超细银纳米线的制备技术研究

为了使银纳米线透明导电薄膜具有更优异的光电性能,需要降低银纳米线的直径。以传统的多元醇法为基础,通过引入一种有机试剂安息香,作为还原Ag~+的还原剂,提高了反应的活性,能在较低温度下进行银线合成,因此对银线横向生长起到抑制作用;同时加入溴盐,Br~+在Ag核表面的吸附有助于通过静电平衡作用控制银线线径。此方法制备的银纳米线直径更细,通过SEM对样品进行了表征,结果表明,产品直径达到13 nm左右,且长径比大于1 000。     

银纳米线透明导电薄膜在触控单元的应用与挑战

采用卷对卷涂布机湿法涂布制备的银纳米线薄膜,其薄膜方阻可低至40Ω/□以下,在400～700 nm可见光波段透过率89%以上,环境测试性能稳定,高温高湿及抗紫外(QUV)测试,方阻变化率小于15%,耐弯折性能优异,可满足触控设备的柔性化,大尺寸化的发展需求。同时研究发现,采用黄光湿法刻蚀银纳米线薄膜,传统刻蚀液无法有效刻蚀银线。采用激光干法刻蚀时,刻蚀沟道宽度与银线长度相当,则存在沟道阻抗变化较大的问题。这些问题阻碍了银纳米线薄膜的产业化应用,需尽快解决,使银纳米线薄膜真正成为柔性化可穿戴触控设备的重要透明导电材料。     

银纳米线批量合成及透明导电薄膜的工艺探索

银纳米线薄膜是一种新型的透明导电薄膜,具有可弯曲、高透过率、低表面方阻及低成本的特性,未来有广阔的应用前景。银纳米线直径粗细对薄膜的光学有影响,针对制备可工业化的银纳米线浆料,采用多点滴加的方法来达到调控银纳米线直径的目的。更多的滴加点数能合成更细的银纳米线,但银纳米线形貌的均匀性会变差。通过考察溶剂选取等因素对薄膜性能的影响,选取乙醇作为涂布墨水的溶剂。在此基础上研究了迈耶棒涂布法(Meyer Rod Coating)制备银纳米线薄膜的工艺,取得比较理想的工艺参数,得到的最优透明导电薄膜数据为方块电阻46. 99Ω/、最优峰值透射率为91. 24%。     

透明导电低辐射薄膜的低成本制备技术

对透明导电低辐射薄膜低成本制备技术的国内外研究进展进行了综述,重点介绍了目前采用喷雾热解法与溶胶-凝胶法制备ATO及AZO薄膜的技术现状与存在的问题,并对其未来的发展前景进行了展望.     

新材料发展及在煤炭企业转型中的作用

新材料作为重要的战略性新兴产业,其发展受到世界各国的高度重视。煤炭企业的发展影响国家经济增长和国民生活健康,煤炭企业转型又是其发展过程中的必然趋势。以煤为主,多元发展的发展模式深受各煤炭企业的关注,新材料的高速发展为煤炭企业转型提供了一条有利途径。介绍了陕煤集团支持新材料研发和成果转化的转型,在透明导电薄膜、纳米流体吸能材料、石墨烯重防腐涂料等方面均取得了不错的成果,为煤炭企业转型提供了一条有利的途径。     

氯化物前驱体提拉制备ITO薄膜

以InCl3·4H2O和SnCl4·5H2O为原料制备溶胶前驱体,采用浸渍提拉法在SiO2玻璃表面制备透明带电的ITO薄膜.采用方块电阻测量仪、紫外/可见光分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪等分析薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及光谱特性.结果表明,薄膜的方块电阻与Sn掺杂量、提拉次数及热处理温度均有关.得到的最佳参数为Sn掺杂量10%(摩尔比)、5次提拉并干燥、500℃热处理1 h(炉外空冷).制得的最佳ITO薄膜方阻为240Ω/□,可见光平均透过率大于90%.     

氧化铟基透明导电薄膜的研究进展

透明导电氧化物（TCO）薄膜因其兼具透明和导电的特性,被广泛应用于各个领域中。氧化铟（In₂O₃）基TCO薄膜,因其高透明度、低电阻率、高迁移率和良好的化学稳定性而备受关注。综述了In₂O₃基TCO薄膜的研究进展,介绍了TCO薄膜种类及其常见的制备方法,归纳分析了锡掺In₂O₃（ITO）、钼掺In₂O₃（IMO）、钨掺In₂O₃（IWO）、钛掺In₂O₃（InTiO）等几种典型的In₂O₃基TCO薄膜研究现状,并对TCO薄膜未来的发展趋势进行了总结和展望。     

银掺杂的TiO2光催化纳米薄膜制备及农药降解性能

采用喷雾热分解法制备银掺杂的TiO2纳米薄膜,考察微量银对纳米薄膜光降解农药敌敌畏能力的影响.结果表明,可获得连续致密、晶粒尺寸为20～50nm的TiO2多晶锐钛矿型纳米薄膜.当溶胶中无银盐时,薄膜对敌敌畏的光降解率为48.6%,当溶胶中银盐含量为0.267mol/L时,敌敌畏的光降解率高达99.95%.添加银盐改变了有机物吸附平衡常数,加快了有机物的光降解速率.     

优质纳米晶硅薄膜的低温制备技术及其在太阳能电池中的应用进展

纳米晶硅薄膜是集晶体硅材料和氢化非晶硅薄膜优点于一体,可望广泛应用于薄膜太阳能电池、光存储器、发光二极管和薄膜晶体管等光电器件的一种新型功能材料.本文综述低温制备优质纳米晶硅薄膜技术的研究进展及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.     

退火处理对P型ZnO薄膜光电性能影响的研究

ZnO薄膜为重要的第三代半导体材料,因其优异的光电性能在微电子行业及光电方面诸多领域备受关注,ZnO薄膜的P型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键。本文利用射频磁控溅射法通过N-Al共掺技术,在普通玻璃衬底上成功生长出P型ZnO透明导电薄膜。探讨了不同退火气氛和不同退火温度对薄膜样品光电性能的影响,研究结果表明:当氮氧比为9∶1、溅射功率为140W、在400℃真空条件下退火时成功制备出性能优越的P型ZnO薄膜,其电阻率为152Ω·cm,薄膜可见光透射率达到90%以上。