多普勒频率调制器的研制及应用

研制了多普勒频率调制器（ＦＭ），当驱动电压频率为１７３Ｈｚ时，对于ＣＯ２激光获得３００ｋＨｚ的调频宽度。该调制器已成功地用于ＳＦ６分子的饱和吸收微分光谱的检测和将ＣＯ２激光频率稳定到ＳＦ６分子的吸收线中心的工作中．     

用振镜调频技术获得SF_6分子高精度微分光谱

利用振动腔外反射镜使入射到低气压ＳＦ６气体吸收池内的ＣＯ２激光的频率受到Ｄｏｐｐｌｅｒ调制，并用相敏检波技术得到ＳＦ６分子的一阶微分光谱。对几条ＳＦ６分子吸收线的频率间隔进行了高精度的测量。最后讨论了这种获得微分光谱方法的优点。     

一种简易可靠的射频激光调制器

采用ＰＩＮ电调衰减器、ＴＬ４９４等元件组成了射频（ＲＦ）大功率ＣＯ２激光调制器，调制频率、占空比和调制度单独可调。给出了电路的工作原理和测试结果。     

激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

采用ＳｎＣｌ４和Ｏ２为反应源，ＡｒＦ准分子激光ＣＶＤ生长ＳｎＯ２薄膜，利用ＸＲＤ、ＵＶＴ、ＸＰＳ研究了薄膜的组成和结构，实验表明ＳｎＯ２薄膜属于四方晶系、金红石结构，薄膜的紫外可见光透射率大于９０％，吸收边波长为３５５ｎｍ，禁带宽度为３．４９ｅＶ。最后，对ＳｎＯ２薄膜的反应机理进行了讨论     

碘乙烷分子共振增强多光子电离飞行时间的质谱研究

在４７３～４８３ｎｍ波长范围内对碘乙烷分子共振增强多光子电离（ＲＥＭＰＩ）飞行时间（ＴＯＦ）质谱（ＭＳ）作了研究。分析结果表明在该波段碘乙烷（Ｃ２Ｈ５Ｉ）分子吸收双光子激光能量跃迁激发至Ａ带的３Ｅ,２Ａ１及１Ａ２态,激发态分子碎裂成中性碎片,中性碎片再吸收光子电离,产生了Ｃ２Ｈ＋５和Ｉ＋离子。Ｃ２Ｈ＋５离子进一步吸收光子并碎裂形成了碘乙烷分子ＲＥＭＰＩ－ＭＳ中其他的碎片离子。     

SnO_2∶Fe_2O_3混合薄膜的制备及其在丙酮蒸汽中的反射光谱

以ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ，ＦｅＣｌ３·６Ｈ２Ｏ及无水乙醇为主要原料，采用溶胶凝胶法制备了ＳｎＯ２∶Ｆｅ２Ｏ３混合薄膜，测量并研究了其在可见光区附近的丙酮气敏反射光谱。     

6H－SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ２／Ｖ．ｓ。掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是第一只６Ｈ－ＳｉＣ掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ。     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

钨在SF_6／O_2射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究

钨在ＳＦ＿６／Ｏ＿２射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究＝ＡｋｉｎｅｔｉｃｓｔｕｄｙｏｆｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆｔｕｎｇｓｔｅｎｉｎＳＦ＿６／Ｏ＿２ＲＦｐｌａｓｍａｓ［刊，英］／Ｐｅｉｇｎｏｍ，Ｍ．Ｃ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ...     

CO2激光雷达的线性调频脉冲压缩技术

用声表面波色散延迟线和声光调制器对ＣＯ２激光进行线性调频脉冲压缩（ＬＦＭ／ＰＣ），线性调频信号带宽为Δｆ＝２０ＭＨｚ、持续时间Ｔ＝８μｓ，经压缩后的脉宽缩短到８０ｎｓ。这种技术成功地用于相干式ＣＯ２激光成象雷达，实验成功了３．１ｋｍ远处建筑物的清晰雷达像。     

采用扩频实现OQAM系统

ＯＱＡＭ系统数字化实现一般采用ＦＦＴ加多相网络，提出了一种相邻载频间隔２ｆ０的ＯＱＡＭ等效复系统，并采用样值为Ｗ＾ｋ２Ｎ＝ｅｘｐｊ２πｋ＾２／Ｎ的扩谱调制器（ＳＳＭ）数字实现，ＳＳＭ取代ＦＦＴ，使系统运算复杂性显下降，计算机模拟结果表明，采用ＳＳＭ实现ＯＱＡＭ，可提高系统抗干扰能力。     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

