影物镜系统对于物镜机械支撑结构的要求。     

光刻机投影物镜安装方式研究

不同的投影物镜安装方式对应不同的隔振方式,不同的隔振方式对投影光刻系统的图形传递能力也有较大影响.对两种主要的光刻投影物镜安装方式进行了研究,并对各自特点进行了讨论.     

远紫外线复印装置

<正> 属微细加工技术的离子束曝光法及电子束曝光法是在真空中处理试料的,它做为平坦而厚的掩模制造方法逐步为人们所认识。把图形光刻在硅片上,其光刻方法正从以往采用的紫外线接触光刻或接近式光刻向缩小投影曝光或反射投影曝光方向转变。您想找到一种适于批量生产的微细图形复印的理想方法吗?笔者认     

光刻技术

本文介绍了IC生产用的光刻技术。文中着重叙述了接触曝光方式、等倍投影曝光和缩小投影曝光方式的光学系统、适用范围、优缺点等。最后叙述光刻技术的发展动向。     

1∶1全反射投影光刻技术

本文扼要介绍了1:1全反射投影光刻技术的基本工作原理、发展历史以及该技术目前在国外大规模集成电路光刻工艺线上的应用状况。另外,亦对国外近期内研制的若干套该类型光刻系统的技术性能进行了简介和比较。最后,对此项技术的未来发展趋势和前途作了预测。     

21世纪微电子光刻技术

介绍了248nm,193nm,157nm准分子激光投影光刻的发展过程和下一代光刻技术（NGL）的实用化前景。     

13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源

软X射线投影光刻能够制作出特征线宽小于0．1μm的线条。激光等离子作源的研究是软X射线投影光刻中几项关键技术之一。本文报道了13nm投影光刻用激光等离子体软X射线源。对Sn（Z＝50）靶的激光打靶条件进行初步优化，测定了其在10～20nm波段范围内的辐射相对强度分布。     

准分子激光在微光刻技术中的应用

<正>IBM公司研究人员于1982年首先将准分子激光技术应用在半导体光刻工艺中。此后,逐步商品化的准分子激光技术成功的用在接触式光刻和掩膜制造工艺中。但其最终目标是将这一技术用于分步投影光刻机中,因为它是当前半导体器件制造的关键设备。自从1986年AT&T贝尔实验室报导了他们研制的世界上第一台准分子激光分步投影光刻机之后,许多实验室及光刻机制造厂商开展了这个项目的研究工作。一些厂商开始接受用户订单。准分子激光用于分步投影光刻技术的前景看来是光明的。