氧化钆对钛酸钡陶瓷结构和介电性能的影响

采用固相法制备得到了掺杂 1% (mol) Gd2 O3的钛酸钡陶瓷 ,并通过 X射线衍射分析和扫描电镜对其结构进行了表征。对其介电常数、介电损耗和室温电阻率进行了测定 ,结果表明 Gd2 O3掺杂 Ba Ti O3陶瓷的介电常数明显增加 ,介电损耗也有所升高 ,室温电阻率明显降低     

Nb2O5、La2O3掺杂对SrTiO3双功能陶瓷半导化及显微结构的影响

主要研究了Nb2O5和La2O3双施主掺杂对SrTiO3陶瓷半导化及显微结构的影响.采用传统电子陶瓷工艺在1420℃弱还原气氛中(N2+石墨)制备了半导化的SrTiO3陶瓷,讨论了在稀土添加总量为0.9%(摩尔分数)的条件下, Nb2O5La2O3比对SrTiO3陶瓷室温电阻率和显微结构的影响.研究结果表明双施主掺杂不仅可以促进SrTiO3陶瓷半导化而且对显微结构有重要影响.Nb2O5La2O3为21时样品室温电阻率为0.89Ω·cm,显微结构较为理想.在此基础上,获得压敏与介电性能较佳的双功能SrTiO3陶瓷元件.     

Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的制备与电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sm2O3掺杂的PbTiO3陶瓷,并对其制备条件和电性能进行了研究.结果表明Sm2O3掺杂能够缩短凝胶形成时间,降低PbTiO3陶瓷烧结温度,改善烧结性能;Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的电阻率均低于纯PbTiO3陶瓷,当掺杂量为0.003(n(Sm2O3)∶n(PbTiO3))时,电阻率最低,为5.8×108Ω*m;通过XPS分析,得到了Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷中各元素的结合能位置,表明Sm3+、Ti4+等都存在着不同程度的变价,导致了PbTiO3陶瓷导电性的提高.     

Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的制备与电性能研究

采用溶胶-凝胶法制备了Sm2O3掺杂的PbTiO3陶瓷,并对其制备条件和电性能进行了研究。结果表明:Sm2O3掺杂能够缩短凝胶形成时间,降低PbTiO3陶瓷烧结温度,改善烧结性能;Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷的电阻率均低于纯PbTiO3陶瓷,当掺杂量为0.003(n(Sm2O3)∶n(PbTiO3))时,电阻率最低,为5.8×108Ω·m;通过XPS分析,得到了Sm2O3掺杂PbTiO3陶瓷中各元素的结合能位置,表明Sm3+、Ti4+等都存在着不同程度的变价,导致了PbTiO3陶瓷导电性的提高。     

Ti~(4+)掺杂对Na-β"-Al_2O_3固体电解质电性能的影响

Na-β"-Al2O3固体电解质材料的Na+电导率直接影响着钠硫电池的性能。以提高Na-β"-Al2O3固体电解质材料Na+电导率为目的,利用传统固相反应法,在Li+掺杂作为稳定剂的基础上,加入0%～1. 25%(质量分数)TiO2引入Ti4+,制备Na-β"-Al2O3固体电解质材料。采用X射线衍射(XRD)以及扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表征,采用交流阻抗法测试了样品的电导率。实验结果表明,Ti4+掺杂可较大幅度提高Na-β"-Al2O3材料的Na+电导率,原因有三:一是Ti4+掺杂进入Na-β"-Al2O3晶格取代了Al3+,掺杂后抑制了β"相向β相的转变,从而提高β"相的相对含量,且无杂相生成;二是Ti4+掺杂可以降低材料的烧结温度,促进晶粒生长,从而提高了材料的体积密度;三是Ti4+掺杂可以降低材料在高温烧结过程中钠组分的挥发,提高材料的钠含量。其中,在TiO2掺杂量为0. 75%,烧成温度为1575℃,保温0. 5 h条件下,制得的材料性能最佳,电导活化能为0. 1606 eV,离子电导率由未掺杂样品的0. 023 S·cm-1提升至0. 034 S·cm-1。     

硝酸钕丙氨酸配合物及其配离子的标准生成焓

采用新型反应热量计 ,以溶解量热法分别测定了 2 98.15 K时 [Nd(NO3 ) 3 · 6 H2 O(s) 4 Ala(s) ]和 [Nd(Ala) 4(NO3 ) 3 · H2 O(s) 5 H2 O(l) ]在 2 m ol· L- 1 HCl溶剂中的溶解焓。通过设计的热化学循环得到六水硝酸钕与丙氨酸固相配位反应的反应焓△ r Hθm=2 8.985 k J· mol- 1 ,并计算出配合物 Nd(Ala) 4(NO3 ) 3 · H2 O在 2 98.15 K时的标准生成焓△ f Hθm[Nd(Ala) 4(NO3 ) 3 · H2 O,s,2 98.15 K]=- 386 3.9k J· m ol- 1 。测定 2 98.15 K时 Nd(Ala) 4(NO3 ) 3 · H2 O(s)在水中的溶解焓 ,计算出配离子 Nd(Ala) 43 (aq)在 2 98.15 K时的标准生成焓△ f Hθm[Nd(Ala) 43 ,aq,2 98.15 K ]=- 2 92 8.5 k J· mol- 1 。     

