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开域电磁场问题的有很元解法——第二类全域数值边界条件及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
作为基于本征函数解的全域数值边界条件(GNBC)的自然发展,本文从电磁场等效原理出发,提出了第二类GNBC-2的理论和算法。实际上,采用第二类GNBC-2的有限元解法,是有限元解法与积分方程矩量解法的结构,特别适合于复杂目标散射特性分析,本文限于讨论二维问题,并给出若干典型计算实例。 相似文献
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用干涉法和准静态d33测量仪相结合测量了β-BaB2O4(β-BBO)晶体的全部电压变变系数,结果为:d33=1.0×10^-12C/N,d31=-0.83×10^-12C/N,d22=2.2×10^-12C/N,d15=21.2×10^-12C/N。 相似文献
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设计、研制了一种工作在L波段的GaAs单片低噪声放大器。该放大器在HP-8510B网络分析仪和HP-8970B自动噪声仪上的测试结果为:1.1~1.5GHZ频段,NF≤2.0dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤0.5dB;在1.5~2.0GHZ频段NF≤2.5dB,G≥18dB,VSWR(in,out)≤2:1,增益起伏≤±0.5dB。 相似文献
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《激光与光电子学进展》1994,(5)
激光二极管泵浦的固体激光新材料LaBGeO_5-Nd ̄(3+)1.LnBGe2O4(Ln=La-Er和Y)在结构上分为两类。有较大Ln(La-Pr)者具有CeBSiO5的非对称结构(C23—P31空间群),有较小Ln(Gd-Er和Y)者具有CaBSi... 相似文献
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研制了具有约瑟夫逊效应的高TcGdBa2Cu3O7-δ薄膜双晶晶界结,按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测,光源是波长为0.6328μm的He-Ne激光器,系统观测了高Tc GdBa2Cu3O7-δ双晶结的光响应特性,最好的结果为:噪声等效功率NEP=4.3×10^-14WHz^-1/2,归一化探测率D^8=1.2×10^10cmHz^1/2W^-1,响应率Rv=3.5×10^7V/W, 相似文献
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本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、BPSG、多晶硅和Al-Si(1.0%)-Cu(0.5%)合金等进行高选择比的,各向异性刻蚀的工艺条件及其结果。获得上述各种材料刻蚀后临界尺寸(CD)总损失<0.08um的优良结果。此外还分析讨论了被选择的刻蚀 相似文献
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宁波GSM系统LAC状况 目前宁波GSM系统共有LAC区22个,每个BSC分配一个LAC(除市区BSC23,BSC24外),这样,某些BSC的Location-Update占OK-ACC-PROC的比例(后称LU-RATE)相当高,如余姚BSC8,其LU-RATE高达79.42%,其SDCCH负荷相当重,且已导致SDCCH拥塞,具体每个BSC的LU次数,LU-RATEPAGE-REQUESTS/PAGE-RESPONSE,PAGES-PER-SECOND,SD-CONGESTION-RATE,… 相似文献
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本文研究了直流等离子体CVD法制备C-BN薄膜。在衬底温度850℃和放电电流密度4A/cm^2条件下,c-BN膜生长速率可达10μm/h反应气体是B2H6+NH3+H2,并且工作压强为13-26kPa。 相似文献
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本文研制了介电常数为3000-4000,容量变化率小于±10%,而且烧成温度范围较宽,组成为高纯度BaTiO395-99wt%,CO2O30.05-0.5wt%,NO2O50.5-2wt%,以及CeO20.05-0.5wt%,TiO21.5wt%组成的高介电常数陶瓷介质。 相似文献
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B-implantationandAnnealingforSiGeEpilayers①②JIANGRL,LIUWP,JIANGN,ZHUSM,HULH,ZHENGYD(Dept.ofPhysics,NanjingUniversity,Nanjing2... 相似文献
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HoleMobilityinPoly(N-vinylcarbazole)ThinFilmBasedonSilicium①②CHENBaijun,WANGXiaowei③,LIUShiyong(StateKeyLab.onIntegratedOptoe... 相似文献
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分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区表面复合速度对直流增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构C-V特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性。在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理、SiNxECR-CVD淀积及退火并与现有HBT工艺兼容的外基区表面钝化工艺,使发射区面积为4×10μm2的器件增益比钝化前提高了4倍,且60天内不退化。 相似文献
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宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关 总被引:1,自引:1,他引:0
本文报道了一种采用串、并联FETs结构的GaAsMMIC单刀双掷开关。芯片尺寸为0.97*1.23mm.在DC-10GHZ频率范围内,插入损耗小于2.2dB,隔离度大于32dB,反射损耗大于12dB,并关时间小于1ns,在5GHZ下的功率处理能力大于20dBm。此开关具有极低的直流功率耗散。 相似文献
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GaAs表面及AlxGa1—xAs/GaAsHBT外基区表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺研究 总被引:1,自引:1,他引:0
分析了AlxGa1-xAs/GaAsHBT外基区表面复合电流及外基区复面复合速度对直接增益的影响,用光致发光(PL)谱和Al/SiNx-S/GaAsMIS结构CV特性,研究了GaAs表面(NH4)2S/SiNx钝化工艺的效果及其稳定性。结果表明,ECR-CVD淀积SiNx覆盖并在N2气氛中退火有助于改善GaAs表面硫钝化效果的稳定性,在此基础上形成了一套包括(NH4)2S处理,SiNxECR-CV 相似文献
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实时MPEG-2解码器当阅读此文时,一种新的、称为Videomax(视频之最)(CL9100)的单片(160脚QFP)、实时MPEG-2视频解码器将在NAB(美全国广播工作者协会)亮相。除MPEG-1和MPEG-Z视频解码(非要求的主解码)外,它为用... 相似文献
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程控电话交换机提供的虚拟网天津港通信导航公司晏小乔1998年6月天津通信技术Jun.1998第2期TIANJINCOMMUNICATIONSTECHNOLOGYNo.2收稿日期:1997-11-09随着现代通信技术的发展,程控交换机提供的业务领域在不... 相似文献