一种新的亚像素边缘检测算法

总结了目前基于sigmoid函数的亚像素边缘检测算法,针对其计算过程较为复杂的缺陷,本文提出了一种新的亚像素边缘检方法-基于反正切函数拟合的亚像素边缘检测方法。该算法首先通过Canny算子进行图像整像素边缘的初步定位,并采用反正切函数作为拟合边缘模型,利用边缘像素附近的灰度值拟合边缘模型来获得亚像素的边缘定位。实验结果表明,在不影响精度的前提下,基于反正切函数拟合的亚像素边缘检测算法的运行时间要明显快于sigmoid函数的亚像素边缘检测算法的运算时间。因此,反正切函数拟合的亚像素边缘检测算法基本地满足了图像测量的稳定可靠、高精度、强实时性要求,并对图像噪声有较强的抗干扰能力。     

激光基准成像测量光斑图像的亚像素检测算法

在激光基准下基于CCD成像身管轴线直线度测量系统中,对激光光斑图像的高精度检测和定位是影响系统测量精度的一个重要因素.为了提高激光光斑图像的检测和定位精度,提出了一种Sobel-Guass拟合算子的激光光斑亚像素边缘检测方法,同时结合最小二乘迭代圆拟合法设计了光斑中心的高精度定位.即:首先用Sobel算子细化边缘,进而在梯度方向上进行高斯函数拟合插值,进一步提高图像边缘位置的检测精度,最后经最小二乘圆迭代拟合后得到激光光斑的亚像素级几何参数,从而使测量系统的精度提高一个数量级.实验结果表明:像素细分后对像素点的定位精度可以达到0.1个像素,亚像素边缘对标志中心的定位精度优于0.03像素.     

机械零件直线边缘亚像素定位方法研究

直线是视觉图像中重要的基元特征.建立了三级灰度图像边缘模型的空间矩算子,利用LOG算子定位速度快的特点,确定图像像素级边缘,然后在包含边缘点的邻域内利用空间矩进行边缘的亚像素定位,由Hough变换提取直线边缘像素点,最后采用基于最小二乘原理的直线拟合边缘提取方法,得到亚像素级被检测直线.对空间矩算子亚像素定位算法与像面直线亚像素提取算法的有效性和精度进行了实验研究,实验结果表明提出的基于空间矩亚像素边缘定位算法与像面直线亚像素提取算法具有较高的精度和稳定性.     

基于空间矩的视觉图像基元特征提取方法研究

建立了三级灰度图像边缘模型的空间矩算子。首先利用LOG(Laplacian of Gaussian)算子定位速度快的特点,确定图像像素级边缘;然后在包含边缘点的邻域内利用空间矩进行边缘的亚像素定位,由Hough变换提取直线和椭圆边缘像素点;最后采用基于最小二乘原理的直线拟合边缘提取方法,得到亚像素级被检测直线和椭圆。对空间矩算子亚像素定位算法与像面直线和椭圆亚像素提取算法的有效性和精度进行了实验研究,实验结果表明,在测量速度相当的情况下,本文提出的算法具有较高的精度和稳定性。     

基于Zernike矩的圆形插针特征点提取算法研究

在电连接器插针缺陷检测系统中,插针图像特征点的获取是检测关键,为了实现插针位置的高精度检测,提出了一种基于Zernike矩的插针特征点定位算法。通过增大Zernike矩的算子模板尺寸,以及优化边缘阶跃模型,提高了亚像素边缘检测算法的精度。将最大熵阈值法应用于Zernike矩边缘检测算法,实现了自动选择最佳阈值,解决了传统算法中手动调节阈值的低效率问题。对提取的亚像素边缘点进行拟合获得椭圆目标中心,实现了插针的位置特征点提取。仿真实验与实际测试结果表明,该算法能够实现图像边缘的亚像素检测和插针特征点的准确定位,算法定位误差小于0.1个像素。     

线阵CCD图像特点及识别算法适应性研究

针对线阵CCD扫描图像识别精度难以提高的问题,深入分析了扫描运动对图像质量的影响,指出行距不均匀和扫描位置重复性差是影响识别精度的关键因素,在此基础上,提出了沿像元排列方向搜索边缘点,用曲线拟合识别圆心坐标的方法,避免了扫描行距对识别的影响,实验证明,该方法有效可行,识别精度可达亚像素级.     

