快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。     

快闪器件研究

快闪存储器由于其所具有的非挥发电可编程和片擦除特性,在嵌入式应用中有望取代SRAM、DRAM以及磁性存储器,并愈来愈受到重视,产品的市场占有率稳步上升,近10年来发展迅速。随着嵌入式系统和移动设备的发展以及集成电路特征尺寸的进一步缩小,在现有基础上对嵌入式存储器又提出了新的要求,主要有两条:更低的工作电压和更快的擦写速度。为满足这些要求,国际上在快闪存储器单元结构和相应的工艺实现方法上开展了大量的工作。对快闪存储器结构方面的研究进行了综述,以利于国内同行对该领域及快闪存储器的机理和研究方向有一个较全面的了解。     

爱特梅尔嬴得专利诉讼

爱特梅尔(ATMEL)公司（那斯达克ATML）2000年10月17日宣布了美国国际贸易委员会(ITC)编号为337-TA-395的调查结果及最终裁定以及有限驱逐令。美国国际贸易委员会发现：在可擦可编程只读存储器(EPROM)，电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，快闪存储器(Flash)以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及产品领域中，爱特梅尔公司的编号为4,451,903美国专利是有效的，可执行的。 另外，美国国际贸易委员会宣布了有限驱逐令以禁止“侵权的可擦可编程只读存储器，电可擦可编程只读存储器，快闪存储器以及快闪存储器微处理器等半导体器件以及包含这些器件的电子产品进入美国市场”。ITC进一决定，“根据关税法337(j)条款的规定，在等待总统通知委员会关于驱逐令的最终决定的60天期限内，侵权器件以及包含这些器件的电子产品只有缴纳每件0.78美元后才能够进入美国市场”。     

快闪存储器—存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。     

快闪存储器──存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。     

快闪存储器前途无量

一、全球快闪存储器市场 正当全球半导体市场面临货源短缺而厂商将发展的关注焦点集中到动态存储器上时,快闪存储器(Flash memory)也面临了市场需求殷切所产生短缺的问题。但由于快闪存储器的产品发展技术与特性都与动态存储器有相当大的差异,因此在市场竞争厂商不多的状况下,所引起的关注也就不像动态存储器那样引人注目。     

USB快闪存储器使用全接触

<正> 在移动存储市场中,有一种钢笔大小的USB移动存储器越来越引人注目,那就是USB快闪存储器。目前已经有很多厂家都投入到了USB快闪存储器的开发和生产中去,再加上Flash ROM芯片价格的下降,使得USB快闪存储器的售价一降再降,逐渐为消费者所接受。     

ST1OF168微控制器

STMicroelectronics公司宣布推出一种包含快闪存储器的新型微处理器,它具有保护芯片快闪存储器的功能,可以防止非法读取存放在快闪存储器中的程序,或者防止出现系统错误,例如防止失去时钟信号。这项新型微控制器的型号为ST10F168,其中包含16位的ST10芯核,专门针对汽车电子产品而选用的外围部件,存储量为256K字节的内部快闪存储器,2K字节的双端口RAM(随机存取存储器)以及6K字节的普通RAM。在快闪存储器中存放重要的子程序,执行这些子程序的时钟频率为25MHz,所以执行一条指令所需时间一般不到80ns。     

ST10F168微控制器

STMicroelectronics公司宣布推出一种包含快闪存储器的新型微处理器,它具有保护芯片快闪存储器的功能,可以防止非法读取存放在快闪存储器中的程序,或者防止出现系统错误,例如防止失去时钟信号。这项新型微控制器的型号为ST10F168,其中包含16位的ST10芯核,专门针对汽车电子产品而选用的外围部件,存储量为256K字节的内部快闪存储器,2K字节的双端口     

M-Systems针对信息家电、通信及网络设备发展电子盘

快闪存储器在存储数据方面有它的局限性,然而加上称作TrueFFS(True Flash File System)的控制软件,便可以使快闪存储器在读写时像是硬盘机,不需要另加处理器。M-Systems公司中国区总经理崔钊坤说:“快闪存储器加上TrueFFS,便成为电子盘。TrueFFS可以纳入WindowsCE、Windows NT、Windows95/98/2000、Linux、JavaOS等二十多种操作系统,并随同这些操作系统向用户提供。”总部设在以色列的M-System     

0.18微米嵌入式快闪存储器技术及其应用

快闪存储器最初是在PC中用作BIOS存储器,如今已广泛地用于GSM电话,数字照相机、CD-ROM、智能卡等产品。在需要经常更新软件以提供新服务的应用,都广泛地使用快闪存储器。它能够以电写入的方式在现场更新存储内容,因此颇受欢迎。     

