解决23 mm航炮榴弹引信炮口炸问题的技术途径

为了寻求23 mm航炮榴弹引信炮口炸的原因,分析了23 mm航炮榴弹及其引信、发射装药与内弹道的特性,讨论了23 mm航炮榴弹的安全距离,估算了发射药残渣的飞行特性。发射装药在膛内不能完全燃烧,会有一部分残渣飞出。所配用的弹头触发引信炮口保险距离短,灵敏度高,连发射击时引信在炮口附近撞上此前某一发的发射装药残渣,就会引起炮口炸。解决的技术途径主要有：改进发射装药设计使其在膛内燃烧完、延长引信延期解除保险距离和改善引信钝感度性能。     

DFX10式35mm弹道指示弹

工作原理DFX10式35mm弹道指示弹由引信、药盂、延期曳光管、发烟药柱、发射装药等组成。其中引信同时设有碰击触发发火装置和惯性触发发火装置。DFX10式35mm弹道指示弹与枪挂榴弹发射器配用的其他弹种一样,亦采用高低压发射原理,当发射器击针击发榴弹底火后,弹体内的发射药被迅速引燃,燃烧产生的火药燃气使高压室内的     

迫击炮弹引信解除保险距离性能指标分析

为了准确确定迫击炮弹引信的解除保险距离性能指标，对迫击炮弹质心外弹道进行了大量计算，对比了迫击炮弹与加农炮、榴弹炮榴弹的威力特性，归纳了国外制式迫击炮弹引信的延期解除保险性能，分析了迫击炮弹的射击使用条件。国内已有制式引信的解除保险距离下限60m偏短，而对所有发射装药条件均要求200m的可靠解除保险距离也偏短，并且无必要。迫击炮弹引信解除保险距离下限一般应不低于100m，上限以0号发射装药平射考核时一般应不大于350m，而其它发射装药条件则不必再要求和考核。相应的解除保险时间一般可确定为2～5s。     

硅振荡器时基对脉冲编码调制遥测系统的影响

高稳定度的石英基准因其易碎性在高过载遥测系统中的应用受到限制，而直接采用低稳定度硅振荡器PCM时基会造成乱码、失步等问题。从理论上分析了时基稳定度降低对脉冲编码调制遥测系统的影响，得出结论：码率降低对稳定度的要求相应降低；同步保持时间的长短与对稳定度要求的高低成正比；低稳定度硅振荡器时基不宜在高于500kHz码率条件下工作。试验结果表明，在马歇特冲击过载30000的条件下，按低稳时基所确定的码率与同步保持时间，数据能正确传输，能够满足引信遥测要求。     

小型引信电源冲击特性仿真研究

现代轻武器系统-单兵综合作战系统发射的榴弹口径仅有20mm、25mm；法国和美国装备的弹药最小口径也仅有20mm,要满足这样小的弹药的使用要求,关键技术之一就是电源小型化和耐高过载。文中应用大型有限元软件MSC.DYTRAN针对小型引信电源结构在不同冲击过载条件下的动态响应规律进行仿真研究,为推进引信电源小型化设计及工程应用研究奠定基础。     

德国迪尔40×53mm DM11高速榴弹

迪尔 40×53mm高爆- 预制破片杀伤弹头- 曳光(HE-PFF-T)DM11高速榴弹打算供自动榴弹发射器使用,并符合北约标准化协定4403的要求。它的特征是,带有自毁装置的弹头起爆引信;提高了命中精度;有效的炸药战斗装药;预制杀伤破片;曳光剂组件;外弹道     

国外弹道修正引信发展现状研究

介绍了国外弹道修正引信的研究现状,对美国近几年研制的迫弹和榴弹弹道一维修正引信样机及修正装置进行了较详细的分析。     

基于平衡力矩法的二维弹道修正引信摩擦力矩测试方法

针对目前文献未披露二维弹道修正引信摩擦力矩测试方法,仅是在选取的特定条件下对轴承摩擦力矩进行测试,不能满足轴承在二维弹道修正引信中作用时高过载、高转速的工况要求,无法得到轴承在二维弹道修正引信全寿命周期摩擦力矩值的问题,提出了基于平衡力矩法的二维弹道修正引信摩擦力矩测试方法。该方法考虑了轴承装配、高转速和高过载对摩擦力矩的影响,将轴承装配在二维弹道修正引信中,使用马歇特锤和高速转台分别模拟引信高过载和高转速的环境,通过所设计的装置实现摩擦力矩测试。试验验证表明,该方法可有效测得不同转速、经受轴向和径向高过载后二维弹道修正引信摩擦力矩值,测试操作性强,测量条件范围广。由数据分析可知转速和径向过载对二维弹道修正引信摩擦力矩值影响较大,轴向过载对摩擦力矩值影响并不明显。与理论计算值相比,结果更加符合实际,接近真实值。     