基于二次曲面拟合的子像素边缘检测算法

针对传统边缘检测算法边缘信息保留不完整与边缘点定位不精确的问题,提出了一种基于二次曲面拟合的子像素边缘检测算法。利用拟合法求得子像素图,其抗干扰性强,检测位置较准确,并在此基础上利用改进的Canny算子精确地判断图像边缘位置。实验结果表明,该算法不仅提高了图像的边缘信息保留能力,且图像边缘光滑,边缘点定位精确,细节信息完全。     

基于像素分解的圆形标志点亚像素定位研究

影像中圆形标志点的定位对于数字摄影测量具有重要作用.通过对圆形标志点边缘处的混合像素进行亚像素定位,提取出标志点的亚像素级边缘,再基于最小二乘原理进行椭圆拟合得到圆形标志的中心坐标.运用三种实验表明,与直接采用像素级边缘进行拟合定位相比,该方法的精度明显提高.     

基于灰度导数加权的椭圆高精度提取算法

为了满足姿态测量时对椭圆合作目标的高精度定位要求,提出了一种基于灰度导数加权的椭圆拟合算法(WGG).首先,在进行预处理之后的二值图像上提取初始边缘点,采用简单的代数拟合方法得到椭圆参数;其次,考虑二值化过程中的不确定因素会对提取边界点带来干扰,根据原始图缘中边缘灰度的渐变姓,利用边缘点的灰度导数值对其进行高斯函数拟合;最后,求取每一个边缘点的正交相切点,并构造优化目标函数求取椭圆最优参数.实验结果表明,对测试图像提取出采的椭圆拟合误差能达到0.013像素以内,与真实值点的平均误差为0.017像素,真实图像中椭圆的平均拟合误差为0.008 6像素.对于不同的外界环境该方法都能获得更精确的亚像素边缘和椭圆中心,具有很高的精确性和鲁棒性.     

图像的快速亚像素边缘检测方法

提出了一种新型的测量图像快速亚像素边缘检测方法。首先,利用标准的Sobel算子进行边缘点的粗定位,确定边缘点的像素级精度位置和边缘的方向;然后,沿边缘点的边缘方向拓展像素,得到长度为6的像素灰度值向量,将向量带人利用最小二乘曲线拟合方法得出的公式,求出边缘点的精确位置,从而能够实现亚像素边缘定位精度。实验证明：该方法的定位精度为0．1pixels,算法的运行时间为0．53s。     

基于Matlab对Spice二极管特性受温度影响的研究

为了对Spice程序下的二极管模型的伏安特性和等效电容受温度变化的影响进行研究,在此以软件Matlab的仿真环境为基础,Spice二极管物理模型D1N4002为研究对象,在仿真软件Matlab中编写程序代码,建立了二极管模型D1N4002的伏安特性和等效电容的函数模型,绘制出不同温度下二极管伏安特性和等效电容的曲线,并结合仿真曲线对由温度变化产生的影响进行分析,得出了温度对二板管模型在反向击穿和正向导通状态下的伏安特性及等效电容有明显的影响这一结论。该研究方法以一个新颖的视角,运用Matlab构造特性函数,以温度为变量,研究了Spice二极管模型的特性,同时也为其他更加复杂的半导体器件特性的研究打下了基础。     

基于CAS的单点登录系统应用研究

随着信息系统的迅速发展,各类信息化应用系统逐步建立,但是各应用系统之间自成体系,从而导致了每使用一个系统就要重新登录一次,给用户的使用和管理员的管理带来了很多不便.本文研究基于CAS的单点登录系统应用,很好地解决了使用和管理困难问题,介绍了基于CAS的单点登录系统应用设计研究,系统采用用户管理LDAP轻量级目录服务、CAS中央认证服务,设计了一个统一管理界面,通过Web服务传递用户参数,实现了多应用系统的整合.     

