AD9856型上变频器的工作原理及其在雷达回波模拟器中的应用

AD9856是美国ADI生产的正交数字上变频器,文中介绍AD9856的基本工作原理和使用方法,给出该电路在雷达回波模拟器中的应用.     

雷达信号模拟器的设计与分析

阐述了雷达信号模拟器的原理及实现方法,并对模拟器关键技术进行了分析和探讨。对某型雷达信号模拟器进行了简单介绍,该模拟器技术先进,功能齐备,工作稳定可靠。在设计中,采用了微波电路计算机辅助设计（CAD）软件对部分电路进行了设计、优化和仿真,提高了设计效率和产品可靠性。     

静电放电模拟器电路建模分析

从实际的静电放电模拟器结构出发,根据接触放电时静电放电电流的主要特征,考虑到静电模拟器本身、连接线及回路电缆与地平面间产生的分布参数的影响,建立了一个新的静电放电模拟器等效电路模型,并用PSPICE软件对等效电路进行模拟分析,得到了与实测波形基本一致的电流波形.利用该模型讨论了各分布参数对放电电流的影响.结果表明:模拟器体电阻与地间的电感对电流波形影响不大,因此可以忽略,但其与地之间的分布电容对电流波形的低频段有重要影响;连接线分布参数对电流波形的第一峰值及波形光滑度都有影响;回路电缆分布参数主要影响了电流波形中第二个波峰峰值及其位置.     

BMM-ESD模拟器有源电路的模型构建

针对BMM-ESD模拟器电路的电感L等无源器件在线性和集成方面存在困难等诸多问题,提出一种BMM-ESD模拟器有源电路的设计.设计基于一个考虑寄生振荡的六阶BMM-ESD模拟器无源LC电路,通过数学计算的方法,构建形成基于线性放大器的有源BMM-ESD模拟器电路模型.模拟仿真表明,六阶BMM-ESD模拟器自有源电路与无源LC电路的BMM-ESD 电流仿真结果完全吻合,验证了电路模型的正确性与可行性.     

基于PC/104嵌入式计算机的惯导模拟器设计

在介绍某型飞机任务系统训练模拟器原理的基础上,阐述基于PC/104嵌入式计算机的飞机惯导模拟器的研制方案,给出模拟系统的硬件电路和软件程序设计,最后用某型飞机任务系统训练模拟器进行了组网导航训练测试,测试结果显示该模拟系统性能稳定,简单可靠,满足设计要求.     

一种动态电流测试产生方法的SPICE模拟验证

数字电路状态发生改变时,数字电路中的逻辑跳变直接影响电路中的动态电流.基于布尔过程的波形模拟器能够快速准确地对电路进行模拟,其结果既能反映电路的逻辑特性又能反映电路的定时特性.利用波形模拟器可以准确的了解电路中跳变的情况.本文利用波形模拟器改进并实现了一种基于逻辑跳变计数的动态电流测试方法.对于S208电路中的部分开路故障和延时故障,本文用该方法产生了一组测试结果,并利用SPICE软件对这些测试结果进行了模拟实验.模拟结果表明,对于某些故障,测试向量对能够使故障电路的动态电流和无故障电路的动态电流产生较大的差别.通过比较两者平均动态电流的大小,我们能够区分出故障电路和无故障电路.实验结果验证了本文中的动态电流测试产生方法的有效性和可行性.     

机载相控阵雷达信号模拟器的设计

介绍了一套基于PC机和通用DSP芯片结构的机载相控阵雷达信号模拟器,该模拟器采用软硬件相结合的方法,由计算机根据雷达工作参数预先设定并计算目标、杂波数据,然后将数据加载到硬件电路中,硬件电路实时合成雷达回波信号。信号输出形式包括数字信号、视频信号、射频信号和天线信号。     

波形模拟器关于组合电路中竞争冒险的应用

为了更好地研究组合逻辑电路的竞争冒险现象,提出了一种关于组合电路竞争冒险的波形模拟方法,利用基于布尔过程的波形模拟器对电路进行模拟.该方法为检测电路中的竞争冒险现象提供了帮助,能有效降低对某些尖峰脉冲敏感的负载电路所产生的影响.实验结果证明了该方法的可行性和有效性.     

一种激励函数的硬件仿真实现

现在对神经网络的研究以神经网络模型及算法的模拟实现为主,较少考虑硬件实现问题.以模拟器件为主,分析设计了BP神经网络各环节的硬件电路.介绍其中的一种Sigmoid激励函数电路实现,该电路以差分器件为主要部分,通过调整相应的参数可以调节输入电压的范围和改变激励函数的增益,并在EDA环境下仿真验证了电路的有效性.     

