安森美推出静电放电保护二极管ESD5Z

安森美半导体（ON Semiconductor）日前推出全新高性能、微型封装的静电放电(ESD)保护二极管系列ESD5Z器件，专为便携式产品和电池供电应用中电压敏感元件提供单线保护而设计。     

飞兆半导体新型μSerDes产品

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）推出基于μSerDes^TM技术的重要强化产品FIN224AC。与前代产品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面积和基础架构，但却提供增强的静电放电（ESD）保护功能并能降低EMI。对任何手持式电子产品而占，ESD损害都是重要的考虑问题。飞兆半导体将FIN24AC的8kV ESD保护性能提升至FIN224AC的15kV ESD。另一项改进是降低LVTTL（低电压晶体管到晶体管逻辑）输出的边沿速率，以便进一步降低EMI。     

新型开关二极管

新品系列除具备75V、80V及85V的额定击穿电压（Breakdown Voltage）外，更采用微型塑料SOT563、DFN1006—3及DFN20206封装，以供顾客选择。这些单二极管、双二极管和双双（串联及共阴极）二极管配置能发挥多种功能，包括交流信号整流、数据线保护、反向电池保护和直流直流转换，适用于对轻巧和纤薄产品设计有较高要求的手机、平板电脑和笔记本电脑。     

一种新的用于RFIC ESD保护的双槽LVTSCR

低压触发硅控整流器件（Low-Voltage Triggering Silicon-controlled Rectifier,LVTSCR）由于具有高的放电效率和低的寄生参数,在ESD防护方面存着诸多优势,尤其对于深亚微米集成电路和高频应用领域。本文对影响LVTSCR回退（snapback）特性曲线的几个重要因素和它的配置方式作了详细的分析和评价,这些参数包括阳极串联电阻、栅电压以及器件的结构和尺寸。并且提出了一种双槽LVTSCR结构,该结构可以获得较高且容易调节的维持电压,从而使其snapback特性很好地符合ESD设计窗口规则。论文的最后讨论了RFIC中采用LVTSCR的ESD保护策略。     

ISL81334／41334：高性能超小封装双协议收发器系列

Intersil公司发布新系列单端口或双端口双协议收发器,在微型节省空间的QFN封装中实现较高的ESD (静电放电)额定值和性价比。新系列包括两个双端口IC ISL81334与lSL41334, 以及SL81387与ISL41387两个单端口器件。在紧凑的微型封装内每个收发器具有15kV(HBM)ESD保护,提     

ESD9L：单线ESD保护器件

安森美半导体推出新的超低电容静电放电（ESD）保护器件系列的首款产品。新的ESD9L是一款单线ESD保护器件，提供0．5pF电容和低钳位电压。采用适合ESD保护应用的小型封装，适用于手机、MP3播放器、个人数字助理（PDA）和数码相机等便携应用的高速数据线路保护。     

带ESD保护的EMI滤波器阵列CM1419

CM1419是带ESD保护、基于电感的两路EMI滤波器阵列，是一种可为移动音频提供完整高性能解决方案，集成了两个Pi滤波器（C—L—C），每路的元件数值为117pG-3．0nF-117pF，典型的串联电阻为0．28欧姆。在所有的输入，输出引脚集成有ESD保护二极管，可提供＋/-30KV的ESD尖峰，超过IEC61000-4—2国际标准的要求，在800MHz-2．1GHz频率范围内的衰减优于-40dB，5     

飞兆半导体推出面向便携式应用的新型μSerDes^TM产品

专为便携式电子产品中的小型显示器和相机提供串并转换解决方案的创新厂商——飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）宣布推出基于μSerDes^TM技术的重要强化产品FIN224AC.与备受欢迎的前代产品FIN24AC相比，全新的FIN224AC占用相同的占位面积和基础架构，但却提供增强的ESD保护功能并能降低EMI。对任何手持式电子产品而苦，ESD损害都是重要的考虑问题。飞兆半导体将FIN24AC的8kV ESD保护性能提升至FIN224AC的15kV ESD，因而解决了这一难题。     

瞬变电压抑制器

ESDAXLC6—1MY2瞬变电压抑制器（TVS）为ESD保护器件建立新超低电容标准，在保护画质的同时，让ESD保护性能符合现行的工业标准。     

单／双通道、双向低压电平转换器

MAX13046E／MAX13047E为多电压系统中的数据传输提供电平转换,VL电压范围为1．1～3．6V或（Vcc＋0．3V）（两者中电压较低的一个）,Vcc电压范围为1．65～5．5V。在整个电压范围内,MAX13046E／MAX13047E能够保证8Mb／s的数据速率。器件在μDFN、TDFN和UTQFN等微型封装中集成了±15kV ESD保护电路,在为外部传输信号的应用提供增强保护的同时,节省了电路板空间。     

