高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝

高压氮气下，自蔓延燃烧合成（ＳＨＳ）氧化铝实验中，研究了稀释剂含量、添加剂含量、氮气压力、反应物的相对密度、反应物厚度对燃烧波最高温度、燃烧波蔓延速率的影响，并制备了含氮量较高的（３３．４ｗｔ％）的氮化铝。     

高压氮气中自蔓延燃烧合成氮化铝

高压氮气下，自蔓延燃烧合成（SHS）氨化铝实验中，研究了稀释剂含量、添加剂含量、氮气压力、反应物的相对密度、反应物厚度对燃烧波最高温度、燃烧波蔓延速率的影响，并制备了含氮量较高（33.4Wt％）的氨化铝.     

铁氧体的自蔓延高温合成方法

自蔓延高温合成方法是俄罗斯宏观动力学研究所Ｍｅｒｚｈａｎｏｖ等人发明的一项新的材料合成方法。用此方法合成铁氧体与传统铁氧体工艺相经 低能耗,合成时间短、等优点,具有广泛的应用。用此方法生产的铁氧体元件的性能稳定,适合工业生产,本文着重介绍自蔓延高温合成铁氧体的基本原理和主要工艺。     

自蔓延高温合成AIN的研究

本文研究了Ｎ２压力、稀释剂含量及松装相对密度对自蔓延高温合成ＡＩＮ的影响。利用ＸＲＤ、ＳＥＭ及金相技术分析了产物的相组成、相分布及产物粉末形貌。并在Ｎ２压力较低的条件下合成了氮化基本完全的ＡＩＮ。     

自蔓延高温合成技术研究动态

综述了俄、美、中、日等国自蔓延高温合成技术的最新研究动向。简要评述了其发展趋势和应用前景。     

自蔓延高温合成的研究进展

概述了自蔓延高温合成技术的概念,起源和发展,分析了前苏联,美,日和我国的研究状况,论述了自蔓延高温合成技术及其发展方向。     

自蔓延燃烧合成氮化铝的产物特征及表面处理

利用铝粉在高压氮气中的自蔓延燃烧合成（ＳＨＳ）合成了较高氮含量（３３．５ｗｔ％）的氮化铝粉末，考察了ＡｌＮ晶须和ＡｌＮ棒晶，提出了它们的形成机理，研究了Ａ１Ｎ粉末的表面处理。     

自蔓延高温合成技术及应用

本文综合介绍了近几年得到广泛应用的一种材料制备新方法-自蔓延高温合成的一般概念，基本原理和特征，结合加压技术，使材料的合成和密实化一步完成，并在制备陶瓷涂层，复合材料等方面具有独特优点和应用前景，今后应充分进行反应特性及与其它技术结合应用的研究。     

自蔓延高温合成AIN的研究

本文研究Ｎ２压力，稀释剂含量及松装相对密度对自蔓延高温合成ＡＩＮ的影响，利用ＸＲＤ，ＳＥＭ及金相技术分析了产物的相组成，相分布及产物粉末形貌。并在Ｎ２压力较低的条件下合成了氮化基本完全的ＡＩＮ。     

碳热还原氮化法结合泡沫前驱体制备超细氮化铝粉体

本研究使用改良的碳热还原氮化法合成超细氮化铝粉体。以γ氧化铝和蔗糖作为铝源和碳源, 先预处理制备成多孔泡沫, 再通过碳热还原氮化法合成氮化铝粉体。反应过程和产物通过X射线衍射分析、SEM和TEM确定。X射线衍射分析表明整个反应过程不存在氧化铝的相转变。高分辨透射电子显微镜显示γ-Al₂O₃颗粒被无定型碳包裹, 从而抑制了γ-Al₂O₃到α-Al₂O₃的相转变。泡沫的多孔结构促进了氮气的扩散和反应副产物的释放, 使得最低反应温度降低至1450 ℃。SEM结果表明得到的氮化铝颗粒粒径大约为50 nm。本研究合成的氮化铝粉体可用于制备高热导氮化铝陶瓷。     

氮气压对自蔓延高温合成AlN后烧的影响

研究了氮气压力对自蔓延高温合成AlN的影响和后烧机理.结果表明,自蔓延高温合成AlN的生长机制为气相-晶体(Vapor-Crystal,VC)机制.气相沉积的台阶平面为AlN的基面({0001)面).为了降低表面能,生长台阶必须以六棱柱形态形核.在后烧阶段,AlN颗粒中心的小台阶被重新"蒸发",并沉积到远离中心的大台阶上,使AlN颗粒棱角分明,形状规则.随着氮气压力的增加,燃烧温度逐渐提高,后烧的时间缩短.     

A-Site Management for Highly Crystalline Perovskites

An in-depth understanding and effective suppression of nonradiative recombination pathways in perovskites are crucial to their crystallization process, in which supersaturation discrepancies at different time scales between CH₃NH₃I (MAI, methylammonium iodide) and PbI₂ remain a key issue. Here, an A-site management strategy via the introduction of an A-site placeholder cation, NH₄⁺, to offset the deficient MA⁺ precipitation by occupying the cavity of Pb–I framework, is proposed. The temporarily remaining NH₄⁺ is substituted by subsequently precipitated MA⁺. The temperature-dependent crystallization process with the generation and consumption of a transient phase is sufficiently demonstrated by the dynamic changes in crystal structure characteristic peaks through in situ grazing-incidence X-ray diffraction and the surface potential difference evolution through temperature-dependent Kelvin probe force microscopy. A highly crystalline perovskite is consequently acquired, indicated by the enlarged grain size, lowered nonradiative defect density, prolonged carrier lifetime, and fluorescence lifetime imaging. Most importantly, it is identified that the A-site I_MA defect is responsible for such crystal quality optimization based on theoretical calculations, transient absorption, and deep-level transient spectroscopy. Furthermore, the universality of the proposed A-site management strategy is demonstrated with other mixed-cation perovskite systems, indicating that this methodology successfully provides guidance for synthesis route design of highly crystalline perovskites.     

