新型静电泄放保护电路设计方法

提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,缩短了设计周期.利用该方法完成了一套基于0.5μm CMOS工艺、带ESD保护电路的输入输出单元库设计,该单元库通过了5kV的人体模型ESD测试.     

飞机沉积静电可控泄放方法——静电放电器

飞机飞行中不可避免产生沉积静电,沉积静电的泄放如果控制不好会严重干扰飞机的通信、导航,影响飞行安全。简要说明了沉积静电的产生与危害,从防护原理入手,详细讲述了控制沉积静电泄放的设备——静电放电器的特性,分析了其形状与组成部分,并给出飞机上配置静电放电器数量的计算方法和布置方法,考虑到闪电的影响,阐述了静电放电器在金属和复合材料表面的安装方法,最后分析了全复合材料静电放电器的优点。     

一种用于微波控制电路控制端口的静电/浪涌电压泄放结构

提出一种用于泄放微波控制电路[0,5 V]或[0,-5 V]电压控制端口的静电/浪涌电压结构,分别给出了[0,5 V]或[0,-5 V]电压控制端口静电/浪涌电压泄放结构的设计方法,并对其工作原理进行了分析。通过建立泄放结构开启和关断状态下的仿真分析模型,利用ADS设计软件仿真所设计结构对控制端TTL动态控制信号完整性的影响。分析结果表明,该设计结构嵌入到微波控制电路的输入端口,不影响TTL动态控制信号的完整性。经微波五位数控衰减器的控制端口应用验证,对器件的静电/浪涌电压敏感控制端口具有较好的保护作用。     

泄放装置对潜艇发射水雷安全性影响研究

基于气动不平衡式发射装置的基本特点,通过弹道建模仿真,得出较大深度时提高发射水雷出管速度的方法并保证发射阶段的安全性。仿真结果表明,通过控制泄放装置开启（关闭）状态可以在较大深度时有效地保证发射水雷安全离开发射平台。     

军用飞机静电放电器改进技术研究

利用电磁仿真软件CST 对静电放电器现有构型进行仿真计算,探讨静电放电器构型各参数对静电放电噪声的 影响,对静电放电器进行构型改进,新型放电器在相同激励下降低了静电放电所产生的噪声强度,降低静电放电器雷 达散射截面,提高静电放电器的隐身特性。     

基于负载电流动态泄放技术的LDO线性稳压器

通过对LDO瞬态响应的分析,基于负载电流动态泄放技术,提出一种新型LDO线性稳压电路,减小了负载电流阶跃变化对输出电压的影响,从而改善了系统的瞬态响应特性.采用0.18μm CMOS工艺模型进行仿真.结果表明,负载电流从1mA到120mA阶跃变化时,输出电压负向过冲减小60.1mV,恢复时间缩短33.4μs;从120mA到1mA阶跃变化时,输出电压正向过冲减小47mV,恢复时间缩短214.3μs.     

静止式电能表静电放电抗扰度试验整改

某三相静止式电能表的静电放电抗扰度结果不合格。通过采取在表盖液晶屏周围用绝缘胶水加强密封性、计量芯片复位端增加瓷片电容等整改措施,电能表通过了静电放电抗扰度试验。     

一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路

根据伞芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新犁结构保护电路,采用0.6μm标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证.通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下,本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%,静态电流更低,而抗ESD电压提高了近32%.该保护电路通过了5kV的人体模型测试.     

CMOS射频集成电路ESD保护的挑战

随着集成电路(IC)T艺进入深亚微米水平,以及射频(Radi0.Frequency,RF)IC工作频率向数千兆赫兹频段迈进,片上防静电泄放(ESD)保护设计越来越成为RF IC设计的挑战.产生这一挑战的关键原因在于ESD保护电路和被保护的RF IC核电路之间存在着不可避免的复杂交互影响效应.本文讨论了RF ESD保护的研究和设计领域的最新动态,总结了所出现的新挑战、新的设计方法和最新的RF ESD保护解决方案.     

