氮化镓材料专利计量分析及启示

<正>氮化镓(Gallium Nitride,Ga N)基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料,被称为第3代半导体材料。氮化镓材料由于具有禁带宽度大、击穿电场高、介电常数小、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特性,在光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景[1.2]。氮化镓材料的应用首先是在发光器件领域取得重大突破的。1991年,日     

碳化硅材料及技术研究进展

<正>一、引言在半导体材料的发展历史上,通常将硅(Si)、锗(Ge)称作第1代半导体。将砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)、磷化镓(Ga P)等为代表的合金半导体称作第2代半导体。在其之后发展起来的宽带隙半导体,碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)、氮化铝(Al N)及金刚石等称为第3代半导体。Si C作为第3代半导体的杰出代表之一,相比前2代半导体材料,具有宽带隙、高热导率高、较大的电子饱和漂移速率、高化学稳定性、高击穿电场高等诸多优点,在高温、高频、大     

GaN微波及功率器件在电子信息产业中的市场前景

正一、概述作为一种新型电子和光电子器件半导体材料,氮化镓(Ga N)与碳化硅(Si C)一起,被认为是继第1代锗(Ge)、硅(Si)半导体材料、第2代砷化镓(Ga As)和磷化铟(In P)化合物半导体材料之后的所谓第3代半导体材料,其研究与应用是目前全球半导体产业化研究的前沿和热点之一。它具有带隙宽(而且是直接带隙)、键强度大、电子迁移率高、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等优良性质和强     

第3代半导体材料发展现状及建议

<正>第3代半导体材料即宽禁带半导体材料,又称高温半导体材料,主要包括碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)、氮化铝(Al N)、氧化锌(Zn O)、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度(禁带宽度大于2.2e V)、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射能力、高的电子饱和速率等特点,适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制作。第3代半导体材料凭借着其优异的特性,未来应用前景十分广阔。     

第3代半导体材料在5G通讯领域的发展与机遇

正一、研究背景宽禁带半导体——碳化硅(Si C)和氮化镓(Ga N),是继第1代硅(Si)、锗(Ge)和第2代砷化镓(Ga As)、磷化铟(In P)等材料之后发展起来的第3代半导体材料。宽禁带半导体可以在较高的温度和较大的外界能量作用下保持原有的N型或P型导电性能,从而使器件可以在高温和强辐照环境下工作,其临界场强也大,因此器件的耐压程度也较高。第3     

碳化硅材料特性及其应用浅析

正一、碳化硅单晶特性以碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第3代半导体材料。与第1代、第2代半导体材料相比较,Si C具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点[1]。Si C是目前发展最为成熟的宽禁带半导体材料之一,Si C在工作温度、抗辐射、耐击穿电压等性能方     

半导体所研制成功氮化镓基激光器

中科院知识创新工程重要方向项目“氮化镓基激光器（KGCX2-SW-115）”通过了专家验收。氮化镓基半导体材料是继硅和砷化镓基材料后的新一代半导体材料，被称为第三代半导体材料，它具有宽的带隙，优异的物理性能和化学性能，在光电子领域具有广泛的应用前景和研究价值。用氮化镓基半导体材料研制成的氮化镓基激光器在国防安全领域和光信息存储、激光全色显示、激光打印、大气环境检测、水下通信、双色激光探测等领域具有重要的应用价值。     

碳化硅:实现国产材料的中国梦

<正>随着5G移动通讯技术、高压智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、移动互联、海亮光存储、可见光通讯等市场巨大拉动,全球对以碳化硅(Si C)和氮化镓(Ga N)为代表的具有带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等特征的宽禁带半导体材料(亦称"第3代半导体材料")活跃度日益提高,产业进入了快速发展阶段。法国悠乐(Yole)公司7月公布的最新数据显     