物理气相输运法生长AlN六方微晶柱

采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport, PVT), 在1700 ~ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱; 晶柱长度在1 cm左右, 宽度在200 ~ 400 μm, 光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽; 扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明: AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌, 台阶宽度为2 ~ 4 μm, 高度在几个纳米; 拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量。PVT 法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢, Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长, 进而沿着<0001>方向形成柱状结构。AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充, 通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究, 有望在微型光电器件领域表现出应用价值。     

重力SHS法制备陶瓷衬层的组织与工艺研究

采用预置芯等方法对重力SHS法制备的陶瓷内衬层厚度进行控制,研究预置芯大小、SiO_2添加量等对陶瓷层厚度与组织的影响,考察冷却工艺对陶瓷层组织与性能的影响。研究结果表明,随着预置芯直径增大,陶瓷层厚度先增大后减小;在预置芯直径一定的情况下,随着SiO_2含量的增加,陶瓷层厚度增加。添加适宜的SiO_2有利于获得组织细小而致密的陶瓷层。冷却速度快,凝固组织细化,陶瓷层硬度高;冷却速度慢,熔体分离充分,陶瓷层组织均匀,陶瓷层和钢管结合更加紧密,抗热震性能好。     

Highly Crystalline Prussian Blue for Kinetics Enhanced Potassium Storage

Prussian blue analogs (PBAs) are promising cathode materials for potassium-ion batteries (KIBs) owing to their large open framework structure. As the K⁺ migration rate and storage sites rely highly on the periodic lattice arrangement, it is rather important to guarantee the high crystallinity of PBAs. Herein, highly crystalline K₂Fe[Fe(CN)₆] (KFeHCF-E) is synthesized by coprecipitation, adopting the ethylenediaminetetraacetic acid dipotassium salt as a chelating agent. As a result, an excellent rate capability and ultra-long lifespan (5000 cycles at 100 mA g⁻¹ with 61.3% capacity maintenance) are achieved when tested in KIBs. The highest K⁺ migration rate of 10⁻⁹ cm² s⁻¹ in the bulk phase is determined by the galvanostatic intermittent titration technique. Remarkably, the robust lattice structure and reversible solid-phase K⁺ storage mechanism of KFeHCF-E are proved by in situ XRD. This work offers a simple crystallinity optimization method for developing high-performance PBAs cathode materials in advanced KIBs.     

自蔓延高温合成镍铜锌铁氧体粉体研究

采用自蔓延高温合成(SHS)工艺制备了Ni0.25Cu0.25Zn0.5Fe1.96O3.94粉体,将铁氧体粉体分别在800、850、900℃进行热处理,以XRD、SEM、TG-DSC、振动样品磁强计(VSM)等手段分别对产物的物相、微观结构和磁性能进行研究.结果表明,SHS制备的NiCuZn铁氧体粉体经900℃热处理后可以转变成单一的尖晶石相,所得铁氧体粉体结构完整,矫顽力达到最小值,Hc=5 753.417 1A/m,同时饱和磁化强度达到最大值,Ms=68.34 emu/g.     

六方氮化硼颗粒制备方法研究进展

概述了六方氮化硼颗粒制备方法及研究现状。介绍了先驱体法、化学气相沉积法、传统高温法、水(溶剂)热法等不同的制备方法,对合成六方氮化硼颗粒的工艺条件对颗粒形成的影响做了深入的综述。经过分析进一步得出高温精制及在焙烧时加入适量的助剂将会提高产物的结晶度和纯度,指出了各种制备方法的优劣及如何避免合成中存在的问题,并进一步展望了各种制备方法的前景。     

SHS法制备AlN粉体的研究

以Al，N2为合成原料，AlN为稀释剂，4F为燃烧调节剂，NH采用SHSSelf-propagating High-temperature Synthesis）摘要以（法合成AlN粉体，实验系统地研究了稀释剂含量、燃烧调节剂含量、N2压力等因素对AlN合成率和粒径的影响。结果表明：在稀释剂AlN外加量为40%，燃烧调节剂NH4F外加量为5%，N2压力为8MPa条件下，AlN合成率为100%，粉体的平均粒径小于2μm。采用XRD、SEM、XDC等检测手段对粉体的物相组成和形貌进行表征，揭示了粉体性能与工艺因素之间的关系。     

TiC-Ni梯度功能材料的SHS研究

利用自蔓高温燃烧合成反应结合准热等静压技术（ＳＨＳ／ＰＨＩＰ）制备了致密性良好的ＴｉＣ－Ｎｉ系梯度功能的材料,产物的成份分析显示Ｎｉ元素沿厚度方向相对连续而平滑地过渡,明显不同于反应前的阶跃式分布,随着Ｎｉ含量的增加,燃烧温度的降低,梯度层中ＴｉＣ颗粒尺寸逐渐减少,各梯度层的硬度,相对密度也随Ｎｉ含量的添加而变化。