X射线离体照射人体淋巴细胞诱发染色体畸变的剂量-效应关系

本文介绍用180kV X射线离体照射人体淋巴细胞诱发染色体畸变的剂量-效应关系的实验结果。实验设9个剂量点(0.1—5.0Gy)和1个对照点(0Gy)。分析结果表明,在(?)剂量范围内。双着丝点体加三着丝点体的畸变率 Y_1(%)、无着丝点断片畸变率 Y_2(%)和总畸变率 Y_3(%)与剂量 D(Gy)的关系宜分别拟合为下列方程:Y_1=-0.336+3.89D+4.49D~2(适用于0.1～5.0Gy);Y_2=0.811+2.15D+2.77D~2;Y_3=0.6(?)5.7D+7.66D~2。在低剂量(0—0.5Gy)范围内,双着丝点体的畸变率Y_(dic)(%)和无着丝点断片畸变率 Y_(Ac)·(%)与剂量 D(Gy)的关系,可分别拟合为 Y_(dic)=-0.0013+4.02D(适用于0.1—0.5Gy),(?)=0.218+4.74D。     

染色体畸变分析作为生物剂量测定方法的研究概况

本文叙述了染色体畸变分析作为生物剂量计的国内外研究概况。文中较详细地介绍了离体照射诱发染色体畸变的剂量-效应关系及其在事故受照人员剂量估算中的应用状况,对局部照射和分次照射条件下确定剂量-效应关系的有关问题进行了分析,对今后研究动向作了简要讨论。     

14.8MeV单能中子所致染色体畸变的剂量-效应关系

采用14.8 MeV单能中子对3名健康成人外周血进行照射,照射剂量分别为0、0.1、0.3、0.6、1.0、2.0、3.0、4.0Gy,观察淋巴细胞染色体畸变情况,建立本实验室染色体畸变与受照剂量的剂量-效应关系.实验结果表明:双着丝粒体+环状体数、无着丝粒体数、总畸变数、畸变细胞率与中子剂量均存在良好的线性关系,回归方程分别为Ydic+r=0.0291+0.0607(r2=0.986)、Yace=0.0124+0.1411D(r2=0.982)、Ya=0.0434+0.2035(r2=0.989)、Yac=0.0362+0.0475D(r2=0.927).     

由染色体畸变率计算剂量的方法

本文介绍了根据正确判读的染色体畸变数估算剂量的有关方法、技巧及相应的BASIC机算程序。讨论了目前国内常规判读方法中存在的漏检可能较大的情况及其防止的措施。对用有照射时间修正因子G的剂量-效应曲线,估算剂量及其置信区间和在(n、γ)混合照射时的剂量估算方法,以及对通过泊松分布参数检验判断低LET辐射局部急性照射并估算其剂量的方法作了较详细的介绍。考察了在混合辐射照射中是否计入n与γ产生的次损伤间的作用对所估剂量造成的差异。对剂量-效应标准曲线的拟合,强调了它作正确的加权拟合,并应与公认值比较;还给出了畸变率y拟合的变导系数σ_y/y随剂量D和照射时间T的变化。 在附录Ⅰ和Ⅱ中,分别给出了按微剂量学双元作用原理对染色体畸变率产额公式的推导和次损伤数随时间的变化过程。附录Ⅲ给出了由两种类型的染色体畸变率估算剂量的方法。 附录Ⅳ给出了一个简单的由畸变率估算剂量的机算程序和另一个包含由畸变率估算剂量和由实验点拟合标准曲线的较完备的机算程序。后者,采用了紧缩的数据贮存技巧,并可按不同参量的顺序主从排队印出结果。在标准曲线的拟合程序中,包括对拟合残差的检验,并能对输入的剂量D和照射时间T给出相应的畸变率及其标准差;还设有产生模拟“实验结果”的检验拟合程序的     