一种基于CMOS工艺的新型结构ESD保护电路

根据全芯片静电放电(ESD)损伤防护理论,设计了一种新型结构保护电路,采用0.6μm 标准CMOS p阱工艺进行了新型保护电路的多项目晶圆(MPW)投片验证. 通过对同一MPW中的新型结构ESD保护电路和具有同样宽长比的传统栅极接地MOS(GG-nMOS)保护电路的传输线脉冲测试,结果表明在不增加额外工艺步骤的前提下,本文设计的新型结构ESD保护电路芯片面积减少了约22%,静态电流更低,而抗ESD电压提高了近32%. 该保护电路通过了5kV的人体模型测试.     

光电隔离开关抗静电放电试验失效原因分析

在抗静电放电（ESD）试验后通常会使用I-V特性扫描对器件是否失效进行判断。但对有些特殊电路而言,使用这种I-V特性扫描可能对电路造成电应力损伤,导致对电路是否满足ESD试验能力做出错误的判断。文章主要以光电隔离开关为例,分析了造成这种现象的原因,并提出在进行该类光电器件的ESD试验过程中不进行端口I-V特性扫描,以避免由此带来的额外损伤。     

一种静电保护用低触发电压PMTSCR器件

提出了一种用于静电放电(ESD)保护的PMOS器件触发SCR器件(PMTSCR)。PMTSCR器件的开启由寄生PMOS的沟道长度、SCR器件寄生阱电阻RPW和RNW决定。器件具有触发电压低的优点。实验结果表明,通过调整PMTSCR器件的结构参数,相比于传统低电压触发SCR器件(LVTSCR),PMTSCR器件的触发电压由6.3 V下降到4.4 V,触发电压减少30%,同时器件的ESD漏电流保持不变。     

一种新的ESD扰度衡量方法

通过分析ESD模拟器的波形测量数据,提出了一个新的ESD波形指标：前60ns放电能量。该指标比传统指标更能反映ESD扰度的总体特性,试验证明该指标测量一致性较高,测量误差小。在ESD模拟器的合格判定和问题诊断中,该指标可以起辅助作用。     

低轨卫星太阳电池阵静电放电研究

低轨卫星的高压太阳电池阵与稠密等离子体环境相互作用,发生静电放电会诱发高压电池串间产生二次电弧,从而造成太阳电池阵损伤导致太阳电池阵局部失效.文章介绍了太阳电池阵静电放电的机理,概述了三结砷化镓太阳电池阵静电放电试验环境,分析讨论了试验结果以明确静电放电发生的风险.     

半导体器件生产中的静电与防护

绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视.生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制原理,采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、地面、工具及周转箱、防静电包装袋等措施,建立一个完整的静电防护体系.生产厂还应建立防静电系统的周期测试和监控制度,保证防静电设施起到有效的防护作用,避免和减少器件在生产过程中的静电损伤,交付用户高质量高可靠的产品.     

静电放电抗扰度试验结果差异分析

不同实验室对同一受试设备进行静电放电抗扰度试验可能会得出不同的试验结论,分析了其原因,为提高试验结果的可靠性、复现性和不同实验室之间试验结果的可比性提出了建议。     

静电放电模拟器校准系统不确定度分析

文中根据静电放电模拟器的特点和GB／T17626.2-1998《静电放电抗扰度试验》对静电放电模拟器的技术要求,提出了对于静电放电模拟器校准方法的不确定度分析。     

复合材料飞机上静电放电特性研究

针对碳纤维复合材料(介质)飞机上的静电放电(ESD)展开研究,首先给出复合材料飞机上静电放电的产生原理,并根据飞机上放电电流脉冲波形,建立数值模型,模拟静电荷在复合材料飞机上的积累以及静电荷在飞机上静电放电产生的辐射电场,最后结合有限元方法,计算出复合材料飞机的电容并估算静电放电的能量。与传统的金属飞机不同,这里强调对于静电放电产生的辐射电场,以及静电放电对机载天线的影响均在复合材料飞机环境下计算。     

IEC 62228-3:2019标准中的静电放电试验规范及其试验方法分析

IEC62228-3:2019是国际电工委员会(IEC)制定的关于集成电路CAN(控制器局域网)收发器的电磁兼容评估标准.本文对标准中的静电放电试验方法进行了分析,并对静电放电的试验配置和方法进行了总结,详细阐述了CAN收发器在接触放电试验中的实际应用.