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本文分析了INMARSAT船站中一种典型的调制解调电路的组成及共工作原理,、该船站的调制采用相位选择的模拟锁相技术, 相似文献
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介绍了幅度和相位检测的工作原理,给出了一种单片式L波段幅度及相位检测电路的设计方案,与传统的设计方法相比,单片式L波段幅度及相位检测电路具有体积小等特点。最后给出了测试结果,结果表明射频幅度相位检测电路的设计性能优越、可靠性高。 相似文献
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镍镉电池快速充电控制电路U2402B黄小平U2402B是TELEFUNKEN半导体器件公司生产的镍镉电池快速充电控体电路,使用双极型工艺一的电路芯片,它可构成一高效廉价的充电系统。此电路将智能型多斜率电池电压监控电路和电源相位控制结合在一起;还具有充... 相似文献
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SDH通用定时再生电路研究(上) 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一种用PLL-VCPS作定时再生电路的新方法,即在传统锁相五耻引入一条压控移相器反馈控制支路对输入数据流先进行相位调整,再送入鉴相器进行相位比较,从而改善了普通上环定时再生电路的输入抖动容限,使该电路既有很高的等效Q值,又有较大的输入抖动容限,因此能同时兼容ITU-T建议G.958规范的两种SDH再生中继器,文中从理论上分析了VCPS支路对整个定时再生电路输入抖动容限和抖动传递函数的影响 相似文献
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基于DDS的DTMF软件合成器 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种基于DDS的DTMF软件合成器之工作原理及其实现,分析了时钟相位噪声、杂散噪声、相位截断误差对输出滤形的影响。这种基于DDS的DTMF软件合成器的输出频率步进均匀,频率分辨率高,可产生任意频偏的DTMF信号,适用于DTMF电路的计算机测控系统。 相似文献
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相位控制集成电路TC787和TC788及其应用苏州迅达电梯有限公司(215004)施涛昌在电力电子领域中,集成电路已日益广泛地应用于各种控制系统中。但是,目前使用比较多的移相控制电IsKJ系列和TC785晶闸管集成触发电路,在使用中存在以下几个问题:... 相似文献
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加拿大MITEL公司推出的E1高级控制器MT9079,它在与基群结构有关的通信仪器、仪表等设备中有着广泛的应用前景。作者结合实际应用,谈谈有关MT9079的应用特点及技巧。一、MT9079的功能及特点MT9079是专用大规模集成电路,它能完成以下功能... 相似文献
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DS2153Q是DALLAS公司生产的E1收发器,能完成E1 PCM30/ISDN-PRI收发器功能,可提供随路信令或共路信令工作方式,线路接口符合ITU-TG703,G.704,G.706,G.823及ETSI 3000011和300233标准,本文介绍了DS2153Q的工作原理,信令处理,并给出典型应用电路。 相似文献
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相位调制变换器是一种新型零电压转换开关变换器。它比普通的PWM变换器有许多优点,如工作频率高、损耗小、体积小、重量轻等。采用相位调制控制器ML4818,可以使相位调制变换器电路更加简单,工作更加可靠。文章介绍了ML4818的内部结构、管脚功能和基本工作原理,还给出全桥相位调制型开关电源实际电路 相似文献
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T. Kuno T. Akane S. Jinno T. Hirata Y. Yang Y. Isogai N. Watanabe Y. Fujiwara A. Nakamura Y. Takeda 《Materials Science in Semiconductor Processing》2003,6(5-6):461-464
ErP has been grown on InP (0 0 1), (1 1 1)A and (1 1 1)B substrates by low-pressure organometallic vapor-phase epitaxy. The morphological change with growth temperature has been explored by atomic force microscope. On all the substrates, ErP is grown in island structure. Height and area size of the ErP islands on (1 1 1)A substrate exhibit an obvious dependence on growth temperature. ErP islands grown at 540°C, that is the suitable temperature for ErP formation, gather to step edges to make wires. 相似文献
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Meng Wei Xiaoliang Wang Xu Pan Hongling Xiao CuiMei Wang Qifeng Hou Zhanguo Wang 《Materials Science in Semiconductor Processing》2011,14(2):97-100
We studied the influence of high temperature AlN buffer thickness on the property of GaN film on Si (1 1 1) substrate. Samples were grown by metal organic chemical vapor deposition. Optical microscopy, atomic force microscopy and X-ray diffraction were employed to characterize the samples. The results demonstrated that thickness of high temperature AlN buffer prominently influenced the morphology and the crystal quality of GaN epilayer. The optimized thickness of the AlN buffer is found to be about 150 nm. Under the optimized thickness, the largest crack-free range of GaN film is 10 mm×10 mm and the full width at half maximum of GaN (0 0 0 2) rocking curve peak is 621.7 arcsec. Using high temperature AlN/AlGaN multibuffer combined with AlN/GaN superlattices interlayer we have obtained 2 μm crack-free GaN epilayer on 2 in Si (1 1 1) substrates. 相似文献
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本文详细介绍了DS21610的技术特点,并给出了用DS21610构建T1和E1间转换器的典型应用电路。 相似文献
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1-Wire网络设计 总被引:7,自引:2,他引:5
1-Wire网络(又称MicroLAN)是一种基于PC或微控制器的低成本网络,可通过双线与1-Wire元件进行通信。文中介绍了1-Wire网络的工作机理以及影响数据传输性能的关键因素。 相似文献
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基于PCI总线的1:1方式图像采集卡硬件设计 总被引:1,自引:1,他引:0
摄像头与图像采集卡结合的图像采集在各种图像处理系统特别是涉及到动态视频的应用中是获取图像数据的一种主要方式。提出了一种基于PCI总线的1:1方式图像采集卡的设计方案,选择合适的采样时钟频率,使得采集的图像在水平、垂直方向像素点间距之比为1:1,有效地解决了常规图像采集卡采集图像的几何形变问题。1:1方式图像采集卡采集的图像数据,无需经过软件几何校正,可广泛应用于实时图像处理系统,提高了系统性能。 相似文献
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CISPR 14—1是家用电器、电动工具及类似器具EMC测试的重要依据,其最新修订件A 1:2008较CISPR 14-1Ed.5.0有重大的修订。详细介绍了此新标准的特点,分析了新标准变化对测试的影响及新标准应用的注意事项。 相似文献