电子信息材料

方大集团实现氮化镓基半导体材料产业化 方大集团率先在我国成功实现氮化镓基半导体材料产业化,并已成功投放市场,此举标志着我国氮化镓基半导体材料的产业化已经取得了重大突破。 氮化镓基半导体材料可制成高效蓝、绿、紫、白色发光二极管和激光器,以蓝绿光二极管为例,可用于大屏幕彩色显示、汽车照明和交通信号,以及光通讯等领域。 经过近一年的努力,方大公司已研究、开发和     

第3代半导体产业发展概况

<正>第3代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料,各类半导体材料的带隙能比较见表1。与传统的第1代、第2代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大     

我国氮化镓蓝光半导体激光器研究获重大突破

由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器取得重大突破，首次实现室温连续激射的氮化镓半导体蓝光激光器研制成功。这是继2004年由半导体所首次在中国大陆实现氮化镓激光器脉冲激射后的又一个重大突破，标志着我国氮化镓（GaN）基蓝光半导体激光器研究向产品化、产业化迈出了极为关键和坚实的一步。     

方大集团同时在深圳、南昌启动GaN产业化项目

氮化镓是世界目前最先进的半导体材料之一(见本刊上期产业论坛),它可制成高效蓝绿光发光二极管LED和激光二极管LD(又称半导体激光器),并可制成白光光源,将代替人类沿用至今的照明源。成为继Si、Ge、GaAs、InP等材料后的第3代电子材料,该材料的研究开发及其产业化属当今世界半导体研究领域的前沿和热点。     

国外第3代半导体材料项目国家支持行动初探

<正>相比第1代与第2代半导体材料,第3代半导体材料是具有较大禁带宽度(禁带宽度2.2eV)的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO),其中,发展较为成熟的是SiC和GaN。第3代半导体材料在导热率、抗辐射能力、击穿电场、电子饱和速率等方面     

电子材料

正美国拟开发全球首个氮化镓处理器氮化镓(GaN)材料不仅成为了电子学的新一代半导体,还可能是太空领域的基础材料。亚利桑那州立大学(ASU)电子与计算机工程师赵宇杰(Yuji Zhao)计划研发出第一个氮化镓处理器,这可能会彻底改变未来的太空探索任务。氮化镓是通常用于制作发光二极管(LEDs)的半导体化合物。这种材料的导     

消息报道

苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果氮化镓(GaN)是一种III/V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性,使得其在核探测领域具有很好的应用前景,在新型核电池领域也具有巨大的应用潜力。因为GaN辐生伏特效应核电池     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

<正>作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌(Zn O),具有3.37e V的禁带宽度和较小的波尔半径(1.8nm)以及高达60me V的激子束缚能,可以使Zn O在室温下实现有效的激子发射,在制备蓝光或紫外光等光电器件上比氮化镓(Ga N)更有优势,展现出更广阔的应用前景[1]。Zn O具有极高的c轴择优取向,本征Zn O具有极的高电阻,使它具有良好的压电常数与机电耦合系数,     

我国利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果

氮化镓(GaN)是一种III/V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性,使得其在核探测领域具有很好的应用前景,在新型核电池领域也具有巨大的应用潜     

第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用

<正>一、第3代半导体材料概述第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(AlN)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领     

碳化硅、氮化镓市场商机巨大 厂商如何把握？

正第三代半导体材料受市场关注,包括碳化硅(SiC)材料以及氮化镓(GaN)产品,台积电也于上周宣布与意法半导体合作切入氮化镓市场,半导体业者包括环球晶、合晶、太极、嘉晶(3016)以及母公司汉磊、茂硅、世界、精材等厂商开始也切入此领域。随着此类第三代半导体材料具有更高效节能、更高功率等优势,更适用在5G通讯、超高压产品如电动车领域,未     

电子材料

正英国专家用半极性Ga N生长高效益LED英国雪菲尔大学的一支研究团队最近在《应用物理学快报》期刊上发布在半极性氮化镓(Ga N)或蓝宝石基材上生长LED的最新成果。利用在M-Plane蓝宝石基板上生长的Ga N制造的微柱阵列模板,研究人员