Zn掺杂InSb薄膜的电特性

研究了Zn掺杂InSb蒸镀薄膜杂质浓度和热处理条件对其电性能的影响。InSb薄膜采用三温度法在云母基片上制备,利用蒸镀Zn扩散后进行区熔再结晶的方法掺杂Zn杂质。在进行区熔再结晶时为了防止InSb分解和Sb的蒸发,用磁控溅射方法在InSb薄膜上生长厚度为300 nm的Si O2。测试结果表明最好的热处理条件为Ar气氛温度200℃、熔融区的移动速度1×10-5m·s~(-1)和熔融区通过数3。Zn成为受主,室温下测量Zn掺杂浓度为1.47×1022m-3的InSb薄膜的电子迁移率为5.65 m2·V-1·s~(-1)。Zn的掺杂浓度大于1.47×1022m-3时电子迁移率急剧减少,最大的霍尔常数为385 cm3·C-1。在1.5 T磁场下Zn掺杂浓度为3.16×1022m-3时,InSb薄膜电阻率的相对变化达到最大值为3.63,是未掺杂薄膜的2.46倍。     

温度对草酸钕热分解为氧化钕形貌和光学特性的影响北大核心

以碱式碳酸钕(Nd2(C2O4)3·10H2O)为原料,Nd2(C2O4)3·10H2O在空气中热重-热差(TG-DTA)分析结果为依据,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和紫外-可见分光光度计(UV-Vis)分别表征了Nd2(C2O4)3·10H2O在空气中热分解产物的物相、形貌和光吸收特性。结果表明,Nd2(C2O4)3·10H2O在空气中的热分解主要分为3个阶段,第一阶段是室温至300℃,Nd2(C2O4)3·10H2O受热失去结晶水变为Nd2(C2O4)3;第二阶段是300~600℃,Nd2(C2O4)3受热分解为中间产物Nd2O2CO3;第三阶段是600~750℃,Nd2O2CO3受热分解为Nd2O3。在950℃时Nd2(C2O4)3·10H2O受热分解并保温15 min获得了Nd2O3纳米颗粒。随着Nd2(C2O4)3·10H2O热分解温度地升高,获得的Nd2O3颗粒越细,对光的吸收能力就越强。特别是Nd2O3纳米颗粒对光的吸收出现了一些较强的吸收峰和较宽的吸收带,可以极大的拓展Nd2O3纳米颗粒的光学特性应用范围。     

新型复合稀土掺杂ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷

采用固相法制备新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,并对其显微组织和电性能进行了分析.结果表明,复合稀土掺杂可提高压敏陶瓷的综合性能,并明显优于单一稀土掺杂,复合稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律仍遵循单一稀土掺杂对压敏陶瓷电性能的影响规律.新型复合稀土Sc2O3和Y2O3掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷,在相同的Sc2O3掺杂比例下,随Y2O3掺杂量的增加,电位梯度呈增加的趋势;在相同的Y2O3掺杂比例下,随Sc2O3掺杂量的增加,非线性系数呈增加的趋势.当掺杂Sc2O3的摩尔分数为0.12%、Y2O3的摩尔分数为0.20%时,复合稀土掺杂ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷的综合电性能最为理想,电位梯度为410V.mm-1,非线性系数为38.0,漏电流为0.58μA.     

成型压力和掺杂对Na1.4Co2O4基材料性能的影响

采用溶胶-凝胶法制备了Na位掺杂Sr和Li(掺杂量分别为0.1,0.2,0.3和0.4)的Nal.4Co2O4基热电材料,研究了成型压力和掺杂对Nal.4Co2O4基材料电导率、Seebeck系数和功率因子等热电性能的影响.采用XRD分析了NaxCo2O4基热电材料的相组成.研究结果表明:掺杂Sr和Li制备的Nal.4Co2O4基材料的主晶相均为γ-Nal.4Co2O4;增加成型压力及掺杂Li均可明显提高材料的电导率、Seebeck系数和功率因子;当Li掺杂量为0.4时,在310MPa下制备的Nal.4Co2O4基材料的功率因子为7.44mw·m-1·K-2,明显高于未掺杂试样;适量掺杂Sr也可一定程度上提高材料的热电性能.