提高超微粒乳剂分辨率的研究

对提高超微粒乳剂分辨率的问题进行了讨论,分析了影响分辨率的因素,提出了相应的解决办法.     

信息化战场多传感平台应用探讨

多传感平台是实现未来信息化战场“网络中心战”概念的一组必要的装备系统．结合战争形态由机械化战争向信息化战争转变的趋势,分析了信息化战场多传感平台应用背景与要求,研究了其体系结构、信息融合方法和具体应用,为未来信息化战场多传感平台发展与使用提供依据。     

基于ANSYS分析温度对荧光粉发光性能的影响

采用有限元方法模拟了LED集成封装光源和LED远程荧光集成封装(LED RPIP)光源各部分的热量分布。通过结合模拟和实验数据分析得到:随着LED结温升高,荧光粉温度随之上升,发光性能不断衰退,LED硅胶板和LED远程荧光板温度从室温35℃分别升高到73.794和73.156℃,光源光通量分别降低了30.53和22.39lm。最后得出硅胶板和远程荧光板中荧光粉发光性能分别下降了0.943%和0.78%。     

平视显示器的装机工程设计研究

介绍了平视显示器的装机工程设计过程中应遵循的一般设计准则,以保证平显安装定位后有较大的下视角和合理的总视场与瞬时视场位置关系.     

云计算虚拟化安全技术研究

近年来,伴随云计算服务的发展和普及,其安全问题也逐渐凸显.而其中的虚拟化安全则是云服务商和安全厂商关注的重点.梳理了云计算虚拟化环境中主要面临的安全威胁,提出了云计算虚拟化安全技术架构,包含基于KVM的虚拟化安全技术框架和虚拟化集中管控平台两个部分,并依照技术架构开发了“沃云”安全管理平台原型系统,对云计算虚拟化安全技术架构进行了理论验证.     

掺杂对钽丝电性能影响的研究

通过显微组织观察、直流漏电流测试,研究了掺杂元素种类(A、B两类)及其掺杂量在不同退火温度下对钽丝微观组织以及直流漏电流的影响。结果表明:随着掺杂量的增加,钽丝的再结晶温度升高,组织晶粒细化,其中掺B比掺A细化效果更加明显;掺A和B的钽丝比仅掺A的钽丝或纯钽丝直流漏电流性能要好,且掺400×10-6(质量分数)的A与掺400×10-6的A、400×10-6的B钽丝的直流漏电流数值在同类钽丝中最低,可达到约0.007×10-6A·cm-2。     

传导电磁干扰对绝缘衬底上硅工艺器件的影响研究

为了研究绝缘衬底上硅(SOI)工艺器件在传导干扰下的电磁抗扰度特性,分别选用了SOI CMOS工艺和体硅CMOS工艺的CAN控制器,基于直接功率注入法对芯片进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片与体硅芯片的抗扰度阈值曲线的变化趋势基本相同,但在个别引脚和频段内SOI芯片具有更强的抗干扰能力。在不同工作温度下进行了抗扰度测试,结果表明SOI芯片在高温环境下具有较强的抗干扰能力。     

屏蔽对电子设备EMC性能影响分析

针对电磁兼容(Electromagnetic Compatibility,EMC)测试标准对电子设备机箱屏蔽效能的需求,首先从屏蔽机箱的反射损耗与吸收损耗等方面入手,分析了屏蔽机箱的屏蔽效能,描述了如何根据实际使用情况对屏蔽机箱的材料及其厚度进行选择。根据屏蔽机箱实际使用情况,分析了孔洞和缝隙对其屏蔽效能的影响。结合2个电子设备的EMC测试实例,分别描述了如何对屏蔽机箱上的孔洞和缝隙进行处理,从而提高设备的EMC性能。分析并讨论了如何在设计阶段采取措施,通过加强屏蔽,改善设备的EMC性能。