~(130)Ce(EC+β~+)衰变研究及其放射化学分离

利用兰州SFC加速的16O束轰击同位素118Sn ,由熔合蒸发 4n反应产生目标核13 0 Ce。为了消除本底干扰并指定13 0 Ce核 ,采用溶剂萃取法对He - jet带传输系统从靶室传输出来的反应产物进行了离线分离与纯化。将目标核13 0 Ce从大量的靶材料、反应产物及母核中分离出来 ,快速制成薄源后在铅室中进行γ单谱测量及X -γ、γ -γ符合测量。从化学分离后的产物中观察到了半衰期为 2 2 .9min的 10 8条γ射线 ,其中 10 7条是新发现的 ,该活性被指定为13 0 Ce。在此基础上 ,进一步研究这些γ线的级联关系 ,建立了缺中子同位素13 0 Ce较完整的 (EC + β+ )衰变纲图。为118Sn(16O ,4n) 13 0 Ce反应体系建立的放化分离流程的分离时间仅 10min ,化学产额大于70 %。化学分离除去 98%以上的核反应生成的13 0 La ,对其它杂质的去污完全满足13 0 Ce(EC + β+ )衰变研究的要求。     

He—jet带传输及X—γ（t）符合测量装置和^153Er（EC＋β^＋）衰变新γ的测定

介绍了Ｈｅ－ｊｅｔ带传输及Ｘ－γ（ｔ）符合测量装置分离鉴别重缺中子远离核的原理、速度和效率、离线测试了其最佳工作条件；利用该装置在线测量了＾１９５，１９６Ｂｉ、＾１５２，１５４Ｅｒ和＾１５３Ｅｒ的（ＥＣ＋β＾＋）衰变。６条新γ射线被确定Ｅｒ。     

^8Li（p，d）^7Li角分布的测量

^8Li（p，d）^7Li是大爆炸原初核合成非标准模型和r过程种子核合成反应网络中的关键反应。在非标准模型中，A=8处稳定核空隙可以通过^4He（t，γ）^7Li（n，γ）^8Li（α，n）^11B（n，γ）^12B（e-v）^12C…、^8Li（α，n）^9Li（e-v）^9Be（n，γ）^10Be（e-v）^10B（n，γ）^11B（n，γ）^12B（e-v）^12C…等一系列反应链跨越过去，从而使核合成的反应能够向更重的核区发展。     

复杂活化衰变核素的k0-NAA研究

在活化分析中，多数情况下，指示核素由靶核（待测元素的某个同位素）通过活化反应直接生成，待分析γ射线在指示核素衰变中发射。然而，在很多情况下，放射性核素存在m态时（80Brm-80Br、134Csm-134Cs等，如图1所示），指示核素由靶核通过复杂的活化反应／衰变生成.     

Nal（Tl）晶体探测器对β^＋粒子湮灭产生的γ探测效率

利用蒙特卡洛方法计算了ＮａＩ（Ｔｌ）晶体探测器对Ｍａｔｒｉｎｅｌｌｉ Ｂｅａｋｅｒ容器中β＾＋衰变气体衰变后β＾＋粒子湮灭产生的γ的总探测效率。计算中，由于考虑了β＾＋粒子的湮灭几率与物质密度相关这一因素，因而得到了总的γ探测效率高于把γ源看成均匀体源的效率的结论。     

沉淀法分离^132Te的研究

在^132I的核数据衰变测量中，需要得到放化纯的^132I的溶液。^132I的分离提取有直接法和间接法两种。直接法是从辐照后的^235U混合裂变产物中直接进行分离，但得到的^132I溶液中有^131I(T1／2=8．04d)、^131I(T1/2=21h)、^135I(T1／2=6．7h)存在，影响数据的测量；间接法则根据其前驱核相对容易分离的特性，从裂变产物中分离出^132Te(T1/2=78h)，然后将其放置一定时间。     

14 ^132I半衰期测量

^132I的半衰期是核衰变数据中的重要参数之一。早在20世纪50～60年代，^132I的半衰期已发表过几家测量数据，测量所用的仪器为电离室和闪烁探测器。这些仪器只能探测总β或γ，放射性计数，不能分辨测量源中可能存在的放射性杂质。之后，至今也未见有新的数据发表。为此，本工作应用高分辨率HPGe探测器重新测量^132I的半衰期。     

41 ^11C（p，g）^12N的核天体反应率以及^3He至CNO的转换

核合成链^3He（a，γ）^7Be（a，γ）^11C（p，γ）^12N到CNO循环可能是另外一条途径替代^3He经由3^4He→^12C到CNO。这一点在某些特定的天体环境中显得很重要，例如贫金属的大质量星。其作用的大小，决定于它所包含的核反应的反应率，其中重要的是^11C的质子俘获反应与其β衰变的竞争。^11C（p，γ）^12N的直接俘获的核天体S因子在我们以前的工作中用实验进行了测量。     

重丰中子同位素237Th半衰期的测定

用60 MeV/u 18O离子轰击天然铀靶,通过多核子转移反应产生重丰中子同位素237Th.使用改进的相对快的分离钍的放射化学流程,从大量铀和复杂反应产物混合物中分离钍,用高纯锗(HPGe)探测器联同多道分析器对化学分离的钍样品做离线γ射线谱学研究,通过对237Th子体237Pa(半衰期8.7 min)的853.7 keV γ射线的生长-衰变曲线的分析,确定237Th的半衰期为4.69±0.60 min.     

缺中子同位素碘的快速化学分离和鉴定

用67.4MeV~(12)C束轰击天然银靶,通过[HI,xn]反应生成缺中子同位素~(117～119)I,研究了其衰变特性。采用氦喷嘴传输技术与快速化学分离系统的组合,用溶剂萃取法从反冲产物中有效地将碘与“杂质”碲、锑等进行了分离。分离速度25-40秒。测得了~(117～119)I的16种较强γ谱线,与文献值符合较好:得到了~(117,118,119)I的部分衰变特性,达到了电荷指定的目的。此外,还测到了7个用直接物理法未测到的γ峰。其中4个峰目前尚未见文献报道,我们认为可能是碘峰。