一种积累型槽栅超势垒二极管

提出了一种积累型槽栅超势垒二极管,该二极管采用N型积累型MOSFET,通过MOSFET的体效应作用降低二极管势垒。当外加很小的正向电压时,在N+区下方以及栅氧化层和N-区界面处形成电子积累的薄层,形成电子电流,进一步降低二极管正向压降;随着外加电压增大,P+区、N-外延区和N+衬底构成的PIN二极管开启,提供大电流。反向阻断时,MOSFET截止,PN结快速耗尽,利用反偏PN结来承担反向耐压。N型积累型MOSFET沟道长度由N+区和N外延区间的N-区长度决定。仿真结果表明,在相同外延层厚度和浓度下,该结构器件的开启电压约为0.23 V,远低于普通PIN二极管的开启电压,较肖特基二极管的开启电压降低约30%,泄漏电流比肖特基二极管小近50倍。     

元器件与组件

小封装高电流肖特基二极管 ZHCS400肖特基二极管以SOD323形式封装,正向电流400mA时正向压降425mV。该二极管的平均电 流为1A,脉冲电流为6.75A,功耗250mW。 反向电压30V时反向漏电流为15μA,反向电流200μA的击穿电压为40V。(10000只时单价0.14美元,接     

具有保护功能的功率MOSFET—MLP2N06CL

<正> MLP2N06CL 是安森美公司推出的一种具有完善保护功能的功率 MOSFET。该器件与普通功率 MOSFET 封装(TO-220AB)一样、引脚排列一样,但它具有漏-源极间的箝位保护、栅-源极间的箝位保护,并且有负载短路限流保护,它适用于有浪涌电流及浪涌电压及易产生短路的场合使用。保护功能的工作原理MLP2N06CL 的内部电路如图1所示。在 G-S 极之间及 D-G 之间连接了双向稳压箝位二极管,使 GS 之间的电压 V_(GS)箝位于±10V;使 DS 之间 V_(DS)电压箝位于62V。另外,它还有电阻 R2(约0.2Ω)、R1及三极管 Q组成的限流电路。在漏极电流 Id 在额定电流(Id=2A)以下时,Id·R2的电压降<0.7V,Q 不导通;若漏极电流 Id     

用自供电的运放建立一个低泄漏整流器

用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路（图1）。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。本电路可在压降低至0．8V时提供有源整流。     

正向压降极小的模拟二极管

硅二极管导通时的正向压降通常约为0.7V。为了减小二极管产生的不必要的功耗,有时希望二极管的正向压降最好是小于0.7V。本电路用一只运放和一只MOSFET来模拟二极管,在通过1A正向电流下,其正向压降只有0.04V,这个数     

电池与稳压电源供电的自动切换电路

使用逻辑电源,或使用可插在墙壁插座上的电压适配器,通过给电池卸载而可延长小型便携式系统的电池的使用寿命。但是,实现电池和外部电源之间的切换可能很难办。对于多个单元组电池,我们可以用简单和价廉的二极管开关来解决这个难题;但对于只有一两个单元组电池,如用开关二极管,其正向压降(即使对于肖特基二极管)也会增加到难于接受的程度。用MOSFET来代替二极     

理想二极管控制器在电源“或”应用中免除了耗能的二极管-设计要点386

引言对于当今许多电子设备而育,为了在受到任何电源插拔操作的激励时自动地完成电源之间的切换,都必需借助某种方法。LTC4412通过提供一个低损耗和接近理想的二极管控制器功能而简化了PowerPathTM管理和控制。任何可以采用一个二极管“或”来实现电源之间切换的电路都会因采用LTC4412而获益。LTC4412理想二极管的正向压降远远低于常规二极管,而且,其反向漏电流也较小(见图1)。微小的正向压降减少了功耗和自发热,从而延长了电池的使用寿命。该器件的特点包括:受控外都MOSFET两端的电压降仅为20mV(典型值)元件数目小有助于抑制整体系…     

温度对SiGe/Si异质结功率二极管电学特性的影响(英文)

