高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.     

不用大尺寸掩膜版的曝光机

V．Tech．公司开发了6、7代TFT-LCD生产线的不用大尺寸掩膜版的曝光机。该曝光设备只要设定基板第一层的图形之后，在不使用大尺寸掩膜版的情况下能够完成后面工序的曝光工艺；同时具有图形监测系统和许多个曝光光源，以及在基板移动方向上约5cm宽度的形成图形的掩膜版装置，可边移动基板边曝光，     

光学技术在PDP制造中的应用

近年来新型的平板显示器件PDP(等离子体显示板)发展迅速，PDP作为一种气体放电器件，其工业制造涉及电真空学、光学、化学、计算机、精细加工、微电子等学科，本文主要论述和介绍了PDP的制造工艺以及光学技术在PDP制造中的应用。     

EUV掩膜版清洗--Intel的解决之道

对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟．而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力，在Texas州Austin召开的表面预处理和清洗会议上，针对EUV掩膜版清洗方面遇到的问题和挑战，     

TFT-LCD阵列基板栅极半透掩膜版设计研究

本文采用40%和45%透光率的栅极半透掩膜版,详细分析了各透光率下的曝光特性、工艺波动性、生产节拍、量产可行性等。研究表明：栅极半透掩膜版透光率设计可结合产品性能要求和生产节拍进行选择。高端产品,工艺稳定性要求高,需求品质优,可以选择40%透光率;中低端产品,工艺波动性容忍度大,考虑生产产能,可以选择45%透光率。     

等离子体聚合膜的制备及在ISFET中的应用

本文叙述了用等离子体辉光放电法将单体直接聚合成高分子膜,及淀积在半导体器件样品上的制备设备、方法、性能及应用结果。由于设备简单,操作方便,同半导体工艺相容及聚合膜有良好的抗水性及抗离子性,它在离敏器件中有一定的应用价值。预计在其它器件中也有推广的价值。     

电子束曝光技术的应用

电子束曝光技术是一种日益完善的超微细图形加工技术,它被广泛应用于航天通讯国防军工及超大规模集成电路等诸多领域。电子束曝光技术具有极高的分辨率,理论上甚至能达到原子量级。电子束曝光可以在基片上进行无掩膜直接曝光,具有极高的灵活性,因此是研制各种超微细结构器件的有力工具。目前先进的高性能电子束曝光系统主要用于0.1～0.5微米的超微细加工,甚至可以实现纳米线条的曝光制作。 电子束曝光技术是在扫描电镜技术的基础上发展起来的,其原理是计算机控制电子束成像电镜及偏转系统,     

高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法

结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.     

掩膜版调制关联成像的发展及应用(特邀）

关联成像作为一种新型的计算成像技术,使用不具备空间分辨能力的单像素探测器,结合空间光场调制技术,运用关联算法重构出目标的二维空间信息,成为近二十多年来广泛关注的研究课题。单像素探测器和结构光调制器作为关联成像中的两个核心要素,其性能直接决定了关联成像的各项指标。单像素探测器往往具有极高的光谱响应范围和工作带宽,但结构光调制器却少有与之匹配的性能。因此在一定程度上,结构光调制器的更新历程决定了关联成像技术的发展史。到目前为止,在关联成像中常用的结构光调制器有毛玻璃、空间光调制器、LED阵列以及掩膜版。其中,掩膜版作为一款有着悠久历史的结构光调制器,目前依旧是关联成像中空间调控的重要手段,并发挥着不可替代的作用。以关联成像的基本概念和发展历程为铺垫,着重介绍了一些基于掩膜版调制关联成像技术的工作原理及应用前景,并对非光学波段的掩膜版关联成像工作进行了简要的总结。     

应用无掩膜印刷术埋嵌微型聚合物厚膜电阻

Optomec公司开发了一种名为M3DTM的新型印刷技术,用于沉积高精度PTF(Polymer Thick Film)电阻。这种新方法生产出的电阻,面积小到0.05mm2,阻值范围达到100Ω-10000Ω,阻值公差能够保持在10%以内。M3DTM技术可以直接利用CAD文件决定电阻的位置以及阻值大小,而不需要制作掩膜模版,也不需要事后对阻值进行微调,是一种印刷埋嵌电阻的高性价比解决方案。     

等离子体显示器中的膜层

等离子体显示器被认为是实现大屏幕壁挂电视显示最有希望的方案。等离子体显示器件中所用膜种类繁多，膜层结构复杂，成膜质量要求极高，成膜技术与加工工艺要求苛刻。ＰＤＰ的性能、质量、生产效率、成品率、器件成本直接取决于所用膜材料和成膜质量及成膜技术水平。本文对ＰＤＰ中所用膜的种类、材料及成膜技术的现状、进展以及存在的问题进行了论述。     

基于2-opt蚁群算法优化掩膜版缺陷点路径的应用研究

针对现有激光化学气相沉积设备在寻找掩膜版缺陷点时存在镜头移动行程长、镜头频繁失焦的问题,采用基于2-opt邻域搜索的蚁群算法来优化设备的修复缺陷点顺序.相对于传统的X/Y轴升序排列,此方法能够有效缩短镜头寻点时间、降低失焦概率.为加快处理大规模缺陷点时的算法速度,提出设置蚁群近邻搜索范围、2-opt固定半径邻域搜索以及...     

低温等离子体反应沉积ITO膜的研究

研究了低温等离子体条件下ITO膜的沉积过程,获得了均匀、致密的ITO膜.测量了膜的光、电特性,确定了最佳沉积条件,并对实验结果进行了定性分析.     

利用严格耦合波方法研究多层介质膜光栅掩膜特性

从理论和实验上研究了多层介质膜光栅掩膜特性，用严格耦合波（RCW）法对由光栅掩膜槽形和多层膜介质基底引起的衍射效率的变化进行了理论分析，计算得出不同形貌下的光栅掩膜的反射0级光谱衍射效率分布。在实验检测方法上，采用了0级反射光衍射效率分布来进行槽形判断，并将实验结果和理论计算进行了对比。结果证明使用该方法研究光栅掩膜形貌在一定程度上是有效的。     

在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究

实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5μm等间隔线的光强分布。根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角。实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性。使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力。     

微波等离子体法沉积镍膜的研究

采用微波等离子镀膜机制备镍薄膜.该方法的特点是用纯金属镍为靶,用微波产生等离子体,用交流电源作为轰击电源,远程输运.使用XRD、SEM、EDS对采用微波等离子法沉积的薄膜进行表征,对实验结果进行分析,并对镀膜工艺进行了初步探索.     

AC PDP介质膜的实验研究

研究了用薄膜 Ｓｉ Ｏ２ 作介质的可行性。并对电子束蒸发制备的 Ｓｉ Ｏ２ 介质膜进行了微观分析。     

射频等离子体化学气相沉积择优取向膜的研究

用Ｘ－衍射的方法分析了影响射频等离子体沉积择优取向的ＴｉＮ膜，取向的原因。