用荧光原位杂交技术观察^60Coγ射线诱发人外周血淋巴细胞染色体畸变率的

研究不同剂量＾６０Ｃｏγ射线诱发人外周血淋巴细胞染色体畸变率的观察值和预期值间的关系及其易位的类型和易位在细胞中的分布,为用易位率进行早先照射和慢性小剂量长期照射进行回顾性剂量估算提供必要的理论依据。用４号和７号全染色体探针,采用荧光原位杂交技术和连接ＨＧｉｅｍｓａ染色法分析不同剂量点＾６０Ｃｏγ射线离体照射诱发人外周血淋巴细胞染色体畸变。对比观察发生于４号和７号染色体的畸变数和根据其物理相对长度计算的预期值,发现４号和７号染色体的畸变观察值和预期值非常吻合;除０．２５Ｇｙ剂量点易位在细胞中的分布不符合泊松分布,为过离散分布外,其余各剂量点易位在细胞中的分布服从或接近泊松分布;各剂量点观察到的易位中,经５２ｈ培养后,不完全易位较完全易位为多。其中,又以荧光部分不带着丝粒的易位（Ｔ（Ａｂ））占多数。４号和７号的畸     

用Calyculin A诱导的染色体凝聚研究辐射的剂量效应关系

采用不同剂量（0，0.25,0.5,1.0,2.0,3.0Gy)的60Coγ射线照射离体人血，于照后46h加入CalyculinA，观察其诱导的染色体凝聚，并与常规染色体畸变法进行比较，结果表明，Calyculin A法PCC与常规秋水仙素阻滞法及融合法PCC相比可获得更高的分裂指数，Calyculin A法PCC的断片数与剂量之间呈良好的线性关系。     

染色体畸变分析用于离体模拟与活体局部照射剂量估计的实验研究

用不纯泊松分布方法，分析新西兰兔离体模拟与活体局部照射后的染色体畸变数据，以检验该法用于局部照射事故生物剂量估计的可能性。为此，首先建立了畸变率与剂量的关系曲线，研究了照射对 于受照淋巴细胞进入中其分裂的几率的影响。兔血经＾６＾０Ｃｏγ射线离体照射１－９Ｇｙ后进行两类增养：（ａ）培养纯受照血（ｂ）将７０％的受照血与３０％的正常血混合，培养混合血。实验结果表明：（１）兔血照射后的双着粒畸变率与剂量成     

小剂量X射线照射诱发小鼠精原干细胞染色体易位的剂量效应关系

用剂量为0、0.05、0.25、0.50、0.75和1.00Gy剂量率为0.05Gy/min 的 X 射线,对小白鼠分别进行一次性全身均匀照射,照射后60天,观察精原干细胞染色体易位率。观察结果表明,易位率(?)随受照剂量 D 的增加而增加,二者可拟合成直线回归方程(?)=0.12+1.94D。与关有人的资料相比,小鼠精原干细胞染色体易位率约是人的50%。     

用荧光原位杂交技术观察60Coγ射线诱发人外周血淋巴细胞染色体畸变率的剂量效应关系

研究不同剂量60Coγ射线诱发人外周血淋巴细胞染色体畸变率的观察值和预期值间的关系及其易位的类型和易位在细胞中的分布,为用易位率进行早先照射和慢性小剂量长期照射进行回顾性剂量估算提供必要的理论依据.用4号和7号全染色体探针,采用荧光原位杂交技术和连续Giemsa染色法分析不同剂量点60Coo射线离体照射诱发人外周血淋巴细胞染色体畸变.对比观察发生于4号和7号染色体的畸变数和根据其物理相对长度计算的预期值,发现4号和7号染色体的畸变观察值和预期值非常吻合;除0.25Gy剂量点易位在细胞中的分布不符合泊松分布,为过离散分布外,其余各剂量点易位在细胞中的分布服从或接近泊松分布; 各剂量点观察到的易位中,经52h培养后,不完全易位较完全易位为多. 其中,又以荧光部分不带着丝粒的易位(T(Ab))占多数. 4号和7号的畸变观察值和预期值非常吻合,说明它们发生畸变的频率与其物理长度或DNA含量成正比.     