在考虑到各种物理机制如载流子-载流子散射、俄歇复合、禁带窄化效应及结温效应等的基础上,数值模拟分析了SiGe/Si功率开关二极管的各种温度依赖特性。对Si和SiGe/Si功率二极管而言,温度对器件的正向压降VF、反向击穿电压VB以及反向漏电流JR的影响规律基本相似,即随着温度的升高,正向压降降低,击穿电压增加,反向漏电流迅速提高。然而在相同的温度下,与Si功率开关二极管相比,SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的正向压降降低了近0.1V(在正向电流密度10A/cm2的情况下),反向恢复时间缩短了一半以上,反向峰值电流密度也下降了约三分之一,软度因子S提高了2倍多。SiGe二极管的另外一个重要优点是其反向恢复特性受温度影响很小。当温度从300K增加到400K时,Si功率二极管的反向恢复时间增加了近1倍,而SiGe/Si二极管(20%Ge含量)的反向恢复时间基本保持不变。SiGe/Si功率开关二极管的一个缺点是在高温下产生较大的漏电流,但这可以通过适当降低Ge含量来改善。Ge的引入为器件设计提供了更大的自由度,其含量对器件特性有重要影响。为了获得低的正向压降和短的反向恢复时间,应该提高Ge的含量,但Ge含量增加将导致大的漏电流,因此Ge含量的大小应该优化折衷考虑。     

Si基JBS整流二极管的设计与制备

基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。     

一种衬底电位自调整电源反向保护电路

为了防止电源反向保护电路中反接的NMOS管衬底和漏极寄生二极管正向击穿,提出了一种衬底电位自调整结构.通过在保护管衬底增加上拉耗尽型NMOS管和下拉n型双扩散(ND) MOS管,自动调整保护管在正向导通和反向截止时的衬底电位,防止其衬底和源、漏之间的寄生二极管正向导通.芯片采用0.35 μm BCD工艺完成设计和流片,保护电路版图面积为0.10 mm2,衬底电位自调整电路版图面积为0.01 mm2.测试结果表明:正向工作最大击穿电压由1V提高至9V,过电流保护值为1.4A,反向保护最大击穿电压达到了-26 V.与同类型电路相比,正向击穿电压有了大幅提高,显著改善了电源反向保护电路的性能.     

集成式等效低压二极管

采用集成器件结构和先进工艺研制了一款等效低压二极管.该等效低压二极管的等效电路实质是一个普通npn三极管和一个普通二极管并联.这种结构的器件的正向特性是普通二极管的正向压降;反向特性是普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的特性.选择特有的版图设计和工艺流程,可以将普通npn三极管的发射极E和集电极C之间的电压VECO(实际也是等效低压二极管的反向击穿电压)调整到5.1V以下,该等效低压二极管的反向漏电可达到纳安级,反向动态电阻可达到10 Ω以内.利用此特性,该等效低压二极管适合于高频千兆网口接口的保护,可以避免传输信号丢失.     

新产品快讯

快捷推出新一代IGBT 快捷半导体公司最近推出新一代SMPS Ⅱ IGBT,以取代开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)及其它大功率产品中使用的500V/600V MOSFET。它们的栅极驱动电压力8至10V,与MOSFET类似,因而不必重新设计栅极驱动电路。新的SMPSⅡ IGBT可以代替大功率MOSFET或者取代几个并联的MOSFET。与MOSFET相比,SMPS Ⅱ IGBT技术的功率密度、系统效率及可靠性都得到改善,系统工作频率可以达到150kHz,而电流不会减小。导通损耗很低,在高温时尤为明显。栅极电荷降低80％。SMPS Ⅱ IGBT可以用于各种功率转换器,包括单开关正向转换器。将SMPS Ⅱ IGBT与Stealth二极管装在一起可以降低EMI、开关损耗及导通损耗,并     

了解MOSFET通态漏源电阻

<正>分立MOSFET数据表中重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为RDS (on)。这个RDS (on)想法看起来非常简单：当FET处于截止状态时，源极和漏极之间的电阻非常高，以至于我们假设电流为零。当FET的栅源电压(V GS)超过阈值电压(V TH)时，它处于“导通状态”，漏极和源极通过电阻等于RDS(on)的沟道连接。然而，如果您熟悉MOSFET的实际电气行为，您应该很容易认识到该模型与事实不符。     

具有固定电压的VLDO

500mA VLDO（非常低压差稳压器）LT3021的输入电压为1．4～10V，输出电压为1．2V、1．5V和1．8V，在工作电流达500mA时，仍保持160mV的压降，静态电流为120μA，停机时电流低于3μA。用3．3μF的低ESR陶瓷输出电容器优化了稳定性和瞬态响应，其他特点包括0．05％的电压调节和0．2％的负载调节，内部保护电路包括电池反向保护、限流以及具迟滞和反向电流保护的热限制。     

