一次液相外延制作的大功率单模InGaAsP激光器

本文介绍了一种月牙型隐埋异质结构InGaAsP(λ=1.3μm)激光器的激射特性,这种激光器结构是用一次液相外延在台型衬底上生长的。虽然该结构没有特殊的电流限制层,但获得了脉冲工作下大的输出功率(150mw/端面)和高的外微分量子效率(60%)。直到30mw/端面输出功率下仍是基模工作。这些特性是由于台面对电流的影响引起的,并且表明衬底构形对激光器性能起重要的作用。     

发射波长为1.55μm范围的扩散条形InP/InGaAsP/InP激光器的特性

本文描述了发射波长约为1.55μm的InGaAsP/InP激光器的制造工艺和激射特性。采用低温液相外延方法制备的InP/InGaAsP/InP双异质结构外延片,制造了发射波长在1.53～1.60μm范围的锌扩散条形几何结构激光器。研究了激射特性与条宽的依赖关系。具有1.3μm条宽的激光器得到了最低的阈值电流(在27℃,CW工作条件下,约为160mA)。热沉温度高达53℃时获得了激光器的CW工作。在条宽足够窄(～6μm)的情况下,CW工作时得到了基横模和单纵模工作,而且激光器具有很好的高频性能。在高频(800Mbit/s)大信号脉冲调制情况下,激光器呈现出极好的动态特性。800Mbit/s时的纵模包络半最大点的全宽约为30(?)。     

基于DFB激光器的楔形截顶光纤微透镜耦合结构

为了解决分布式反馈激光器的光发射次模块耦合封装中存在最大耦合效率局限的问题, 采用楔形截顶光纤微透镜代替分立式透镜的直接耦合的方法, 得到斜面倾角0.6rad、耦合距离60μm、半宽度15μm的楔形截顶光纤端面模型。在此基础上与分立式和直接耦合进行对比, 讨论了纵向、横向和角度偏移误差。结果表明, 纵向耦合距离在-21.45μm~56.79μm, 角向耦合角度在-8.3°~8.5°, 耦合效率始终大于70%;结构整体容忍度较高, 耦合效率达84.40%。该研究可为下一代分布式反馈激光器的次发射模块耦合封装器件提供新的解决方案。     

V形槽衬底InGaAsP/InP BH激光器

<正> 日本富士通实验室研制了一种发射波长为1.3μm的BH激光器:V形槽衬底BH激光器(VSB)。在这种结构中,有源层埋在衬底上的V形槽内。为了制作这种激光器,研制出一种腐蚀方法,用这种方法在<011>方向上形成V形槽。25℃时CW阈值电流范围在10～20mA。一直到20mW/端面的光功率均可获得稳定的基横模激射。CW激射的最高温度为100℃。纵模是多模,然而其包络半最大点的全宽(FWHW)典型值低于3nm。动态特性呈现出     

自对准结构InGaAsP/InP双异质结构激光器

本文研究了一种横模稳定的InGaAsP/InP双异质结构(DH)激光器的器件参数,即各层的厚度和条宽,这种激光器称为自对准结构(SAS),发射波长为1.3μm。为了控制平行于结平面的横模以及为了在高温下能稳定工作(尽管阈值电流对温度很灵敏),得出最佳条宽为7μm。 SAS激光器显示出稳定的基横模和接近单纵模的工作特性,并且直到3GHz有平坦的频率响应特性,范围在±5dB内。在老化试验中,温度提高到50℃和70℃,在恒定光功率条件下,所有样品都已工作了10000多小时,驱动电流没有明显变化。在50℃,5mW/端面恒定功率条件下的样品,5000小时期间驱动电流增加的平均速率为3.1×10~(-6)/hr。这个数值与GaAlAs/GaAs DH激光器相比几乎一样。在老化试验期间未观察到基横模分布上的变化。     

氧化限制型795 nm垂直腔面发射激光器

单模795 nm垂直腔面发射激光器作为铷原子钟的激光光源,一般采用氧化限制结构获得单模输出。对垂直腔面发射激光器外延结构以及氧化限制孔径进行了优化设计。基于有限元分析方法,利用光纤波导理论和热电耦合模型,对氧化孔径的光学和电学限制进行了模拟,计算分析了实现单模和良好热电特性所需的氧化孔径大小。实验制备了具有不同氧化孔径的器件,并进行了功率-电流以及光谱特性测试。当氧化孔径为1.9μm时,在3～7 mA注入电流下器件始终保持单模输出,边模抑制比大于35 dB;器件保持单模输出的最大氧化孔径为3.8μm,室温下阈值电流为1 mA,最大饱和输出功率为2 mW,斜率效率为0.3 W/A,3 mA注入电流下的出射波长为790 nm,边模抑制比大于30 dB。制备的室温下单模特性良好的790 nm垂直腔面发射激光器,为实现高温下795 nm偏振稳定单模输出提供了可能。     

1.55μm InGaAsP低阈值月牙隐埋注入式激光器

美国Rockwell国际公司报导了一种具有锁定结构的1.55μmInGaAsP月牙隐埋(BC)注入式激光器。这种月牙隐埋型激光器在25℃时阈值电流14mA,高效率,输出功率大于10mW以及工作温度高达30℃。在50℃稳定的连续波模式下,该激光器连续工作1000多个小时。估计在50℃时,1.55/μmInGaAsP激光器的寿命     