双着丝粒染色体分析在核与辐射事故应急生物剂量估算中的应用与进展

双着丝粒染色体作为生物剂量估算的“金标准”,用于核与辐射事故受照者生物剂量的估算已有近60年的发展史,积累了较为丰富的资料。本文介绍了双着丝粒染色体人工和自动分析检测方法,以及该指标在核与辐射事故生物剂量估算的应用现状与进展,为国内同行开展基于双着丝粒染色体指标估算生物剂量研究提供参考。     

某大学丢源事故受照人员染色体畸变分析及生物剂量估算

应用常规染色体畸变分析技术,利用本实验室建立的离体照射人外周血染色体畸变的剂量效应曲线,对某大学钴源丢失事故中主要受照人员进行了染色体畸变分析和生物剂量估算。根据“双着丝点 着丝粒环”频率估算的受照人员生物剂量范围为0．14～1．09Gy。本次事故中,主要受照人员已观察到明显的遗传损伤。     

低剂量γ射线辐照对斑马鱼胚胎的发育和遗传毒性效应

为研究低剂量γ射线辐照对水生生物的发育和遗传毒性效应,以模式生物斑马鱼为研究对象,采用生物细胞辐照仪对5 hpf的斑马鱼胚胎进行不同累积剂量（0.01～1.00 Gy）的γ射线辐照处理,分析了胚胎的存活率、孵化率、畸形率和DNA损伤以及发育至150 dpf的F1代斑马鱼成鱼的繁殖能力及肝脏、肾脏和脾脏抗氧化酶的活性。结果表明：0.01 Gy低剂量γ射线辐照对斑马鱼胚胎存活率和孵化率无显著影响,但畸形率和DNA损伤显著提高;当辐照剂量超过0.10 Gy时,存活率和孵化率显著降低。5 hpf的斑马鱼胚胎接受0.01 Gy低剂量的γ射线辐照后,发育至150 dpf的F1代斑马鱼成鱼,产卵量显著降低,且具有剂量依赖性;肝脏的CAT酶的活性显著升高,表明它可能是评价低剂量γ射线辐照毒性效应潜在的生物标记物。     

放射性活度计灵敏度曲线测量及应用

利用已有标准样品的活度值和放射性活度计测量得到的电流值，在不同能量段对核素分段构造函数，拟合出灵敏度曲线。然后利用灵敏度曲线函数计算出待测核素的电流活度比，从而很好地解决了HD-175型放射性活度计的刻度问题。     

β射线体外诱导单层贴壁细胞凋亡生物模型的建立与吸收剂量的估算

选用纯β^-发射体^32P胶体掺入人肺腺癌A549细胞体外培养体系，定时洗去十预因子，动态观察细胞凋亡，建立β射线体外诱导单层贴壁细胞凋亡的生物模型。计算单层细胞厚度．根据β面源吸收剂量估算公式估算生物模型吸收剂量。结果表明，模型稳定、重复性好．为研究核素内照射治疗实体瘤的可能机制提供了符合临床实际情况的体外观察β射线诱导细胞凋亡和吸收剂量估算的方法。     