新加坡展示单发面杀伤武器

在2005年国际防务展上,新加坡技术动力公司展示了其单发面杀伤武器(AEW SS ), 它其实是一支配用新一代遥控引信弹药的单发榴弹发射器。它发射40×46mm低速榴弹, 包括可空炸的、带有可编程时间引信的榴弹。AEW SS的枪管较短,枪托可折叠,全长420mm,高230mm,宽105mm。包括一体式的火控计算瞄具及厄利空型(Oerlikon- type)枪口设置系统,武器全质量3.3kg。     

身管火炮膛压和最大射程落点诸元与初速关系经验拟合公式

针对在初速已知的情况下引信和弹药设计及性能、质量分析和试验数据评估与鉴别时弹道环境信息不足的问题,提出了应用1stOpt软件以有多号发射装药的155 mm加榴炮普通榴弹、122 mm榴弹炮普通榴弹和120 mm迫击炮弹为例,对内、外弹道学运动方程简化分析的方法。该方法对身管火炮膛压和最大射程落点诸元与初速关系进行了数值拟合,得到了具有较高精度的拟合公式,拟合公式精度较高,且便于应用。拟合结果表明,最大膛压与初速平方近似呈正比;最大射程及全飞行时间与初速近似呈正比;最大射程落速与初速的关系曲线近似为抛物线,初速无限增大,最大射程落速趋于恒定值;最大射程落角与初速近似呈线性关系,初速越大,落角也越大。     

用全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体集成技术实现ー种激光测距电路

在对薄膜全耗尽绝缘硅互补型金属氧化物半导体( SOICMOS)结构进行模拟和测试基础上，采用薄膜全耗尽绝缘硅(SOI)结构，并在工艺中利用优质栅氧化、Ti硅化物、轻掺杂漏(LDD)结构等关键技术实现了一种高速低功耗SOI CMOS激光测距集成电路。测试结果表明：1.2μm器件101级环振单门延迟为252 ps，总延迟为54.2 ns．电路静态功耗约为3mW，动态功耗为15 mW.     

抗高过载石英晶体振荡器的研究

介绍面向精确打击和导弹目标跟踪中使用的抗高过载石英晶体元件的研发过程。结合石英晶体理论,分析3～50MHz频率段系列石英晶体振荡器的研制过程。设计三角不锈钢钢片弹性托架抗高过载石英晶体振荡器。经过选料、加工与整机试验等过程,成功地研制出高性能三角不锈钢钢片弹性托架抗高过载石英晶体振荡器,抗冲击力在2000g～20000g。     

磁控溅射离子镀基体偏压对类石墨碳膜组织形貌及性能的影响

采用非平衡磁控溅射离子镀技术在单晶硅衬底上沉积类石墨碳膜(GLC),研究基体负偏压对GLC膜的组织形貌及性能的影响。结果表明:基体偏压影响镀层表面形貌,-30V下的镀层表面为较小颗粒状组织;-65V下的镀层表面均匀致密,无明显颗粒组织;-90V下的镀层颗粒边界趋于明显;-120V下的出现大小不均匀的颗粒。沉积速率在-65V前保持平稳,-90V时下降为0.25!m·h-1。随偏压的增加,Ar元素含量先增加后降低。     

国内外碳化硅功率器件发展综述

对国内外碳化硅(Silicon Carbide,SiC)单晶衬底技术、外延片技术、功率器件性能特点进行了归纳分析,指出SiC功率器件产品在应用中面临的问题:SiC功率器件驱动技术和保护技术尚不成熟、电磁兼容问题未完全解决和应用的电路拓扑不够优化等.针对这些问题应从以下几个方面着手发展:降低单晶衬底和外延片材料成本、降低SiC器件在高温下的损耗和开发新的适合SiC功率器件的封装技术.     