MHL在电视机上的电路实现方法

如何配合移动设备上的MHL接口,在电视机上实现简单方便的MHL连接是研究的主要内容。着重介绍了无需MHL适配器的电路实现方案,对其中关键的电视主处理芯片的内部框图、MHL-HDMI连接线、MHL检测电路和充电电路以及PCB的设计方法都进行了细致分析。     

非零初始状态传输线瞬态分析

本文结合付里叶变换和拉氏变换技术，得出了具有任意非零初始电压、电流分布的多导体传输线的等效时域线性网络模型，传输线可以为有耗丰均匀性，该模型可与常用电路分析软件接口，因而可处理非线性终端负载，给出了一个应用本文模型进行瞬态分析的例子。     

Dynamic SPICE-simulation of the electrothermal behavior of SOIMOSFET's

A nonlinear dynamic electrothermal model of the SOI MOSFET is implemented and used in SPICE3. This model is formulated as a set of algebraic and (partial) differential equations which is converted into a SPICE3 netlist automatically by a model translator. Neither is the simulator rewritten nor are SPICE device models implemented or changed. In this way, the presented approach supports effective model development. To show the electrothermal interaction, the SOI MOSFET model is applied to several static and dynamic simulations. The SPICE-simulation results of the thermal model are verified with the commercial finite-element simulator ANSYS     

Analysis of crosstalk and field coupling to lossy MTLs in a SPICEenvironment

This paper proposes a circuit model for lossy multiconductor transmission lines (MTLs) suitable for implementation in modern SPICE simulators, as well as in any simulator supporting differential operators. The model includes the effects of a uniform or nonuniform disturbing field illuminating the line and is especially devised for the transient simulation of electrically long wideband interconnects with frequency dependent per-unit-length parameters. The MTL is characterized by its transient matched scattering responses, which are computed including both dc and skin losses by means of a specific algorithm for the inversion of the Laplace transform. The line characteristics are then represented in terms of differential operators and ideal delays to improve the numerical efficiency and to simplify the coding of the model in existing simulators. The model can be successfully applied to many kinds of interconnects ranging from micrometric high-resistivity metallizations to low-loss PCBs and cables, and can be considered a practical extension of the widely appreciated lossless MTL SPICE model, which maintains the simplicity and efficiency     

超深亚微米工艺下的电路级耦合SET脉冲注入

超深亚微米工艺下在电路模拟器中使用独立电流源方法的单粒子瞬态(single event transient, SET)脉冲注入与实验结果有很大误差. 作者提出了一种基于二维查找表的耦合电流源注入的方法,并且基于开源的SPICE 代码实现. 该方法的计算结果与器件/电路混合模拟接近,而其计算时间远小于混合模拟. 该法与SPICE 集成,可以引入实验测量数据,适合于大规模组合电路的SET 错误率分析.     

用NILT导出的传输线瞬态分析模型

K Singhal与J Vlach的NILT(数值Laplace反变换) 技术是端接线性负载传输线分析的一种有效方法.本文利用这一NILT技术,导出了传输线的时域离散模型,由此可进行端接任意负载传输线的瞬态分析.这一模型毋须象通常的频域方法那样对传输线作有理逼近,因而不存在由此带来的数值问题,而计算量与它们相当.文中分别给出了均匀与非均匀传输线的处理,并用实例作了验证.     

Transient analysis of transmission line circuits based on the semidiscretization of telegraph equations

A new transient analysis method for the transmission line circuits is presented in this paper. Based on the semidiscretization of the telegraph equations, a discretized time domain companion models for the transmission lines which can be conveniently implemented in a general circuit simulator such as SPICE is derived. The computation required for the model is linear with time, equivalent to the recursive convolution-based method. The formulations for both single and coupled lossy transmission lines are given. Numerical experiments are carried out to demonstrate the validity of the method.     

高速电路与MCM互连线的分析

介绍了高速电路与 MCM互连线分析方面的研究与开发工作 ,包括两种新的传输线瞬态分析方法 ,及基于 SPICE的互连线分析系统。     

高压工艺N阱电阻SPICE模型研究

文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型。此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性。     

An advanced physics-based sub-circuit model of a punch-trough insulated gate bipolar transistor

An advanced sub-circuit model of the punch-trough insulated gate bipolar transistor (PT IGBT) based on the physics of internal device operation has been described in this article. The one-dimensional physical model of low-gain wide-base BJT is employed based on the equivalent non-linear lossy transmission line, whereas a SPICE Level 3 model is used for the diffused MOST part. The influence of voltage dependent drain-to-gate overlapping capacitance and the conductivity modulated base (drain) ohmic resistance are modelled separately. The main advantages of novel PT IGBT model are a small set of model parameters, an easy implementation in SPICE simulator and the high accuracy confirmed by comparing the simulation results with the electrical measurements of test power circuit.