电力半导体模块及其工艺技术

回顾了电力半导体模块发展里程，指出了电力半导体模块今后发展的方向，描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了IGBT模块的结构和工艺技术，提出了设计IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。     

电力半导体模块新趋势

简要叙述了电力半导体模块的发展过程,介绍了晶闸管智能模块的结构和特性,描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势,指出了我国大力发展IPEM的必要性。     

电力半导体模块及其工艺技术

回顾了电力半导体模块发展里程 ,指出了电力半导体模块今后发展的方向 ,描述了我国研制成功并已生产的智能晶闸管模块的特点及其应用领域。介绍了 IGBT模块的结构和工艺技术 ,提出了设计 IGBT模块各部件时应注意的问题和工艺技术特点。     

电力半导体模块新趋势

简要叙述了电力半导体模块的发展过程,介绍了晶闸管智能模块的结构和特性,描述了IGBT智能模块的现状和发展趋势,指出了我国大力发展IPEM的必要性.     

开启中国电力电子产业发展之门——访IEEE电力电子学会北京分会主席王正元先生

电力电子技术早在20世纪中就已出现，在50年代末60年代初，电力电子才真正成为一门学科，其催化剂是晶体管的发明，接着是大功率晶闸管和GTO(门极可关断晶体管)的出现。70年代，随着集成电路(IC)与微处理器(Microprocessor)为代表的微电子技术的突飞猛进，人们将功率器件与微处理器进行有机地结合，产生了自动化工业的革命。80年代末，MOSFET和IGBT的问世和发展，使传统电力电子技术进入现代电力电子技术时代。     

集成门极换流晶闸管IGCT

介绍了一种新型电力半导体器件——集成门极换流晶闸管 (IGCT)的特性、工作原理、关键技术及其应用情况 ,并指出它必将成为大功率应用中的首选电力半导体器件。     

双极MOS复合器件及其发展动向

微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关断能力;广泛使用的双极晶体管需较大的基极驱动电流;可关断晶闸管GTO能在比双极晶体管更大的电流密度下工作,但开关速度低且门极关断电流大;     

株洲电力机车研究所电力电子事业部

株洲电力机车研究所电力电子事业部(原半导体厂)成立于1964年，坐落在美丽的湘江之滨，富庶的工业重镇一一湖南株洲。主要从事大功率半导体器件的研发生产，是我国最早开发大功率半导体器件的单位之一，是我国铁路机车大功率半导体器件研究开发及生产基地。主要产品有普通晶闸管、普通整流管、快速整流管、快速晶闸管、非对称晶闸管、门极可关断晶闸管。     

新型国产3英寸高压晶闸管及其应用

随着国民经济的发展,冶金、交通、电力等骨干产业,对国产新型大功率电力电子器件,提出了更高的要求。为了适应这一新形势,80年代末90年代初,国产3英寸高压晶闸管的研制,得到了迅速发展。现以全部国产化的冶金部自动化院的新型3英寸高压晶闸管为例,介绍一下其主要特点及应用情况。 (一)新型高压晶闸管的主要特点 新型高压晶闸管主要新在如下几方面: 1.器件的芯片直径为3英寸,单只器件额定电流可达     

中子嬗变掺杂硅（NTD—Si）的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一

评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程，指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。     

面向21世纪的电力电子和变频调速技术

1.回顾与展望 电力电子学是使用电力半导体器件及电子技术对电气设备的电功率进行变换和控制的技术。它诞生于60年代后期,早期以晶闸管电路和系统为代表。经过40多年的发展,电力电子学已经形成较为完整的学科体系和     

高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究

用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。     

电力电子设备用的新型晶闸管保护装置

晶闸管是一种大功率半导体器件,在电力电子设备的变流系统中有广泛的应用。由于变流系统常出现过电压和过电流,极易损坏晶闸管,因此必须为晶闸管配备保护装置。本文重点介绍高能氧化锌压敏电阻型晶闸管保护装置的设计、制造、性能和应用效果。     

新型晶闸管触发模块的应用

<正> 传统的晶闸管触发电路一般由振荡、电压放大、功率推动及脉冲输出变压器四部分组成,需由两种或两种以上电源供电。这种晶闸管触发电路复杂,调试也比较困难。尤其是脉冲变压器这一储能元件会导致脉冲前沿斜度大,使得晶闸管压降上升,功耗增加。 本文介绍的新型晶闸管触发模块——CMK模块能克服传统晶闸管触发电路的不足。它由TTL电平直接驱动,体积小,高可靠性,而且顺应当前模块化和计算机控制的发展趋势。CMK模块的外形如图1所示,其体积为38×30×12mm。它采用标准引脚间距。CMK     

挖槽工艺在我国晶闸管制造历史上的作用

本刊上期介绍了晶闸管制造的前十年，是一定要用大量黄金的。照此下去，电力电子势必成为国民经济的耗金大户；而且这种“扩散一合金工艺”限制了晶闸管向大面积(扩展电流容量)、高电压、快速性、高性能及派生新器件的方向发展。尽管开发了石墨粉压接、真空吸片、倒装等保证烧结质量(主要是保证金锑片、金硼钯片同扩散好的p-n-p结构的     

访西安爱帕克电力电子有限公司总经理——刘荡波

刘荡波，1956年11月出生于山青水秀的湖南益阳。1977年恢复高考后，考入湖南大学电子工程系半导体器件专业学习。毕业后，1982年国家分配到西安电力电子技术研究所从事大功率半导体器件的研制开发工作。扎实的专业基础、勤奋的工作，使刘总在工作中得到深造。1984年参加3英寸大功率晶闸管技术引进项目，     

静电感应晶闸管在电源电路中的应用研究

在测试分析了国产静电感应晶间管(SITH)主要性能的基础上，研制出几种驱动电路，并用它们作为主开关器件制成三种电源电路。对这三种电路的测试表明，静电感应晶闸管是具有良好特性的电力电子器件。国产器件可以针对应用改变设计，取得与应用的最佳配合。     

SKHIT 01型SCR／晶闸管触发器模块

SKHIT 01型SCR／晶闸管触发器模块是为触发半控制桥设计的。图1示出SKHIT0l的结构框图。周期性振荡器(4)和十进制计数器(5)产生方波信号，以10μs的周期性脉冲持续系数和10kHz的频率彼此延迟时间。这些脉冲通过比较器和输出放大器(6)及串联电阻器(7)直接到达单个晶闸管门极。如果加在该晶闸管上的电压是负的，或者没有释放信号，那么，触发器脉冲信号将被消除。驱动器脉冲的相位关系与电线电压的相位关系没有关系。     

串连晶闸管阀触发方式分析与研究

晶闸管耐压较陈，中高压领域所用晶闸管阀（TCR、TSC等）均需多支晶闸管串连才能满足耐压需要。本文分析了传统的串连晶闸管的触发特点，并提出了一种新颖的晶闸管触发方式光电＋电磁触发。在山东泰开电力电子有限公司生产的高压TSC晶闸管阀上进行了试验验证。试验结果证明，采用光电＋电磁被发方式，晶阐管触发一致性好，触发电流大，抗电磁干扰能力强，具有较好的推广价值。     

晶闸管智能控制模块的应用

概述晶闸管智能控制模块的分类、性能及其应用领域，并较详细地叙述晶闸管智能控制模块在使用过程中散热和保护的要求。