内置大容量快闪存储器的16位微型机

日立制作所已制出了内置大容量快闪存储器的Ｆ-ＺＡＴ微型机“Ｈ8/3052Ｆ(512位)/3064Ｆ(256ｋ位)/3022Ｆ(256ｋ位)”的新产品。该产品的制作过程是采用了035μｍＡｌ3层布线ＣＭＯＳ工艺,内置了512ｋ位、256ｋ位的单电源快闪存储器和8ｋ位的ＲＡＭ。另外,在ＬＳＩ内部还内置了升压电路,实现了以单电源的快闪存储器擦除、写入工作。内置大容量快闪存储器的16位微型机@辛     

快闪存储器及其应用

本文评述存储器家庭新成员－快闪存储器的结构原理和特性，研制进展，编程擦除方法以及使用注意事项，提供了快闪存储器的多种应用途径。     

0.13微米快闪存储器切入市场

英特尔已经在市场销售采用0.13μm工艺技术制造出来的32兆位以及64兆位快闪存储器—“英特尔3VO1t Advanced+Boot Block快闪存储器”的样品。这一产品比较0.18μm工艺技术的产品其芯片尺寸缩小大约50％,特别适用于小型化而且低功耗诸如手机及其它相关电子产品。 手机需要大容量的快闪存储器,以实现互联网接续     

分离栅式快闪存储器擦除性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,由于具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是在嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。随着闪存市场高集成度的发展需求,分离栅式快闪存储器的尺寸也在逐渐地缩小。从结构和工艺优化方面探讨在这一微缩过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的擦除效率。通过实验发现通过形成非对称性浮栅结构,优化浮栅到擦除栅侧的结构形貌,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的擦除性能。     

AMD率先推出5伏8Mb快闪存储器

AMD近日推出首款以5.0伏电源运行的8Mb快闪存储器,使该公司的单电源供应器快闪存储器系列的阵容更为强大。 Am29F080的推出,为用户提供由1～16Mb等不同密度的选择。该快闪存储器以8位元1MB的形式组成。1MB的数据分别存储于16个不同磁区之中,每个磁区为64kB以方便抹除。Am29F080可与JEDEC专为单一电源快闪存储器而制定的软件指令标准完全兼容。 以Am29F080进行设计的用     

快闪存储器及其测试系统

快门存储器目前非常流行,由于它是非易失性的,当电源关断时数据不会消失,因而,电子计算机、移动通信、家用电器,特别是手持设备,在关断电源后需要保留数据时,或者数据交换时,快闪存储器起着重要作用。例如MP3数字音乐播放机和数字照相像都使用快闪存储器作为记录介质,由于     

快闪存储器独显风采

美国著名市场调研公司ＩＤＣ认为，在各种存储器中今后增长速度最快的是快闪存储器，预计从１９９６年到２００１年的年均增长率为２２１％，而整体存储器的年均增长率不过１５８％。１９９６年快闪存储器市场规模达２６亿多美元，超过ｍａｓｋＲＯＭ（掩模只读存储器...     

分离栅式快闪存储器抗编程干扰性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,因其具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。但由于快闪存储器产品规则的阵列排列方式,高速的编程能力也带来了容易出现编程干扰的问题,成为了制约其实际应用的关键因素。从工艺优化方面探讨在编程过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的抗编程干扰性能。通过实验发现通过整合改进工艺流程中调节字线阈值电压的离子注入方式的方法,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的抗编程干扰性能。     

世界上最高速/最小电压快闪存储器技术

据有关资料报道 ,日本松下电器工业公司与松下电子工业公司和美国的Ｖｅｎｔｕｒｅ企业ＨａｌｏＬＳＩ公司共同协作成功地开发出了比原来型快闪存储器高出 5 0倍的世界上最高速度、最小电压驱动的新型快闪 /ＥＥＰＲＯＭ存储器单元 (冲击式晶体管 )。由于快闪存储器 /ＥＥＰＲＯＭ无供给电源且能保持存储记忆 ,因此可代替磁带和硬磁盘作为存储媒体 ,另外 ,近年来 ,它作为系统ＬＳＩ的核心一直占有极其重要的位置。然而它也存在着一些问题 ,诸如其内部写入电压必须要在 1 2Ｖ以上 ,写入速度较慢 ,功耗也较大等。快闪存储器 /ＥＥＰＲＯＭ的存…