混合P-i-N和异质结二极管的设计与仿真

设计了一个混合P-i-N和多晶硅/4H-SiC异质结的二极管结构(MPH diode)。当正向偏置时,异质结区在低电压下开启,随着正偏电压的不断加大,P~+4H-SiC区域注入少数载流子到漂移区,在异质结下就会有明显的电导调制效应。异质结部分的正向传导增强,即使在高电流密度时,大多数的电流运输也会通过异质结区,这样会使得正向压降和储存电荷之间有一个很好的折衷。当反向偏置时,沟槽MOS结构形成夹断,从而使器件有低漏电流密度和高阻断电压。采用仿真工具Silvaco TCAD来研究MPH二极管的电学特性。结果表明,MPH二极管有低正向开启电压(0.8V),而且当正向电压大于2.7V时,P-i-N区域导通,正向电流密度快速增大。与MPS二极管相比,MPH二极管同样可以工作在高压状态下(2 332V),并且有较小的反向漏电流和较好的反向恢复特性。     

300V以上硅基新型JBS肖特基二极管的制备

为了在保留传统肖特基二极管正向压降低、电流密度大优点的基础上,使其反向击穿电压提高到了300 v以上,我们采用硅材料做为衬底,肖特基结区采用蜂房结构,终端采用两道场限环结构加一道切断环结构,所制备的肖特基二极管在正向电流10A时,正向压降仅为0.79 V;同时在施加300 V反向电压时,反向漏电流在5μA以下.     

金星C542型21英寸平面直角彩电故障检修一例

故障现象:开机后图像正常,但满屏幕都是细条纹,看上去很像电源滤波不好,经检查电源滤波电路C_(706)(150μF/400V)电解电容正常,查主电源电压110V、25V也正常,但当查供中放高频头的12V电压时,发现电压偏高,达13V左右,本机此电压由电源输出17.3V电压经滤波后输出12V稳定电压,电压升高后,引起中放自激,当断开TAT680的(20)脚,不加电源,则屏幕1片白,细条纹消失,查V_(701)(2SD313)正常,但查二极管V_(745)(DX0068CE)已环。从电路上看,这是一只特殊二极管,它的正向压降有3.7V,现在市面上不容易买到这种二极管,可利用普通二极管正向压降0.7V的特点,用4只1N400二极管串连后上机,测输出电压11.SV,机器恢复正     

超结硅锗功率二极管电学特性的研究

超结SiGe功率开关二极管可以克服常规Si功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降也将增大,反向恢复时间也变长。该新型功率二极管有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,代替传统功率二极管的n-基区;二是p+区采用很薄的应变SiGe材料。该器件可以同时实现高阻断电压、低正向压降和快速恢复的电学特性。与相同器件厚度的常规Si功率二极管相比较,反向阻断电压提高了42%,反向恢复时间缩短了40%,正向压降减小了约0.1V(正向电流密度为100A/cm2时)。应变SiGe层中Ge含量和器件的基区厚度是影响超结SiGe二极管电学特性的重要参数,详细分析了该材料参数和结构参数对正向导通特性、反向阻断特性和反向恢复特性的影响,为器件结构设计提供了实用的参考价值。     

用于移动设备的同步整流器

iW671使用一个更加高效的MOSFET替代传统电源中的次级侧Schottky二极管,并与Dialog的iW1786或iW1787初级侧控制器配合使用,所达效率超过88％。同时,强劲有力的小型适配器可满足更高的功率密度需求,而且不会超过温度限值。 传统电源使用Schottky二极管整流输出电压（将AC电压转变为DC电压）。通过使用同步整流器替代Schottky二极管,MOSFET在转换时所降电压低于Schottky二极管的正向电压,从而减少功率损耗。     

集成温度补偿二极管的研制

温度补偿二极管主要用于各种电子线路的电压基准电路中,其作用是利用其正向的负温度系数在电路中作温度补偿用。我们采用集成电路的方法设计了一种温度补偿二极管,且该二极管可采用国际通用的DO-35封装。现以温度系数为-4.6mV/℃(典型值)、正向压降为1.18～1.28V(I_F=3mA)的温度补偿二极