Fracture of Silicon and Germanium Induced by Pulsed Electron Irradiation

This paper presents certain preliminary results on the fracture of silicon, germanium and indium antimonide resulting from pulsed electron irradiation. Experimental results show that the rapid absorption of energy can produce brittle fracture in the semiconducting materials silicon, germanium and indium antimonide. Samples were irradiated using the external electron beam from a flash X-ray generator having a peak electron energy of 2.2 Mev and a pulse width of approximately 40 nsec. All irradiations were done at room temperature with the total exposure controlled by an appropriate choice of separation distance between sample and source. Samples of various sizes and geometry were prepared from single crystals of n-type germanium and silicon. Sample orientation was obtained through X-ray diffraction. Surface treatments were varied and included a finish polish and etch. Experimental results on germanium, silicon and indium antimonide have established the fracture threshold for polished and etched bulk material to be approximately 34 cal/g for silicon, about 8.5 cal/g for germanium and 4 cal/ g in indium antimonide. Surface treatment played an important role in the observed fracture level. No dimensional dependence of the fracture threshold was observed using polished and etched bars 1 × 1 mm2 in cross section and having lengths between 1 and 25 mm. The fracture planes in both silicon and germanium were found to be the (111) crystal planes and the (110) planes in indium antimonide.     

Surface Etching and DNA Damage Induced by Low-Energy Ion Irradiation in Yeast

Bio-effects of survival and etching damage on cell surface and DNA strand breaks were investigated in the yeast saccharomyces cerevisiae after exposure by nitrogen ion with an en- ergy below 40 keV. The result showed that 16% of trehalose provided definite protection for cells against vacuum stress compared with glycerol. In contrast to vacuum control, significant morpho- logical damage and DNA strand breaks were observed, in yeast cells bombarded with low-energy nitrogen, by scanning electron microscopy (SEM) and terminal deoxynucleotidyl transferase- mediated dUTP nick end labeling (TUNEL) immunofluorescence assays. Moreover, PI (propidium iodide)fluorescent staining indicated that cell integrity could be destroyed by ion irradiation. Cell damage eventually affected cell viability and free radicals were involved in cell damage as shown by DMSO (dimethyl sulfoxide) rescue experiment. Our primary experiments demonstrated that yeast cells can be used as an optional experimental model to study the biological effects of low energy ions and be applied to further investigate the mechanism(s) underlying the bio-effectsof eukaryotic cells.     

Variation of Radiation Damage with Irradiation Temperature and Dose in CLAM Steel

The dependences of radiation induced defects on irradiation temperature up to 700℃ at 15 dpa and on irradiation dose up to 85 dpa at room temperature have been inves-tigated by the heavy ion irradiation and the positron annihilation lifetime spectroscopy for the CLAM.A void size peak is observed at ～500℃ where the vacancy cluster contains 9 vacancies and has an average diameter of 0.59 nm.The size of the vacancy clusters increases with the increase of irradiation dose at room temperature,and the vacancy cluster at 85 dpa consists of 9 vacancies and reaches a size of 0.60 nm in diameter.The absolute values of the void size at the peak and the increase of void size with dose in the CLAM steel are negligible compared to those of the normal stainless steels,indicating that the CLAM steel has good radiation resistant property.     

聚驱井含水率特征曲线在示踪剂综合解释技术中的应用

为了解示踪剂注剂井组中未见剂井的井间参数特征,利用示踪剂综合解释技术对其进行了注采井井间储层参数综合解释;结合聚合物驱单井含水率变化特征曲线和指纹图谱相似度计算方法进行了未见剂井与见剂井的相似度计算。结果表明,注聚合物后见效井的含水率曲线下降漏斗的数目反映了优势通道的数目,见效时间的快慢在一定程度上说明最优通道渗透率的大小,见效有效期反映了地下聚驱波及的体积;综合评价结果能够初步判断未见剂井是否存在优势通道以及发育状况。利用聚驱井含水率特征曲线对见剂井与未见剂井进行相似度计算,不仅节省了示踪剂监测费用,扩展了示踪剂综合解释结果的内容,同时也为油田开发调整提供了指导和依据。     

中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大的数值模拟

分析了中子辐照诱导Si PIN光电二极管暗电流增大现象的机理,建立了Si PIN光电二极管的器件物理模型和中子辐照效应模型。运用MEDICI软件进行数值模拟计算,得出了1MeV中子在辐照注量为1010～1014cm-2时,Si PIN光电二极管暗电流变化的初步规律。数值模拟结果与相关文献给出的实验结果吻合较好。