一维耦合振荡器阵列同步条件及过程研究

首先分析了一维耦合振荡器阵列的基本结构,根据阵列的动力学方程推导得出了阵列的同步条件,然后研究了耦合振荡器阵列的同步过程,对一维耦合振荡器阵列随时间变化的同步过程进行了Matlab仿真分析,实现了7元耦合振荡器阵列的全局同步,从理论上验证了阵列全局同步的可实现性.     

新型军用头盔微晶显示器

液晶显示器以其高清晰度、低功耗、重量轻和无辐射等一系列优异性能发展十分迅速.本文介绍了一种采用虚拟显示技术研制的新型军用头盔微晶显示器,主要用于单兵系统中数字图像、数据和文字信息的传递,通过头盔显示器士兵可看到计算机产生的图形数据、战场地图、敌方情报、己方位置等信息.该显示器选用动态向列液晶材料,将液晶显示器(LCD)微晶片紧贴到集成电路硅片上,由这些电路直接驱动微晶材料,并用发光二极管(LED)作光源,使红、绿、蓝点光源按域顺序在微晶显示器上产生全彩色图像.该微晶显示器还利用人眼的视觉原理,设计特殊光学系统,使人能够看到小而不虚的虚拟图像.     

苦味酸晶体及分子结构的研究

采用蒸发法制备苦味酸的单晶。用X射线衍射、元素分析、红外光谱对其进行了结构表征。苦味酸晶体属正交晶系 ,Pca2 (1)空间群。晶体参数为 :a =0 .92 6 84(16 )nm ,b =1.913 9(4)nm ,c =0 .9716 (2 )nm ,V =1.72 3 6 (6 )nm3,Z =4,Dc=1.76 6g·cm-3 ,μ =1.6 6cm-1,F(0 0 0 ) =92 8。最终偏离因子R =0 .0 45 4,Rw=0 .0 979。     

一种大功率VME规范电源的设计

军用信息处理机对电源要求很高,不仅要求电源的输出稳定,还要求其具有负载保护及数据保护措施,以适应初级电源的恶劣变化。本文结合雷载信息处理机的具体需求,设计了能够在18V～50V输入范围工作的军用VME规范电源,并对反接保护、功率保持及电源监控等功能模块进行了分析和原理说明。通过与信息处理机的搭载试验证明该电源有良好的通用性和可靠性,技术指标优良,在单槽空间内实现了高功率密度、低重量、高效率且智能化的高性能电源。     

钴(Ⅲ)配合物［Co(NH3)4 (N3)2］ClO4晶体结构及激光化学感度

制备了高氯酸·四氨·双叠氮基合钴(Ⅲ)(DACP)的单晶,用X-ray单晶面探衍射仪测定了其晶体结构.结果表明,晶体属三斜晶系,空间群为P-1.晶体学参数为:a=0.74229(9)nm,α=93.244(2)°b=1.21273(14)nm,β=100.074(2)°;c=1.8124(2)nm,γ=98.033(2)°.晶胞体积V=1.5851(3)nm~3,晶胞分子数Z=6,计算密度D_c=1.952 mg·mm~(-3),线性吸收系数μ=1.901 mm~(-1),单胞中电子数目F(000)=948.该化合物对635 nm的激光非常敏感.     

1-甲基-4,5-二硝基咪唑的晶体结构与感度性能

制备了1-甲基-4,5-二硝基咪唑(4,5-MDNI),培养了4,5-MDNI的单晶。用X射线衍射仪测定了单晶结构。结果表明,该晶体属于正交晶系,空间群为Pna2(1)/n。晶体学参数为:a=0.8412(2)nm,b=1.2646(3)nm,Dc=0.6563(1)nm,V=0.6982(3)nm3,Z=4,Dc=1.637 g.cm-3,μ=0.15 mm-1,F(000)=352。采用GJB772A-1997方法测试了4,5-MDNI的撞击感度和摩擦感度均为0,表明,4,5-MDNI对撞击和摩擦是不敏感的,接近TATB的撞击/摩擦不敏感性水平。