510.6 nm激光对脐血造血细胞的增殖作用

介绍了５１０．６ｎｍ激光对造血细胞的刺激作用,促使颗粒－巨噬细胞集落形成单位（ＧＭ－ＣＦＵｃ）增多。从人脐带血中分离制备的有核细胞中,加入集落刺激因子（ＣＳＦ）后进行体外培养,形成的ＧＭ－ＣＦＵｃ为１８．６±１２．６／１０４;如果加入的ＣＳＦ是经激光照射后的细胞制成的,其ＧＭ－ＣＦＵｃ为４０．５±２０．２／１０４;如果先用激光照射脐带血的有核细胞,在培养时加入的ＣＳＦ是未经激光照射后的细胞制成的,也有增殖效应,ＧＭ－ＣＦＵｃ为３６．５±１８．５／１０４;如果脐带血中的有核细胞和制备ＣＳＦ的细胞都用激光照射,发现ＧＭ－ＣＦＵｃ明显增多,其值为５７．４±４１．２／１０４,是未经激光处理者的三倍多     

陶瓷材料的激光合成工艺研究

采用激光作热源合成了Ａｌ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｃｒ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，Ｓｂ_２Ｏ_３－ＷＯ_３，ＣｄＯ－ＷＯ_３，Ｆｅ_２Ｏ_３－ＷＯ_３等系列陶瓷材料。测量这些材料的阻温特性，结果表明这些材料都是负温度系数热敏电阻材料。讨论激光合成陶瓷工艺过程中所表现出来的特殊生长形态，这些形态与激光在合成材料中形成的温场分布、材料的导热特性、材料对激光的吸收等有关。通过理论计算得出的温场分布与实验结果很好符合。论述用激光作热源合成陶瓷与传统工艺相比所具有的独特优点，指出该工艺目前尚未解决的问题及今后的研究方向。     

光泵远红外激光AC Stark分裂的频谱特性

利用三能级近似和多组三能级近似模型的光泵远红外激光增益解析表达式，通过迭代运算得到了ＣＯ２－１０Ｒ（８）泵浦ＮＨ３分子远红外激光的工作气压与输出光强的关系曲线和ＡＣＳ６ａｒｋ分裂的频谱曲线，以及最佳工作气压的理论值。     

深冷中性铝团簇的产生和光电离

报道了用激光蒸发／分子束方法产生深度冷却的中性金属团簇。产生的铝团簇Ａｌ．（ｎ＝２，……，６，７）用１９３ｎｍ的准分子激光电离，由飞行时间质谱（ＴＯＦＭＳ）探测。对激光蒸发／分子束技术产生的团簇束的特点作了简单评述并与其它团簇源作了比较。     

对美国JERROLDS550M—C型调制器根据频道频率计算频率设置开关状态的思考

对美国ＪＥＲＲＯＬＤＳ５５０Ｍ—Ｃ型调制器根据频道频率计算频率设置开关状态的思考魏常木（中原油田有线电视台）美国ＪＥＲＲＯＬＤ５５５０Ｍ—Ｃ型调制器是一种输出频道频率可任意设定的调制器，使用很方便，其英文说明书中已给出了如何根据频道频率设置开关状态的...     

复合物p—C6H4F2...NH3（ND3）外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ３）的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为８６．４ｃｍ＾－１;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态Ｓ１和基态Ｓ０的键能信息。Ａｂｉｎｉｔｉｏ计算表明,ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ）复合物的几何结构是：ＮＨ３分子中的Ｎ原子位于垂直ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２     

6H—SiC反型沟道和掩埋沟道MOS器件的特性

介绍了在宽禁带半导体６Ｈ－ＳｉＣ材料上制作的反型沟道和掩埋沟道栅控二极管及ＭＯＳＦＥＴ。器件的制作采用了热氧化和离子注入技术。因为６Ｈ－ＳｉＣ禁带宽度为３ｅＶ，用ＭＯＳ电容很难测量表面态，故利用栅控二极管在室温条件下来测量表面态。反型沟道器件中电子有效迁移率为２０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，而掩埋沟道ＭＯＳＦＥＴ沟道中的体电子迁移率为１８０ｃｍ＾２／Ｖ．ｓ，掩埋沟道晶体管是第一只ＳｉＣ离子注入沟道器件，也是     

高分辨率大气传输模型FASCOD2

本文介绍了高分辨率大气传输模型ＦＡＳＧＣＯＤ２，详细了讨论了模型的特点，进行了不同大气传输模型的比较，作为ＦＡＳＣＯＤ２的一个应用实例，计算了碘激光大气透过率并与实验测量资料作了比较，给出典型大气状况下水平传输和斜程传输的大气精细光谱结构的计算结果，提出了在农村气溶胶模式情况下利用常规气象资料求取碘激光大气透过简便方法。