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氮化镓基固态器件的研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
GaN是大功率和高温半导体器件的理想化合物半导体材料,具有宽禁带,高击穿电压,异质结构道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度,本文着重阐述了宽禁带III-V族化合物半导体器件的研究进展。 相似文献
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1 概述
物联网研究最早起源于军事领域,但在军用和民用领域都具有非常广阔的应用前景。物联网应用范同涵盖军事及民防安全、工业监控、环境监测与保护、精细农业、医疗监护、智能家居/建筑、仓储/物流管理、交通控制管理、消费电子、海洋空间探测等领域。 相似文献
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用第一性原理计算了Sn 替位Ga1.375In0.625O3化合物的Ga 原子(Ga1.25In0.625Sn0.125O3)和Sn 替位Ga1.375In0.625O3化合物的In原子(Ga1.375In0.5Sn0.125O3)的结构、电子能带和态密度。Ga1.25In0.625Sn0.125O3半导体材料比Ga1.375In0.5Sn0.125O3材料具有大的晶格参数和强的Sn–O离子键。在Sn掺杂 Ga1.375In0.625O3化合物中,Sn 原子优先取代In 原子。Sn掺杂 Ga1.375In0.625O3化合物显示n型导电性, 杂质能带主要由Sn 5s 态组成。Ga1.375In0.5Sn0.125O3化合物的光学带隙大于Ga1.25In0.625Sn0.125O3化合物的光学带隙。 Ga1.25In0.625Sn0.125O3 具有小的电子有效质量和大的电子迁移率,Ga1.375In0.5Sn0.125O3 具有多的相对电子数和好的导电性。 相似文献
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金铝键合失效是电子元器件常见的失效模式之一。对某型号射频芯片和检波器两例产品开展了失效分析研究。结果表明,一例失效产品出现了键合丝脱落的情况,一例失效产品出现了键合拉力几乎为零的情况,这是由于铝焊盘与金键合丝之间形成了金铝间化合物,金铝间化合物电阻率较高,使得键合强度降低或键合脱开,最终导致产品失效。研究了金铝化合物的失效机理,借助扫描电子显微镜对金铝化合物形貌及元素进行了分析,最后对金铝化合物所导致的失效提出了预防和改进措施,对于提高电子元器件的可靠性具有一定的借鉴意义。 相似文献
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《电子工艺技术》2006,27(4):247-247
中国赛宝实验室(CEPREI,信息产业部电子第五研究所)始创于1955年,是中国最早进行电子产品质量与可靠性研究的权威机构。可靠性研究分析中心(RAC)是中国赛宝实验室的核心技术部门,是一个按国际标准ISO17025管理和运行的国家级重点实验室,也是目前国内最具实力的电子产品可靠性物理研究与质量保证技术应用开发基地,拥有众多先进的精密仪器设备,以及七十余位长期从事可靠性研究与质量分析的研究人员。赛宝可靠性研究分析中心经过多年的发展和建设,在可靠性物理分析技术、电子封装可靠性技术、电子产品组装工艺可靠性技术、电子组装辅料质量可靠性检测、研究和分析领域具有很强的技术能力,是目前国内最先进、综合技术能力最强的失效分析与电子制造技术支持实验室。 相似文献
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在电子工程领域中,借助智能化技术可以实现自主、自适应和自我学习的设备和系统。运用电子工程中的智能化技术,对于提高效率、质量和安全性,降低成本和节约能源等方面都具有重要的意义。 相似文献
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材料宏观性能的差异归根到底来源于其电子结构的差异。在过去半个多世纪里,过渡金属的d电子一直是固体物理领域内研究的一个重要内容;同时,在过渡金属形成合金的过程中,究竟是发生了“电荷转移”,还是保持“局域电中性”,文献中一直存在着争议。所有这些都依赖于对过渡金属中d电子的精确测量。近年来,电子能量损失谱(EEKS)已发展成为一种具有高空间分辨率的原位测量物质电子结构的强有力工具。 相似文献
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本文着重介绍基于TMDS技术的数字音、视频接口HDMI,以及近来的DisplayPort接口技术和UDI接口技术,介绍它门在消费电子、PC领域的应用和相互竞争的发展状况,同时探讨研究开发具有自主知识产权发新一代数字接口的技术路线。 相似文献