ESD 8VoL系列——为高速应用提供ESD保护二极管

ESD8VoL系列采用超小无铅封装，由单通道和双道双向ESD二极管（ESD=静电释放）构成。该系列专门设计用于保护高速数据接口，例如USB2.010/100以太网。     

ESD7L5．0D／NUP4212：ESD保护器件

安森美扩充高性能片外静电放电（ESD）保护产品系列，推出两款器件ESD7L5．0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。     

泰科电子发布2010电路保护产品手册

泰科电子发布了其2010年电路保护产品手册的发行。该手册扩充了几条新产品线的详细信息，介绍了PolySwitch自复式元件、PolyZen元件、2Pro元件、聚合物ESD（PESD）和硅ESD（SESD）保护元件、贴片保险丝（Chip Fuse）以及气体放电管的技术参数和应用信息。     

CMOS SoC芯片ESD保护设计

本文提出从器件失效功率的角度,解释CMOS SoC（System On Chip）芯片的ESD（ElectrostaticDischarge）失效原因,总结了CMOS集成电路（IC）的多种ESD失效模式,研究了多电源系SoC芯片的ESD保护设计方法,提出了SoC芯片的ESD保护设计流程。     

高速接口引发ESD保护元件革新

据意法半导体MPA产品部产品营销科长吉野善晴介绍：“由于设计设备时必须考虑的防ESD措施发生了变化，自2005年秋天起，开发平板电视的技术人员不断表示希望能使用静电电容较低的元件。”由于元件本身的静电电容会导致信号波形失真，因此越来越多的设备设计人员表示，传统的ESD保护元件将会逐渐无法继续使用（见图1）。为了避免信号失真，必须使用静电电容低于现有产品（3pF～5pF）的ESD保护元件。随着对低静电电容ESD保护元件需求的增加，松下电子元器件及意法半导体等器件厂商自2006年起相继推出静电电容低于1pF的ESD保护元件（见表1）。     

TFT_LCD驱动芯片GATE／SOURCE静电保护电路设计与实现

文章描述了TFT_LCD驱动芯片防静电（ESD）保护电路的布局,重点分析和设计了TFT_LCD驱动芯片GATE和SOURCE引脚的ESD保护电路。ESD保护电路布局上,采用髓排ESD电路错开呈”品字形“排列,使ESD电流均匀流通。在GATE保护电路中,采用二极管接法代替通用PMOS,防止电路产生Latch-up效应。SOURCE的保护电路中．NMOS的Drain设计了RPO（Resisl Protection Oxide）,使流经Drain的电流均匀分散,使二次击穿电压升高。     

基于STNMOS的混合电压I／O接口ESD保护

混合电压I／O接口的静电放电（electrostaticdischarge,ESD）保护设计是小线宽工艺中片上系统（SoC）设计的主要挑战之一。混合电压I／O接口的片上ESD保护既要避免栅氧可靠性问题,又要防止不期望的泄漏电流路径产生。这篇论文讨论了基于堆叠NMOS（Stacked—NMOS,STNMOS）的混合电压I／O接口的ESD保护设计构思和电路实现,通过不同ESD保护设计方案的比较,提出了一个最有效的保护方案。     

泰科电子扩展ESD保护产品系列，推出业界最小的0201封装

泰科电子9月17日宣布其防静电（ESD）保护器件产品线上再添三款新品。其中0201尺寸的硅基ESD（SESD）器件比上一代0402型的器件大约缩小了70％，能够为手机、MP3播放器、PDA和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。     

安森美半导体推出集成ESD保护的共模扼流圈EMI滤波器

安森美半导体推出业界首款共模扼流圈及静电放电（ESD）保护集成电路（IC），应用于高速数据线路。新的NUC2401MN结合了高带宽差分滤波、固体共模停止带宽衰减及世界级ESD保护。这些结合的特性，使这方案远优于典型的电磁干扰（EMI）滤波器及分立可选方案，同时有助显著减少元件数量。     

多电源和多地的片上ESD保护

介绍了集成电路设计中的ESD保护的基本原理和几种常用的保护方法并比较其优劣。提出了在多电源、多地时特殊的ESD保护结构（栅耦合结构及共用泄放回路），以及该结构在不同应用中的变化。