1.3μmInGaAsP/InP隐埋月牙形激光器的内部损耗

InGaAsP/InP长波长激光器的阈值电流(I_(th))和外部微分量子效率(η_(ext))与温度的依赖性极大。1.6μm波长激光器的外部量子效率η_(ext)随温度的增加而减小,这归因于内部损耗α的增加。这种损耗对于1.3μm波长的激光器可能具有同样的影响。我们通过加上三层或五层Si/SiO_2反射涂层改变谐振腔后端面镜的反射率,估算了1.3μmInGaAsP/InP隐埋月牙形激光器在20—80℃温度范围里其内部损耗α对于温度的依赖性,并且探     

中国科学院国家重点实验室制造出1.33mQD激光器

中国科学院国家重点实验室的一个研究小组制造出1.33μm GaAs衬底量子点(QD)激光器。中国科学院称,该激光器结构含InAsQDs,通过自组织形式,激光器可在室温下连续波工作。GaAs基QD激光器的开关速度比InP激光器的快,功耗也比它的小。四年前,该研究小组首次制造出分子束外延生长的发射波长为0.9—1.1μm的InAs基QD激光器。2002年其发射波长扩大到1.3μm。此后,他们进一步提高发射波长,QD密度达到4×1010cm-2。上述研究人员准备对这种激光器进行改造以投入实际应用,并正在研究其它可采用的材料,包括GaInAs/GaAsSb,用这些材料可制造出…     

InGaAsP/InP双波长BH激光器阵列

<正> 日本公用电报电话公司武藏野电气通信实验室报导,他们已经制造出发射波长为1.26和1.55μm双波长BH激光器阵列。两个BH激光器之间的间隔是30μm,在室温下两个激光器能     

用湿化学蚀刻法制作短腔GaAlAs激光器

用一种新的化学蚀刻方法制出了短腔(GaAl)As条形激光器,此激光器的阈值电流为30mA。该方法使用了一多层金属掩膜。激光器腔长23μm、宽12μm,且在蚀刻端面没镀反射膜。在脉冲条件下获得了准单模输出。     

GaInAs/AlInAs量子阱发光谱线加宽的机理

现已着手把 GaInAs/AlInAs 量子阱应用到光纤通信上.MBE 生长的与 InP 晶格匹配的 GaInAs/AlInAs 量子阱发射波长能够从1.65μm 移动到1.0μm 左右,这一范围复盖了光纤在1.3μm 的最小色散和在1.55μm 的最小衰减区.用这种材料生长的量子阱激光器发射近于1.55μm,阈值电流密度是2.4KA/cm~2.GaInAs/AlInAs 量子阱4K 下的光致发     

具有对接的内部分布布喇格反射波导的GaInAsP/InP集成激光器

<正> 本文提出了一种具有对接的内部分布布喇格反射波导(缩写为BJB-DBR)的新型GaInAsP/InP集成激光器,并进行了实验。理论分析表明,在这种结构中通过使两个波导的传播常数和场分布相匹配,可以在有源区与对接外波导之问得到98％的有效耦合,从而给出较大的制造公差。已制造出发射波长为1.55μm的BJB-DBR集成激光器样品,并在室温下     

1.3μm GaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制

报道了中国第一只1.30μm单量子阱边发射激光器的材料生长、器件制备及特性测试.通过优化分子束外延生长参数,调节In和N组分含量使GaInNAs量子阱的发光波长覆盖1.3μm范围.脊形波导条形结构单量子阱边发射激光器,实现了室温连续激射,激射波长为1.30μm,阈值电流密度为1kA/cm2,输出功率为30mW.     

键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器

在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.     

键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器

在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.     

科技简讯

朝鲜先进科学技术研究所和Taejon电子通信研究所的科研人员已经证实能在室温条件下从二维光子晶体中激发辐射出1.6μm波长的激光。该研究所的科研人员用晶片熔变和湿式氧化方法构制了这种激光器。用波长980nmInGaAs激光二极管泵浦这种光子晶体,当泵浦功率大于 9.2 mW时,该激光器能发射出     

1.5μm波长范围的InGaAsP/InP分布反馈式激光器

<正> 日本KDD研究和发展实验室从理论上和实验上研究了1.5μm波长范围的InGaAsP/InP分布反馈式(DFB)激光器的激射特性。分析了5层DFB波导中波的传播,估算出结构参数对阈值条件的影响。在设计低阈值激光器及其激射波长方面进行了主要考虑。用液相外延方法制备了具有1.53μm发射主光栅的DFB隐埋异质结构激光器。在-20℃～58℃的温度范围内实现了CW工作。室温下的CW阈值电流低至50mA。在直流与500Mbit/s的伪随机脉冲电流     

1.3 μm和1.55 μm GaInAsP/InP阵列激光器

GaInAsP/InP系列激光器由于其T0 小 ,且受环境温度影响大 ,所以用一般结构制作阵列器件是很困难的。而采用大光腔 (LOC)结构的激光器 ,其T0 值可达 10 0～ 140K ,单个 1.3μm激光器 ,脉冲峰值功率超过 3W ,单个 1.55μm激光器 ,脉冲峰值功率超过 2W。用它们的芯片研制了堆积阵列激光器。在研制中发现 ,阵列的输出功率小于各单元器件输出功率之和 ;而减小的比率随着单元数目增加而增加。所制成的 3× 4单元的 1.3μm阵列激光器 ,其脉冲峰值功率大于 2 4W ;4× 4单元的 1.55μm阵列激光器的脉冲峰值功率大于 2 0W。     

有声光Q开关的微型激光器

Amoco Laser公司介绍了一种Q开关二极管泵浦固体微型激光器,这种激光器把该公司专有的端泵浦结构与声光Q开关设计相结合。激光器具有大于15μJ的脉冲能量,脉冲宽度小于30ns,束为TEM₀₀模。